陈琨
- 作品数:11 被引量:107H指数:3
- 供职机构:华南师范大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域:理学电子电信文化科学语言文字更多>>
- AlN薄膜材料性质及器件的研究进展
- AlN具有优异介电性、压电性,是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了AlN薄膜材料的特性、薄膜制备、器件应用与最新进展。
- 张丽敏范广涵陈琨丁少锋
- 关键词:宽禁带半导体电子元器件
- 文献传递
- N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算被引量:40
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.
- 陈琨范广涵章勇丁少锋
- 关键词:密度泛函理论第一性原理
- 远程教育协作学习活动的设计研究
- 远程教育中教与学分离的本质特征,决定了远程教育实践的关键是实现教与学的再度整合。然而在远程教育课程中存在师生、生生交互不及时,远程学习者对远程学习机构缺乏归属感、孤独感等问题,如何促进学习者积极地交互进而实现教与学有效整...
- 陈琨
- 关键词:协作学习活动远程教育网络精品课程
- p-型ZnO第一性原理计算
- ZnO基半导体在蓝光和紫外光发射、高密度存储、气敏传感器、表面声波器件、太阳能电池、显示器件、压电器件、高温微电子器件、光电子器件等方面显示出广阔的应用前景,使其成为继GaN之后光电研究领域又一热门的研究课题。目前,尽管...
- 陈琨
- 关键词:密度泛函理论第一性原理
- 文献传递
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是P型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺...
- 陈琨范广涵丁少锋张丽敏
- 关键词:氧化锌薄膜P型掺杂
- 文献传递
- InN材料及器件的最新研究进展被引量:2
- 2007年
- InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
- 关键词:INN
- Be_xZn_(1-x)O合金和Mg掺杂Be_xZn_(1-x)O合金特性的理论研究
- 2007年
- 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性。计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard’s law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小。BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料。
- 丁少锋范广涵李述体陈琨肖冰
- 关键词:第一性原理
- 2D与3D虚拟学习环境的学习效果比较分析
- 虚拟学习环境的快速发展,使越来越多的学习环境建设者和教师选择3D环境.文章通过文献调研和案例分析进行2D与3D虚拟学习环境学习效果比较,得出它们在情境、导航、交互、技术要求、学习支持、适于学习类型六个方面的学习效果表现,...
- 陈琨
- 关键词:虚拟学习环境
- Mn掺杂ZnO光学特性的第一性原理计算被引量:34
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO及不同量Mn掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布的影响.计算结果表明,随着Mn掺杂含量的增加,ZnO禁带宽度相应增加并且对紫外吸收区的光吸收能力也随之增强.
- 陈琨范广涵章勇
- 关键词:第一性原理
- In-N共掺杂ZnO第一性原理计算被引量:41
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO,N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂和In-N共掺杂ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子对In-N共掺杂ZnO的影响.计算结果表明:N掺杂ZnO在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近.而加入激活施主In的In-N共掺杂ZnO,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级.同时,受主能级带变宽、非局域化特征明显、提高了掺杂浓度和系统的稳定性.文章的结论与实验结果相符,从而为实验上,In的掺入有助于实现ZnO的p型掺杂提供了理论支持.文中还指出H原子的存在会大大降低掺杂效率,对p型掺杂产生不利影响,应该在反应中尽量避免.
- 陈琨范广涵章勇丁少锋
- 关键词:第一性原理