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闫景东

作品数：38 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 38篇石墨
  • 38篇石墨烯
  • 20篇衬底
  • 15篇退火
  • 10篇电学
  • 9篇CVD
  • 8篇电学特性
  • 7篇退火温度
  • 7篇高温退火
  • 6篇淀积
  • 6篇半导体
  • 5篇化合物半导体
  • 4篇有效面积
  • 4篇圆片
  • 4篇气相沉积
  • 4篇热退火
  • 4篇金属薄膜
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇化学气相

机构

  • 38篇西安电子科技...

作者

  • 38篇闫景东
  • 37篇张进成
  • 37篇王东
  • 37篇柴正
  • 37篇郝跃
  • 36篇宁静
  • 1篇张春福
  • 1篇史永贵

年份

  • 7篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
  • 17篇2013
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法
本发明属于半导体制备技术领域，提供了一种微纳尺度石墨烯自组装生长的方法，该方法在衬底上利用电子束蒸发形成过渡族金属薄膜，通过控制电子束蒸发过渡族金属的流量、温度、压强、时间因素以控制过渡族金属薄膜的厚度，利用金属薄膜的表...
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一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法及制造的器件
本发明公开了一种基于AlN衬底的石墨烯转移退火方法，利用湿法转移法将大面积单层石墨烯转移至AlN衬底上，并采用低压低温气氛退火的方式，针对AlN衬底，通过优化气氛条件，调节退火温度和退火处理的时间，去除转移过程中的PMM...
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一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺及制作的器件
本发明公开了一种GaN衬底转移石墨烯的退火工艺，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时，高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，接触均匀性大大提高，为...
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基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法
本发明公开了一种基于GaN衬底CVD外延生长石墨烯的化学腐蚀转移方法，主要解决现有技术对石墨烯转移耗时，铜衬底浪费的问题。其实现步骤是：（1）将a面碳化硅置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室，通入镓源与氨气，生长a...
王东闫景东宁静韩砀柴正张进成郝跃
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基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于GaN衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用III-V族化合物半导体GaN作为衬底，通过对GaN衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，实现了石墨烯生长的最优化，在GaN上面直接生长石墨烯...
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一种旁栅石墨烯场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于化学气相沉积石墨烯的旁栅石墨烯场效应晶体管结构的制备方法，将铜箔放入反应室中，反应室抽真空，对铜箔进行热退火；通过化学气象淀积CVD生长石墨烯；石墨烯转移至高k衬底；利用光刻机曝光源漏以及旁栅位置；利...
闫景东王东宁静柴正韩砀张进成郝跃
基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于SiC衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用半导体SiC作为衬底，通过对SiC衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在SiC上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过...
王东宁静韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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基于蓝宝石衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法及制造的器件
本发明公开了一种基于蓝宝石衬底的石墨烯CVD直接外延生长方法，采用蓝宝石作为衬底，通过对蓝宝石衬底进行合理的预处理，调节生长压力，流量以及温度，在蓝宝石上面直接生长石墨烯，无需金属作为催化剂，生长的石墨烯无需转移过程，便...
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一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺及制做的器件
本发明公开了一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺，采用高温退火的方式，修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷，进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时，高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善，建立预期的衬底影响，在...
王东宁静韩砀闫景东柴正张进成郝跃
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用于生长石墨烯的MOCVD反应室
本发明公开了一种用于生长石墨烯的MOCVD反应室，主要解决现有外延技术制备效率低、晶体质量差和有效面积小的问题。它包括源入口(1)，顶板(2)，吹扫气流(3)，倒置塔状喷淋头(4)，石英管(5)，凹槽石墨基座(7)，电阻...
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