高文智
- 作品数：12 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaAs／GaAlAs低阈值垂直腔面发射激光器被引量：4
- 1994年
- 通过对增益波导型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ垂直腔面发射激光器的材料生长和工艺制作的研究，实现了在室温下的脉冲激射。其激射阈值电流低达１０ｍＡ，输出光功率不低于０．３ｍｗ，有的可达０．７ｍｗ以上，器件单横模、单纵模工作，线宽小于４人。
- 林世鸣吴荣汉黄永箴潘钟高洪海王启明段海龙高文智罗丽萍王立轩
- 关键词：垂直腔面发射激光器分子束外延
- 低阈值InGaAsP/InP PBH双稳激光器被引量：4
- 1992年
- 一种平面掩埋异质结构(PBH)InGaAsP/InP双区共腔双稳激光器业已研制成功.器件具有良好可控的光学双稳特性.激射波长1.3μm.直流L/I特性显示典型的迴滞曲线.导通阈电流的最低值为26mA,优于文献报道的最好值.在通态电流跨度内,器件以单纵模激射.数字光放大增益G≥30dB.导通时间τ_(on)<100ps,关断时间τ_(on)<1ns.
- 张权生吴荣汉林世鸣高洪海高文智吕卉韩勤段海龙杜云芦秀玲
- 关键词：双稳激光器INGAASP/INP
- 多量子阱非对称法布里珀罗光调制器的模式波长调整被引量：1
- 1998年
- 本文计算了不同折射率膜层下，非对称法布里珀罗腔模式波长随膜层厚度的变化．分析了在膜层折射率较低时，模式波长随层厚的增加反而减小的机理，并在实验中研究这种现象．利用湿法腐蚀的方法移动模式波长，补偿由生长误差引入的模式波长偏差，从而做到模式波长可控，获得高消光比的器件．同时利用湿法腐蚀方法将模式波长调整到不同位置。
- 吴荣汉陈志标陈弘达高文智赵军
- 关键词：多量子阱半导体光电器件
- GaAs／GaAlAs多量子阱CCTS结构双稳态激光器的实验研究
- 1995年
- 本文报道了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阱（ＭＱＷ）双区共腔（ＣＣＴＳ）结构的双稳态激光器．该器件利用多次离子注入形成电隔离很好的双电极结构，吸收区上加上一定反偏电压时得到了双稳特性，观察到了器件工作于双稳态时对光谱边模的显著抑制．
- 熊飞克高文智吴荣汉王启明
- 关键词：多量子阱砷化镓镓铝砷
- GaAs/AlGaAs多量子阱FET-SEED灵巧象元
- 1998年
- 将GaAs／AlGaAs多量子阱光探测器、光调制器与GaAs场效应晶体管（FET）混合集成,构成FET-SEED灵巧象元。光探测器和光调制器均为反射型自电光效应器件（SEED）,光源为骨子阱半导体激光器。测出的光输出Pout／光输入Pin特性表明,光输入信号对光输出信号有明显的调制作用,光输入信号较小的变化可以导致光输出信号较大的变化。
- 陈弘达郭维廉吴荣汉陈志标高文智
- 关键词：多量子阱砷化镓
- 非对称法布里－伯罗腔光调制特性分析及高对比度GaAs／AlGaAs调制器被引量：5
- 1996年
- 本文分析了非对称法布里－伯罗腔（ＡＳＦＰ）调制特性，得出了反射率为零的条件．设计生长了常通和常关两种高对比度反射式调制器件，测量了它们的电调制反射谱，理论与实验比较符合．
- 陈志标高文智陈弘达吴荣汉
- 关键词：调制器砷化镓ALGAAS
- GaAs／GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件被引量：2
- 1995年
- 采用分子束外延技术生长含有大周期数的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ多量子阶（ＭＱＷ）及分布布喇格反射器（ＤＢＲ）的ＰＩＮ结构器件。研究了量子限制斯塔克效应（ＱＣＳＥ），分布布喇格反射及非对称腔模（ＡＳＦＰ）效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器，其两态衬比度可达１０ｄＢ。所研制的ＳＥＥＤ器件，其导通光能耗低于１０ｆＪ／（μｍ）￣２，实现其光学双稳态及Ｒ－Ｓ光触发器工作。
- 吴荣汉高文智赵军段海龙林世鸣钟战天黄永箴王启明
- 关键词：多量子阱光调制器SEED砷化镓
- InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的H^+轰击掩膜研究
- 1993年
- 在InP H^+轰击工艺研究基础上,开发出一种对中等轰击能量(E≤250keV)的H^+具有满意掩蔽能力的掩膜──Au/Zn/Au/AZ 1350J复合膜,并首次解决了条宽窄至5μm的Au/Zn/Au/AZ 135J断条状掩膜的制备技术,在InGaAsP/InP PBH双区共腔双稳激光器的制备中获得了成功应用。
- 张权生吕卉杜云马朝华吴荣汉高洪海高文智芦秀玲
- 关键词：半导体激光器INGAASP/INP
- 光互连用8×8多量子阱空间光调制器被引量：2
- 1998年
- 制作了光互连用８×８多量子阱空间光调制器，测量了其耐压特性、模式均匀性、对比度和插入损耗等。使用Ｄａｍｍａｎｎ光栅分束器将半导体激光束分成等光强的６４路并将其照射到多量子阱空间光调制器上。
- 吴荣汉陈志标陈志标高文智陈弘达万安君高文智曹明翠
- 关键词：空间光调制器光互连半导体激光器
- 多量子阱空间光调制器二维列阵被引量：4
- 1997年
- 用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．
- 陈弘达吴荣汉高文智陈志标杜云
- 关键词：多量子阱空间光调制器
