何玉平
- 作品数：9 被引量：78H指数：5
- 供职机构：安徽大学物理与材料科学学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金安徽省教育厅科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Si基片上Ag膜的微结构及光学常数研究被引量：7
- 2002年
- 用真空蒸镀法在室温Si基片上制备了Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明 :制备的Ag膜晶体仍为面心立方结构 ,呈多晶状态 ,晶粒择优取向于 [111],平均晶粒尺寸约为 2 2 7nm ,晶格常数 ( 0 4 0 860nm)比标准值 ( 0 4 0 862nm)略小。在 2 5 0～ 83 0nm波长范围椭偏光谱测量结果表明 :Ag膜的折射率和消光系数分别在 0 15～ 1 4 9和 0 3 1～ 5 77之间。与块材相比 ,在块材的折射率大于一定值 ( 1 0 0～ 1 3 3 )时 ,Ag膜的折射率比块材的小 ,其余范围则增大 ;Ag膜的消光系数减小。并给出了一套较为可靠的、具有实用价值的Ag薄膜光学常数。
- 何玉平孙兆奇李爱侠赵宗彦孙大明
- 关键词：微结构光学常数椭偏光谱硅基片银薄膜真空蒸镀
- 射频磁控溅射的不同厚度MgF_2薄膜的微结构和应力特性被引量：3
- 2004年
- 用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7～1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2nm逐渐增大到14.5nm。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在=30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgF2薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。
- 孙兆奇吕建国何玉平宋学萍
- 关键词：射频磁控溅射微结构
- 用精铁矿粉制备功率软磁MnZn 铁氧体的初步研究被引量：4
- 2001年
- 用精铁矿粉代替氧化铁研制了不同配方的高饱和磁感应强度Bs、低功耗的软磁性MnZn铁氧体。通过测试和分析 μi、Bs、Ps、Tc、fr等特性 ,得出用廉价的精铁矿粉和Mn3O4制得的样品性能最佳 。
- 何玉平胡国光尹萍
- 关键词：铁氧体精铁矿粉磁性能
- Cu-MgF_2复合纳米金属陶瓷薄膜的电导特性研究被引量：12
- 2003年
- 用射频磁控共溅射法制备了Cu体积分数分别为 10 % ,15 % ,2 0 %和 3 0 %的Cu MgF2 复合金属陶瓷薄膜 .用x射线衍射、x射线光电子能谱和变温四引线技术对薄膜的微结构、组分及电导特性进行了测试分析 .微结构分析表明 :制备的Cu MgF2 复合薄膜由fcc Cu晶态纳米微粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2 陶瓷基体中构成 ,Cu晶粒的平均晶粒尺寸随组分增加从 11 9nm增至 17 8nm .5 0— 3 0 0K温度范围内的电导测试结果表明 :当Cu体积分数qM 由 15 %增加到 2 0 %时 ,Cu MgF2 复合薄膜的电阻减小了 8个量级 ,得出制备的复合薄膜渗透阈qCM 应处于 15 %和 2 0 %之间 .qM 在 10 %和 15 %之间的薄膜呈介质导电状态 ,而在 2 0 %和 3 0 %之间的薄膜则呈金属导电状态 .从理论上讨论了复合薄膜中杂质电导和本征电导的激活能及其对电导的贡献 ,并讨论了Cu MgF2 复合纳米金属陶瓷薄膜的渗透阈 。
- 孙兆奇何玉平宋学萍孙大明
- 关键词：微结构激活能复合材料
- BaMnZnCoTi-W型铁氧体微波吸收剂的制备和特性研究被引量：8
- 2002年
- 对用Ｃｏ２＋、Ｔｉ４＋部分置换Ｆｅ３＋的Ｂａ（ＭｎＺｎ）ａＣｏｂＦｅ１６－ｙＣｏ２＋０．５ｙＴｉ４＋０．５ｙＯ２７－Ｗ型平面六角晶系微波铁氧体吸收剂的制备和特性进行了研究，并对其复介电常数的实部ε′和虚部ε″、磁导率的实部μ′和虚部μ″、损耗随微波频率、Ｃｏ２＋、Ｔｉ４＋含量、涂层厚度的变化作了测试和分析，发现当ｙ＝１．０时铁氧体的吸收性能最佳，其最佳厚度为１．４０ｍｍ，吸收衰减最大达２７．５ｄＢ。
- 何玉平胡国光姚学标尹萍
- 关键词：微波吸收剂介电常数磁导率损耗
- 退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响被引量：20
- 2002年
- 采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。
- 吴桂芳史守华何玉平王磊王磊孙兆奇
- 关键词：退火温度应力硅基片铜薄膜微电子技术
- Cu块材及Cu膜的光学常数研究被引量：5
- 2004年
- 用反射式动态椭圆偏振光谱技术对Cu块材、Cu薄膜及Cu厚膜的光学常数进行了测试分析。研究结果表明:与Roberts块材、Johnson厚膜数据相比,不同方法得到Cu的光学常数在谱线形状上基本相似,但在数值上存在一定差别;在波长为250～830nm范围内,Cu块材和膜的折射率n与消光系数k分别在0.1～1.5和1.5～5.0之间;随膜厚增加,n值增大,k值减小;厚膜的n、k值与块材的更为接近。同时讨论了光学常数与微结构的关系。
- 孙兆奇蔡琪何玉平宋学萍
- 关键词：光学常数椭偏光谱微结构光子器件
- 不同厚度溅射Ag膜的微结构及光学常数研究被引量：24
- 2002年
- 用直流溅射法在室温Si基片上制备了 4 .9nm～ 189.0nm范围内不同厚度的Ag薄膜 ,并用X射线衍射及反射式椭偏光谱技术对薄膜的微结构和光学常数进行了测试分析。结构分析表明 :制备的Ag膜均呈多晶状态 ,晶体结构仍为面心立方 ;随膜厚增加薄膜的平均晶粒尺寸由 6 .3nm逐渐增大到 14 .5nm ;薄膜晶格常数均比标准值(0 .4 0 86 2nm)稍小 ,随膜厚增加 ,薄膜晶格常数由 0 .4 0 5 85nm增大到 0 .4 0 779nm。 2 5 0nm～ 830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明 :与Johnson的厚Ag膜数据相比 ,我们制备的Ag薄膜光学折射率n总体上均增大 ,消光系数k变化复杂 ;在厚度为 4 .9nm～ 83.7nm范围内 ,实验薄膜的光学常数与Johnson数据差别很大 ,厚度小于 33.3nm的实验薄膜k谱线中出现吸收峰 ,峰位由 4 6 0nm红移至 6 90nm处 ,且其对应的峰宽逐渐宽化 ;当膜厚达到约189nm时 ,实验薄膜与Johnson光学常数数据已基本趋于一致。
- 何玉平吴桂芳李爱侠孙兆奇
- 关键词：微结构光学常数椭偏光谱薄膜厚度银薄膜
- Si基片上射频磁控溅射MgF_2薄膜的光学常数研究被引量：3
- 2003年
- 用射频磁控溅射技术在室温Si基片上制备了厚度分别为25.0nm和60.7nm的MgF2薄膜样品,并用反射式椭偏光谱技术对薄膜的光学常数进行了测试分析。250～830nm光频范围椭偏光谱测量结果表明:随着膜厚增加,MgF2薄膜的光学常数n、k的变化范围减小,平均值增大;MgF2薄膜样品的吸收曲线k在波长λ为270nm和360nm处均出现由通过辐射产生的F心引起的吸收峰。
- 史守华何玉平宋学萍孙兆奇
- 关键词：射频磁控溅射光学常数椭偏光谱
