2024年12月27日
星期五
|
欢迎来到海南省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
刘可辛
作品数:
7
被引量:2
H指数:1
供职机构:
山东大学
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
罗升旭
山东大学
于新好
山东大学
郑中山
山东大学
杜信荣
山东大学
马洪磊
山东大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
4篇
专利
2篇
期刊文章
1篇
科技成果
领域
3篇
电子电信
主题
3篇
清洗剂
2篇
电压
2篇
电压值
2篇
电子工业
2篇
栅压
2篇
正品
2篇
无损伤
2篇
例行试验
2篇
灭菌
2篇
灭菌处理
2篇
晶体管
2篇
工作温度
2篇
C-V测量
2篇
MOS场效应...
2篇
场效应
2篇
场效应晶体管
2篇
超纯
1篇
电子清洗
1篇
电阻
1篇
清洗工艺
机构
7篇
山东大学
作者
7篇
刘可辛
4篇
罗升旭
3篇
于新好
2篇
苗庆海
2篇
郑中山
2篇
马洪磊
2篇
杜信荣
1篇
计峰
1篇
曹宝成
1篇
李玉香
1篇
宗福建
传媒
2篇
微电子学
年份
1篇
2005
1篇
1994
1篇
1991
2篇
1989
1篇
1988
1篇
1987
共
7
条 记 录,以下是 1-7
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
MOS场效应晶体管的一种筛选方法。本方法是将MOS场效应晶体管的源极和漏极短路、栅极和源极之间施加直流偏压,置于高温环境中进行老化。比较老化前后的阈电压值可判知MOS场效应晶体管的稳定性和可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠...
苗庆海
刘可辛
文献传递
MOS结构准静态测试中的异常C-V曲线
1989年
本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。
刘可辛
罗升旭
郑中山
王继春
王子建
关键词:
MOS结构
准静态
C-V测量
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法,属于化学产品制备技术领域。本发明清洗剂一套两个型号I和II,选用中性表面活性剂,添加适量助剂,与超纯去离子水配成均匀透明的液体,复配温度50-90℃,pH值为6.4-8.5,经灭菌处...
罗升旭
马洪磊
刘可辛
申英魁
于新好
文献传递
MOS场效应晶体管的栅压温度筛选方法
MOS场效应晶体管的一种无损伤筛选方法。本方法将MOS晶体管置于高温环境中加以高栅压进行试验。比较试验前后的阈电压值可判知MOS管的可靠性。易于剔除性能不稳定、可靠性差的管子,而对优质正品管无损伤。具有参数反映灵敏、试验...
苗庆海
刘可辛
文献传递
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法
一种用于电子工业的清洗剂及其制备方法,属于化学清洗技术领域。本发明清洗剂一套两个型号I和II,选用中性表面活性剂,添加适量助剂,与超纯去离子水配成均匀透明的液体,复配温度50-90℃,PH值为6.4-8.5,经灭菌处理,...
罗升旭
马洪垒
刘可辛
申英魁
于新好
杜信荣
曹宝成
文献传递
有限介质绝缘电阻对C-V测量的影响
被引量:2
1989年
本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容值只有100pF左右,所产生的位移电流为10(-9)~10(-14)A范围,介质层有限电阻产生的漏电流对测量准确性影响很大。因此,在存在漏电流的情况下,必须从测得的数值中扣除漏电流,才能进行界面态密度的计算。
刘可辛
罗升旭
郑中山
杜刚
路大勇
王子建
关键词:
绝缘电阻
新型电子清洗剂DZ-4与清洗工艺
宗福建
马洪磊
杜信荣
李玉香
计峰
于新好
刘可辛
赵丽丽等
一、成果内容简介、关键技术、技术经济指标:新型电子清洗剂DZ-4及清洗工艺主要用于清洗半导体硅片上的黑蜡、松香和石蜡混合物。传统的半导体清洗工艺通常使用苯、甲苯、三氯乙烯、二氯甲烷等有机溶剂清洗黑蜡以及松香和石蜡混合物,...
关键词:
关键词:
化学净化
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张