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刘可辛

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:山东大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇清洗剂
  • 2篇电压
  • 2篇电压值
  • 2篇电子工业
  • 2篇栅压
  • 2篇正品
  • 2篇无损伤
  • 2篇例行试验
  • 2篇灭菌
  • 2篇灭菌处理
  • 2篇晶体管
  • 2篇工作温度
  • 2篇C-V测量
  • 2篇MOS场效应...
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 2篇超纯
  • 1篇电子清洗
  • 1篇电阻
  • 1篇清洗工艺

机构

  • 7篇山东大学

作者

  • 7篇刘可辛
  • 4篇罗升旭
  • 3篇于新好
  • 2篇苗庆海
  • 2篇郑中山
  • 2篇马洪磊
  • 2篇杜信荣
  • 1篇计峰
  • 1篇曹宝成
  • 1篇李玉香
  • 1篇宗福建

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1994
  • 1篇1991
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 1篇1987
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
MOS场效应晶体管的一种筛选方法。本方法是将MOS场效应晶体管的源极和漏极短路、栅极和源极之间施加直流偏压,置于高温环境中进行老化。比较老化前后的阈电压值可判知MOS场效应晶体管的稳定性和可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠...
苗庆海刘可辛
文献传递
MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线
1989年
本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。
刘可辛罗升旭郑中山王继春王子建
关键词:MOS结构准静态C-V测量
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法,属于化学产品制备技术领域。本发明清洗剂一套两个型号I和II,选用中性表面活性剂,添加适量助剂,与超纯去离子水配成均匀透明的液体,复配温度50-90℃,pH值为6.4-8.5,经灭菌处...
罗升旭马洪磊刘可辛申英魁于新好
文献传递
MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
MOS场效应晶体管的一种无损伤筛选方法。本方法将MOS晶体管置于高温环境中加以高栅压进行试验。比较试验前后的阈电压值可判知MOS管的可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠性差的管子,而对优质正品管无损伤。具有参数反映灵敏、试验...
苗庆海刘可辛
文献传递
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法,属于化学清洗技术领域。本发明清洗剂一套两个型号I和II,选用中性表面活性剂,添加适量助剂,与超纯去离子水配成均匀透明的液体,复配温度50-90℃,PH值为6.4-8.5,经灭菌处理,...
罗升旭马洪垒刘可辛申英魁于新好杜信荣曹宝成
文献传递
有限介质绝缘电阻对C-V测量的影响被引量:2
1989年
本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容值只有100pF左右,所产生的位移电流为10(-9)~10(-14)A范围,介质层有限电阻产生的漏电流对测量准确性影响很大。因此,在存在漏电流的情况下,必须从测得的数值中扣除漏电流,才能进行界面态密度的计算。
刘可辛罗升旭郑中山杜刚路大勇王子建
关键词:绝缘电阻
新型电子清洗剂DZ-4与清洗工艺
宗福建马洪磊杜信荣李玉香计峰于新好刘可辛赵丽丽等
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:新型电子清洗剂DZ-4及清洗工艺主要用于清洗半导体硅片上的黑蜡、松香和石蜡混合物。传统的半导体清洗工艺通常使用苯、甲苯、三氯乙烯、二氯甲烷等有机溶剂清洗黑蜡以及松香和石蜡混合物,...
关键词:
关键词:化学净化
共1页<1>
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