刘岳巍
- 作品数：12 被引量：1H指数：1
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- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术建筑科学更多>>
- 基于DSP的非线性负载FFT锁相分离测量
- 介绍了基于DSP的公寓智能供电联网计量测控系统设计。详细阐述了采用锁相倍频与FFT从混合负载中分离计算非线性负载的算法,实现了线性负载和非线性负载的分类阈值识别,为校园防火规范控制奠定了基础。给出了系统硬件框图和软件组成...
- 高蒙石彦辉余志强刘岳巍
- 关键词：非线性负载锁相FFT
- 文献传递
- 一种海空广域自组织网络分簇方法
- 本发明涉及一种海空广域自组织网络分簇方法，所述网络包括若干个超视距范围分布的节点，所有节点首先获取自身的位置信息，并通过邻居发现获取全网节点的位置等信息；其次基于最近邻分类思想建立伪最近邻分类模型；然后利用伪最近邻分类对...
- 陶凯孙晓云郝绒华刘岳巍
- 13.7～14.5GHz内匹配型GaAs大功率器件
- 2007年
- 经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7~14.5GHz频段内,输出功率Po〉42dBm（15.8W）,功率增益Gp〉7dB,功率附加效率PAE〉35%,两管芯合成效率大于90%,其中在14.3GHz频率点,输出功率达到42.54dBm（17.9W）,增益7.54dB.
- 吴小帅杨瑞霞阎德立刘岳巍贾科进何大伟杨克武
- 关键词：内匹配HFET功率合成
- 一种海空广域自组织网络分簇方法
- 本发明涉及一种海空广域自组织网络分簇方法，所述网络包括若干个超视距范围分布的节点，所有节点首先获取自身的位置信息，并通过邻居发现获取全网节点的位置等信息；其次基于最近邻分类思想建立伪最近邻分类模型；然后利用伪最近邻分类对...
- 陶凯孙晓云郝绒华刘岳巍
- 文献传递
- GaN HEMT外延材料的欧姆接触及其在霍尔测试上的应用
- GaN和相关的Ⅲ-Ⅴ族氮化物已经在蓝光波段和紫外光波段得到了开发和应用,目前正向着高温大功率电子器件方向发展。在开发器件过程中,制备热稳定性强、接触电阻低、表面形貌良好的欧姆接触是关键工艺步骤之一。但是,GaN与其它Ⅲ-...
- 刘岳巍
- 关键词：欧姆接触比接触电阻
- 文献传递
- GaN HEMT外延材料欧姆接触的研究被引量：1
- 2006年
- 研究了Ti/Al/Ni/Au多层金属与GaNHEMT结构外延片的欧姆接触,发现接触特性与金属蒸发后的退火温度密切相关.在氮气氛中880℃条件下快速热退火30s,获得了为6.94×10-7·cm2的比接触电阻.光学显微镜观察表明,在这个条件下退火后金属层具有良好的表面形貌.
- 刘岳巍杨瑞霞武一宾陈昊
- 关键词：GANHEMT欧姆接触比接触电阻光学显微镜
- 基于局域网的公寓集中供电系统设计
- 介绍了学生公寓集中供电管理系统的网络结构,描述了一台上位微机与多台 DSP 之间数据通讯的实现方法。利用局域网实现了分布式供电的集中管理和控制,取得了优良的测量和控制效果。
- 高蒙石彦辉刘岳巍
- 关键词：局域网
- 文献传递
- InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制
- 2007年
- 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件.
- 高金环杨瑞霞武一宾刘岳巍商耀辉杨克武
- 关键词：共振隧穿二极管分子束外延INP衬底
- 基于DSP的非线性负载FFT锁相分离测量
- 本文介绍了基于DSP的公寓智能供电联网计量测控系统设计，详细阐述了采用锁相倍频与FFT从混合负载中分离计算非线性负载的算法,实现了线性负载和非线性负载的分类阈值识别,为校园防火规范控制奠定了基础，给出了系统硬件框图和软件...
- 高蒙石彦辉余志强刘岳巍
- 关键词：建筑供电智能电网锁相倍频
- 文献传递
- GaN外延材料测试技术的研究
- 2008年
- 分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试。发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触。用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法。
- 刘岳巍陈宏江高蒙张志国高金环闫德利杨勇
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管原子力显微镜
