任伟
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 退火时间对磁控溅射Al/PbTe薄膜结构及性能的影响
- 2011年
- 采用RF磁控溅射法制备了Al/PbTe薄膜,并在真空电阻炉中对薄膜进行退火处理,研究了退火时间对Al/PbTe薄膜的表面形貌、物相组成、透射率和电阻率的影响。结果表明:所制备的Al/PbTe薄膜具有明显的〈100〉方向择优取向;随着退火时间的延长,薄膜的PbTe(200)衍射峰强度明显下降,并且出现了PbTe(111)衍射峰;退火后Al/PbTe薄膜表面出现了花状聚集,且随着退火时间的延长,花状聚集越来越密集和均匀;退火后Al/PbTe薄膜的吸收带向短波方向发生了少许偏移,随着退火时间的延长薄膜的透射率和电阻率都呈现先减小后增大的趋势。
- 卢慧粉曹文田王书运任伟庄浩
- 关键词：退火时间透射率电阻率
- 射频磁控溅射法制备碲化铅薄膜的X射线衍射分析
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法,在单面抛光的Si(111)衬底上制备了PbTe薄膜,利用X射线衍射法分析了溅射工艺参数如溅射功率、溅射时间、衬底温度以及退火温度对PbTe薄膜的结晶质量的影响。结果表明:在溅射功率为30W,溅射时间为10 min,衬底未加热时制备的薄膜具有最好的〈100〉方向的择优取向性;退火处理可以改善薄膜的结晶质量,并且退火温度越高,薄膜的结晶质量越好。
- 隋明晓曹文田王书运任伟
- 关键词：XRD射频磁控溅射
- RF磁控溅射法制备PbTe纳米薄膜被引量：1
- 2010年
- 利用RF磁控溅射和真空退火方法制备了PbTe纳米薄膜．利用SEM、XRD、AFM和FTIR分别对制备的样品的表面形貌和颗粒大小、结构以及带隙宽度进行了测试．结果显示，在10W溅射功率下制备的PbTe纳米薄膜为纳米颗粒镶嵌薄膜，在20W功率下为PbTe颗粒膜．10W制备的纳米颗粒的平均直径为40nm左右，平均高度为5nm；20W制备的颗粒直径为100—400nm，平均高度为65nm；两个条件下制备的样品均表现出明显的〈100〉方向的择优取向性，并且20W的结晶质量比10W的好．FTIR分析显示10W和20W制备的薄膜的带隙宽度分别为0．340eV和0．343eV，都比块体带隙宽度大．
- 任伟曹文田隋明晓
- 关键词：PBTE退火
