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无序和有序GaInP_2的光致发光谱被引量：4: 1999年; 对无序和有序ＧａＩｎＰ２样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量．无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构，在不同温度区有不同的激活能．有序样品则表现为双峰结构，其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭．; 吕毅军俞容文郑健生; 关键词：半导体光致发光谱

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱: 2003年; 在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒 TO(Γ )模以及 N的局域模 (495 cm- 3) .在 N组分较高的一组样品 (x=1.3%～ 3.1% )中 ,还观察到了位于 Ga P的 L O(Γ)模和 TO(Γ)模之间的由 N导致的 L O(N)模的喇曼频移 (387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强 .在二级喇曼散射谱中 ,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰 2 L O(Γ )外 ,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰 2 L O(L )、2 TO(X)以及 L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强 .另外在组分 x=0 .6 %和 x=0 .81%的样品中 ,还得到了诸如来自不同 NNi 对或 N原子簇团的局域模和由 N导致的新的散射峰 .; 高玉琳吕毅军郑健生张勇Mascarenhas A辛火平杜武青; 关键词：喇曼散射混晶

GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究被引量：1: 2004年; 室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.; 林顺勇高玉琳吕毅军郑健生刘国坤; 关键词：喇曼散射

静压下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光: 1990年; 通过研究77 K温度下不同组份的GxAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)的静压光致发光,在x=0.88的样品中首次观察到NH_3 的发光,压力使N_x谱带窄化及其LO声子伴线的黄昆因子变小等现象。结果表明,压力使得混晶无序效应减弱,加强了激子从N_x?NN_i的能量转移过程。; 糜东林郑健生颜炳章李国华汪兆平韩和相; 关键词：静压束缚激子混晶; 全文增补中

低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光: 1994年; 在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能端并且窄化．结果表明，在低激发功率密度下，热激活的Ｎｘ→ＮＮｉ激子转移过程明显加强，激子转移的机制主要是变程跳跃过程．; 俞容文郑健生糜东林颜炳章; 关键词：混晶发光

混晶GaAs_(1-x)P_x∶N中N_X带的发光瞬态过程研究: 1997年; 采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．; 俞容文黄旭光郑健生颜炳章; 关键词：半导体

Exciton-Phonon Coupling of NN_3 Center in Heavily Nitrogen Doped GaP: 2004年; Under heavy nitrogen doping,due to the “concentration quenching” effect,the full spectrum of the NN 3 center is revealed without the interference from the spectra of other higher energy centers.This investigation offers a direct proof for that all the phonon replicas are the phonon sidebands governed by the Huang Rhys’ multiphonon optical transition theory.; 高玉琳吕毅军郑健生张勇A.Mascarenhas辛火平杜武青; 关键词：PHOTOLUMINESCENCE

四元(Al_xGa_(1-x))_(0.51)In_(0.49)P(x=0.29)合金的PLE及极化PL谱: 2000年; 对与 Ga As晶格匹配的四元合金 (Alx Ga1-x) 0 .51In0 .4 9P(x=0 .2 9)作了 PL E及极化 PL谱的测量 .进一步探讨有序结构 Al Ga In P中在 55～ 84 K出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源 .PL E谱的测量表明子能带的存在 ,其能级的差异正好处在高温区激活能内 ,是引起温度反常现象的原因 .通过从 17K到 112 K的极化 PL谱测量并未发现价带中 Г4 和 Г5,6子带的分裂 .推测在 Al Ga In P中 ,由晶格有序的超晶格效应引起晶体导带从 L点到布里渊区的Г点的折叠效应 .在温度大于 55K时 ,导带的载流子获得足够的能量从Г带跃迁到 L带 ,而导致了 PL谱的温度反常行为 .; 吕毅军高玉琳郑健生; 关键词：四元合金光学性质 PLE

GaP和GaAs_(1-x)P_x中N束缚激子压力行为的理论计算被引量：2: 1991年; 本文在Koster-Slater单带位势近似下对GaP和GaAs_(1-x)P_x中N等电子中心束缚激子的压力行为与能带结构的关系进行讨论与分析,得到杂质态压力系数的一个近似的解析表达式,并对N和NN_i中心能级的压力关系进行计算。同时,给出NN_i中心配位的一组新的指认。; 张勇郑健生吴伯僖; 关键词：GAP 束缚激子激子

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郑健生