陈思敏
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
- 基于扩散/外延技术高压大功率NPN开关晶体管技术研究
- 目前,制造高压N-/N+材料有三种方法：硅-硅键合技术、扩散减簿技术和外延技术。本文用扩散减簿技术和外延技术研制出了适于400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（GiantTransistor,简称GTR）的材料。...
- 陈思敏刘道广周伟松王均平黄新张斌王培清
- 关键词：大功率晶体管开关晶体管电参数测试
- 文献传递
- 基于微电子技术的高压大功率NPN开关晶体管技术研究
- 本文基于微电子技术开发研制出了400V/500A的大功率晶体管又名巨型晶体管（Giant Transistor,简称GTR）。通过电参数测试：VceR≥400V,Vebo≥8V,在Ib=10A条件下测试,Ic最大达到17...
- 刘道广陈思敏周伟松王均平黄新张斌王培清
- 关键词：微电子技术大功率晶体管开关晶体管电参数测试
- 文献传递
- 150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
- 本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS 器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试，获得导通电阻小于 13 毫欧，VDS大于150V，ID大于150A的好结果。
- 刘道广王均平黄新陈思敏周伟松张斌王培清
- 关键词：导通电阻电力电子器件绝缘栅双极晶体管VDMOS器件
- 文献传递
- 快恢复二极管设计原理综述被引量：4
- 2008年
- 本文介绍了快恢复二极管反向恢复特性及机理分析,介绍了提高反向恢复速度及其软度的少子寿命控制方法及结构设计方法和原理,以及典型的设计实例。
- 张斌黄新陈思敏
- 关键词：二极管反向恢复
- 150A/150V低导通电阻VDMOS器件的研究
- 本文详细介绍了150A/150V低导通电阻大功率VDMOS器件的设计、工艺制造及封装的关键技术。通过对研制样品进行全参数的测试,获得导通电阻小于13毫欧,V大于150V,I大于150A的好结果。
- 刘道广王均平黄新陈思敏周伟松张斌王培清
- 文献传递
