您的位置： 专家智库 > >

陈茜

作品数：69 被引量：146H指数：8
供职机构：贵州大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金贵州省优秀科技教育人才省长资金项目更多>>
相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇期刊文章
  • 24篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 22篇理学
  • 8篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇电气工程
  • 3篇政治法律
  • 3篇文化科学
  • 2篇机械工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 21篇第一性原理
  • 20篇光学
  • 19篇电子结构
  • 19篇子结构
  • 18篇光学性
  • 18篇光学性质
  • 14篇半导体
  • 11篇第一性原理计...
  • 9篇溅射
  • 9篇MG2SI
  • 8篇半导体材料
  • 7篇掺杂
  • 7篇磁控
  • 7篇磁控溅射
  • 6篇导体
  • 6篇退火
  • 6篇热蒸发
  • 6篇半导体薄膜
  • 6篇衬底
  • 4篇真空

机构

  • 69篇贵州大学
  • 6篇安顺学院
  • 1篇南加州大学
  • 1篇长安大学
  • 1篇铜仁学院
  • 1篇中国科学院北...
  • 1篇格林威治大学

作者

  • 69篇陈茜
  • 54篇谢泉
  • 32篇肖清泉
  • 26篇张晋敏
  • 18篇廖杨芳
  • 14篇范梦慧
  • 14篇黄晋
  • 14篇谢晶
  • 11篇梁枫
  • 9篇章竞予
  • 8篇赵凤娟
  • 7篇崔冬萌
  • 7篇李旭珍
  • 7篇房迪
  • 6篇闫万珺
  • 5篇周士芸
  • 5篇高冉
  • 5篇杨云良
  • 5篇刘小军
  • 4篇刘栋

传媒

  • 5篇贵州大学学报...
  • 5篇中国科学（G...
  • 4篇功能材料
  • 3篇物理学报
  • 3篇光学学报
  • 2篇科学通报
  • 2篇教育文化论坛
  • 1篇光谱实验室
  • 1篇中国机械工程
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子制作
  • 1篇系统仿真学报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇计算机辅助工...
  • 1篇电子设计应用

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 11篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2010
  • 10篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
共 69 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究
2012年
采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴极空间电荷主导的放电模式过渡到阳极空间电荷主导的放电模式.在过渡状态,对应的工作气压与磁通密度分别为0.67 Pa和0.05 T;随着工作气压的增大,放电电流先增大后趋向平衡,当工作气压超过2.5 Pa时,电流开始随工作气压的增大而减小;而阴极电压增大时,放电电流近似线性增加.
沈向前谢泉肖清泉陈茜丰云
关键词：磁控溅射辉光放电计算机模拟
基于MATLAB的ΣΔADC系统设计及仿真被引量：6
2008年
介绍了基于MATLAB/SIMULINK的ΣΔADC的行为级建模与仿真方法,通过该方法有效确定了系统结构及相关模块参数,然后在Cadence环境下对ΣΔ调制器进行了电路级验证。研究结果表明该方法是有效、可靠的,并且可以重复修改系统结构及相关参数,得到不同结构及参数对系统的影响。
陈茜王锦荣傅兴华
关键词：MATLABEA调制器数字滤波器系统设计仿真
Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4
2013年
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜
关键词：半导体薄膜MG2SI磁控溅射
一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法
本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β...
谢泉范梦慧艾学正王凯杨云飞张晋敏肖清泉廖杨芳谢晶黄晋马瑞陈茜
文献传递
n-Mg_2Si/p-Si异质结太阳电池的模拟及分析
2017年
运用AMPS-1D软件对n-Mg_2Si/p-Si异质结太阳电池进行模拟,依次讨论了Mg_2Si层厚度、掺杂浓度和温度对电池性能的影响。结果表明:随着Mg_2Si层厚度的增加,短路电流和转换效率均有较大提高;开路电压也略有升高。随着温度升高,短路电流逐渐升高,转换效率、开路电压及填充因子均不断降低。室温下,Mg_2Si层轻掺杂时的掺杂浓度在5×10^(19)cm^(-3)处,转换效率达到最大值5.518%。而同样条件下Mg_2Si层重掺杂时的转换效率更高,当掺杂浓度达到10^(21)cm^(-3)后,转换效率最大值为11.508%,填充因子最大值为0.868。
马新宇陈茜陈庆陈侃谢泉肖清泉
关键词：MG2SI太阳电池
V掺杂CrSi2能带结构的第1性原理计算被引量：6
2009年
采用基于第1性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法和广义梯度近似,计算了V掺杂CrS i2体系的能带结构和态密度,计算结果表明,本体CrS i2是具有ΔEg=0.35 eV狭窄能隙的间接带隙半导体,其费米面附近的态密度主要由Cr的3d层电子和S i的3p层电子的态密度决定;V替代Cr掺杂后,费米能级进入价带,费米面插在价带的中间,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.25 eV;掺杂后费米面附近的电子能态密度则由Cr的3d层电子、V的3d层电子和S i的3p层电子的态密度共同决定,掺杂后V原子成为受主,在价带顶附近贡献了一定数量的空穴,使掺杂后CrS i2的导电类型变为p型,提高了材料的电导率.
周士芸谢泉闫万珺陈茜
关键词：半导体材料掺杂
电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查被引量：1
2009年
本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。
谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍
关键词：电子科学与技术专业百分比
一种新型热蒸发镀膜器及其使用方法
本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器，其特征在于：圆台式垂直筒（304）下端连接支架（309），放置于镀膜器底盘上，圆台式垂直筒（304）下口直径大于挡板（305）直径及钨舟（307）的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进...
谢泉吴宏仙张晋敏廖杨芳房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉陈茜
文献传递
基于MSC Marc的空气弹簧垂向特性有限元分析被引量：5
2006年
介绍不同类型的空气弹簧结构型式,利用有限元软件MSCMarc建立空气弹簧的有限元模型,并对其进行垂向特性的分析和计算.最后得出空气弹簧垂向刚度非线性特性的确切描述,并分析传统的弹簧与空气弹簧自振频率随载荷变化的特性.
杨贵春何锋陈茜陈松杨升
关键词：空气弹簧MSCMARC垂向特性刚度
一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺
本发明公开了一种单一相Mg<Sub>2</Sub>Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸...
谢泉肖清泉余宏陈茜张晋敏
全选 清除 导出
共7页<1234567>
聚类工具0