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司凤娟

作品数:5 被引量:8H指数:1
供职机构:兰州理工大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇原子模拟
  • 3篇热学性质
  • 3篇晶格
  • 2篇电池
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇介电常数
  • 2篇晶格结构
  • 2篇高介电常数
  • 2篇高介电常数材...
  • 1篇等离子
  • 1篇等离子喷涂
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电池材料
  • 1篇电性质
  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池材...
  • 1篇喷涂

机构

  • 5篇兰州理工大学
  • 1篇兰州工业学院

作者

  • 5篇司凤娟
  • 1篇胡伟
  • 1篇汤富领
  • 1篇薛红涛
  • 1篇胡春霞
  • 1篇路文江
  • 1篇陈百明
  • 1篇包宏伟
  • 1篇梁补女
  • 1篇张振宇
  • 1篇龚成功
  • 1篇胡伟
  • 1篇胡春霞
  • 1篇万福成

传媒

  • 1篇河南大学学报...
  • 1篇热喷涂技术

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2013
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
钙钛矿太阳能电池吸光层材料及其界面光电性质理论研究
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池实验室光电转化效率已达22%,因其结构简单、光电转换效率高、制备成本低等优点受到学术界和工业界的广泛关注,展现出光明的发展前景。CH3NH3PbI3(MAPbI3)作为光吸收层是钙钛矿电池的...
司凤娟
关键词:第一性原理计算界面态光电性质
文献传递
Si掺杂HfO2的晶格结构和热学性质研究
20世纪60年代,戈登.摩尔博士提出了著名的摩尔定律,即集成电路的特征尺寸每三年缩小0.7倍,集成度每三年增长四倍。四十年来,集成电路产业一直遵循该定律所预言的速度发展,CMOS器件尺寸的不断缩小,集成度不断提高,二氧化...
司凤娟
关键词:原子模拟高介电常数材料晶格结构热学性质栅介质材料
文献传递
基于大气等离子喷涂的镍铬基粉末制备及其涂层组织结构被引量:6
2019年
以高能球磨后的镍基合金、银、氟化物共晶复合粉末为原料,采用喷雾干燥和烧结技术制备了粒径为20~110μm的热喷涂喂料,利用等离子喷涂技术制备了镍基复合涂层。分析了喂料粒子物理性能及涂层的微观组织结构。结果表明:造粒后的粉末球形度较好,流动性大为提高。造粒烧结处理过程中,随着温度增加,粉末的流动性和松装密度均提高。经800℃热处理烧结后形貌圆整光滑,密实,平均粒径为32.92μm,松装密度为1.37g/cm^3,流动性为12.18s/50g,适合用作热喷涂喂料。制备的涂层为典型的层状结构,厚度约为320μm。涂层总体比较致密,局部存在孔洞,涂层孔隙率约3.6%。所含物相为NiCr、Ni3Al、NiAl、Ag,BaF2、CaF2等相,喷涂过程中未见新物相生成。
胡伟胡伟张振宇梁补女胡春霞胡春霞龚成功
关键词:等离子喷涂层状结构
Cd_(1-x)Zn_xS热学性质的理论研究与设计被引量:1
2013年
CuInSe2太阳能薄膜电池的窗口层材料CdS常掺Zn以降低剧毒元素Cd的使用量.本文应用晶格动力学方法,采用玻恩核-壳经典势参数模型,全面系统地研究了闪锌矿结构Cd1-xZnxS(x=0,0.25,0.5,0.75,1)在不同温度和压力下的晶体结构、力学和热学性质.计算了不同Zn掺杂浓度时的弹性模量、声子态密度、热容、热膨胀系数、格林艾森常数和德拜温度.结果表明:Cd1-xZnxS的晶格常数随掺杂浓度x的递增单调递减.随温度升高,无论是定容热容还是热膨胀系数都逐渐增大并趋于饱和;在某一温度时,二者都随Zn掺杂浓度的增加而略有增加.随掺杂浓度x从0增大到1,0K温度时,Cd1-xZnxS的格林艾森常数从0.78增加到0.94,而德拜温度最小值从约197K增大到约203K.一些实验或模拟结果与作者课题组的数据相符.期望系统的原子模拟研究结果将有助于理解该材料的成分-性能相关性,同时也有助于设计CuInSe2太阳能薄膜电池具有合适热匹配的窗口层材料.
万福成汤富领路文江司凤娟包宏伟薛红涛
关键词:热学性质太阳能电池材料原子模拟晶格动力学
Si掺杂HfO<sub>2</sub>的晶格结构和热学性质研究
20世纪60年代,戈登.摩尔博士提出了著名的摩尔定律,即集成电路的特征尺寸每三年缩小0.7倍,集成度每三年增长四倍。四十年来,集成电路产业一直遵循该定律所预言的速度发展,CMOS器件尺寸的不断缩小,集成度不断提高,二氧化...
司凤娟
关键词:原子模拟高介电常数材料晶格结构热学性质
共1页<1>
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