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金兰香

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：永济电机厂更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇整流
  • 2篇整流管
  • 2篇整流器
  • 2篇特性试验
  • 2篇伏-安特性
  • 2篇伏安
  • 2篇伏安特性试验
  • 1篇导电性
  • 1篇体物
  • 1篇晶闸管
  • 1篇扩散
  • 1篇高压晶闸管
  • 1篇固体物理
  • 1篇硅半导体
  • 1篇硅半导体器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇铝
  • 1篇镓
  • 1篇P

机构

  • 4篇永济电机厂
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 4篇金兰香
  • 1篇翟保定
  • 1篇徐传骧
  • 1篇李仰平
  • 1篇崔秀芳

传媒

  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 1篇2003
  • 2篇1993
  • 1篇1990
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
P^+掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响被引量：1
1993年
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P^+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10^(18)个/cm^3,与原始表面浓度无明显关系;用P^+取代P^+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.
徐传骧李仰平崔秀芳金兰香翟保定
关键词：半导体器件导电性
ZP800-30整流管正向特性的改善实验
金兰香
关键词：整流器伏-安特性伏安特性试验
开管镓铝扩散工艺在３０００Ｖ高压晶闸管生产中的应用研究
金兰香张红卫
关键词：晶闸管扩散镓铝
ZP800-30整流管正向特性的改善实验
金兰香
关键词：整流器伏-安特性伏安特性试验
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