季涛
- 作品数：2 被引量：13H指数：1
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：中国科学院西部之光基金国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
- 2005年
- 通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2).
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- 关键词：ZNO薄膜
- 射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量：12
- 2007年
- 用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
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- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射谱光致发光谱衬底温度
