刘玉峰
- 作品数：17 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Cu<Sub>2</Sub>CdSnSe<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法
- 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu<Sub>2</Sub>CdSnSe<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法，该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸镉、醋酸锡和硒粉加入反应烧瓶中，然后升高温度进行反应，最...
- 刘玉峰陈鑫葛美英吴杰孙艳戴宁
- 文献传递
- 碲镉汞量子点的离子交换能带调控及其近红外自吸收性质被引量：1
- 2022年
- 通过软化学方法制备单分散的CdTe量子点,调节Hg^(2+)的浓度离子交换实现从可见到近红外光谱准连续可调的碲镉汞(Hg_(x)Cd_(1-x)Te)量子点制备。深入分析了近红外Hg_(0.33)Cd_(0.67)Te量子点的变温光致发光及其自吸收特性,研究结果表明:碲镉汞量子点的荧光强度随着温度的升高(0∼100℃)呈线性降低趋势,谱线展宽,峰位发生红移(12 nm);量子点的吸收和发射光谱部分重叠导致自吸收效应随着量子点的浓度增加而增强,导致量子点荧光强度的降低。
- 房诗玉刘振宇金佳杰史继超房永征孙常鸿叶振华刘玉峰
- 关键词：离子交换近红外自吸收
- 胶体Cu_2CdSnS_4纳米晶的合成与其性质研究(英文)被引量：1
- 2012年
- 用简易的溶液化学方法合成了胶体Cu2CdSnS4纳米晶.透射电子显微镜(TEM),扫描电子显微镜(SEM),能谱(EDS),X射线衍射(XRD),X射线光电子谱(XPS)和UV-vis-NIR吸收光谱测试表明Cu2CdSnS4胶体纳米晶具有均一的尺寸分布和良好的结晶性,并具有四面体结构.纳米晶中Cu/Cd/Sn/S的化学计量比约为2.07:0.75:1.26:3.92,Cu、Cd、Sn和S四种元素的化学态分别为+1、+2、+4和-2价,与Cu2 CdSnS4分子式中的化学态一致.通过外推法估算Cu2CdSnS4纳米晶的禁带宽度为～1.3 eV.
- 刘玉峰葛美英罗海瀚孙艳吴杰戴宁
- 关键词：光伏材料太阳能电池
- TiO_2纳米管的制备及其在太阳能电池中的应用被引量：2
- 2011年
- TiO2纳米管具有大的比表面积和较强的电子传输能力等特点,同时由于具有强的光散射特性,当应用到太阳电池光阳极材料中,能提高光虏获能力,因此在太阳能电池材料中具有较大的发展潜力。采用阳极氧化法可制备具有高度垂直于衬底且可控性高的TiO2纳米管。论述了TiO2纳米管的制备工艺及其在光伏电池,特别是在染料、量子点敏化太阳能电池方面的应用。
- 黄婵燕陶俊超刘玉峰吴杰孙艳
- 关键词：TIO2纳米管阳极氧化法光阳极太阳能电池
- 碲镉汞薄膜表面钝化的研究进展被引量：2
- 2021年
- 赝二元体系碲镉汞(Mercury Cadmium Telluride,Hg_(x)Cd_(1-x)Te)材料具有优异的光电特性,是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。为了获得性能优异的Hg_(x)Cd_(1-x)Te探测器及其组件,目前已经发展了各种Hg_(x)Cd_(1-x)Te材料制备技术和器件制作工艺。但在各种材料制备及器件应用过程中,Hg_(x)Cd_(1-x)Te表面均会受到环境和不良表面效应的影响,所以需要采用先进的钝化工艺对其表面电荷态进行处理,改善材料表面的电学物理特性,从而实现器件探测性能的提升。因此,Hg_(x)Cd_(1-x)Te薄膜表面钝化工艺对Hg_(x)Cd_(1-x)Te红外探测器的性能提升至关重要。总结和分析了近年来碲镉汞薄膜表面钝化层的生长方法。按照本源钝化和非本源钝化进行了分类总结和综述,分析了不同钝化方法的优缺点,并对未来碲镉汞薄膜钝化工艺进行了展望。
- 房诗玉王雅荣田志新史继超房永征孙常鸿叶振华刘玉峰
- 关键词：碲镉汞红外探测器表面钝化
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法
- 本发明公开了一种用乙基黄原酸盐制备Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>纳米晶的方法，该方法是通过将反应物前驱体乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡三种乙基黄原酸盐前驱体和油胺加入反应烧瓶中，...
- 刘玉峰陈鑫葛美英吴杰孙艳戴宁
- 文献传递
- PbS量子点的化学制备及其太阳能光伏特性被引量：2
- 2013年
- 通过化学溶液体系中反应温度与原料配比的控制合成了第一吸收峰在833 ～ 1700 nm范围内可调的PbS量子点.利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、吸收光谱等手段研究了化学溶液法制备的PbS量子点形貌、尺寸分布以及近红外吸收等特性.所获得的量子点尺寸分布均匀,直径在2.6～7.0 nm范围内可调.基于PbS量子点的红外吸收特性,通过表面修饰方法在原子层沉积技术（ALD）生长的TiO2薄膜上构筑了FTO/TiO2/PbS/Au光伏器件结构,并初步研究了光电流与量子点特征吸收的关系等光电转换特性.
- 葛美英刘玉峰罗海瀚黄婵燕孙艳戴宁
- 关键词：PBS量子点
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>4-x</Sub>纳米晶的制备方法
- 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>4-x</Sub>纳米晶的制备方法，该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸锌、四氯化锡和硫粉、硒粉加...
- 刘玉峰陈鑫葛美英吴杰孙艳戴宁
- 文献传递
- 碲镉汞与钙钛矿量子点薄膜异质结的界面电子态及其荧光特性
- 2022年
- 半导体异质结是有源光电子器件最重要的材料组成部分之一。构筑了窄带隙半导体碲镉汞(Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te)和宽带隙CsPbBr_(3)半导体量子点薄膜的异质结,通过研究发现量子点与碲镉汞薄膜形成了Type-I异质结,CsPbBr_(3)钙钛矿量子点薄膜中的部分电子和空穴在辐射复合前转移至Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te的价带与导带上,导致CsPbBr_(3)钙钛矿量子点薄膜的荧光强度下降;此外,钙钛矿电子空穴辐射复合发光的光子能量大于Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te的带隙,部分荧光被Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te吸收。最终CsPbBr_(3)钙钛矿量子点薄膜异质结的荧光强度下降至单独CsPbBr_(3)量子点薄膜强度的0.2倍,表明Type-I异质结中Hg_(0.7)Cd_(0.3)Te薄膜因界面的载流子传输导致其对CsPbBr_(3)量子点薄膜荧光具有重要的调制作用。
- 王雅荣房诗玉房永征孙常鸿叶振华刘玉峰
- 关键词：碲镉汞钙钛矿量子点异质结
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法
- 本发明公开了一种用乙基黄原酸盐制备Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>纳米晶的方法，该方法是通过将反应物前驱体乙基黄原酸铜、乙基黄原酸锌、乙基黄原酸锡三种乙基黄原酸盐前躯体和油胺加入反应烧瓶中，...
- 刘玉峰陈鑫葛美英吴杰孙艳戴宁
- 文献传递
