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季莲

作品数：38 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 11篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 9篇电气工程
  • 6篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 31篇电池
  • 12篇太阳能
  • 12篇太阳能电池
  • 10篇光伏电池
  • 10篇衬底
  • 8篇键合
  • 8篇分子束
  • 8篇分子束外延
  • 7篇电极
  • 7篇热光伏电池
  • 6篇电压
  • 6篇开路电压
  • 5篇隧道结
  • 5篇太阳电池
  • 5篇分子束外延生...
  • 4篇电池效率
  • 4篇外延层
  • 4篇晶片
  • 4篇光电转换
  • 4篇光电转换效率

机构

  • 38篇中国科学院
  • 3篇西安理工大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 38篇季莲
  • 37篇陆书龙
  • 26篇代盼
  • 25篇谭明
  • 20篇杨辉
  • 18篇吴渊渊
  • 11篇赵勇明
  • 10篇何巍
  • 9篇董建荣
  • 3篇朱亚旗
  • 3篇李奎龙
  • 2篇黄寓洋
  • 2篇陈治明
  • 2篇李鹏
  • 2篇李宝吉
  • 2篇杨文献
  • 2篇赵春雨
  • 1篇罗向东
  • 1篇张耀辉
  • 1篇任雪勇

传媒

  • 3篇第十三届全国...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 7篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 38 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
背反射式太阳能电池及其制作方法
本发明提供一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。本发明还提供一种背反射式太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层及电...
季莲杨辉陆书龙董建荣何巍代盼
文献传递
一种柔性衬底GaAs薄膜电池及其制备方法
本发明公开了一种柔性衬底GaAs薄膜电池，该电池包括柔性衬底以及依次形成于所述柔性衬底上的第一电极、GaAs薄膜电池和第二电极，所述第一电极包括依次形成于所述柔性衬底上的Au金属层和ITO金属层。本发明还公开了如上所述电...
谭明陆书龙代盼吴渊渊季莲
文献传递
一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法
本发明涉及一种InP衬底生长InGaAs电池层的结构及其方法，包括以下步骤：一、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在InP衬底上生长一层InP缓冲层；二、采用金属有机化合物化学气相沉淀法，在所述步骤一的InP缓冲层表面从...
赵勇明陆书龙季莲何巍李奎龙李鹏董建荣杨辉
文献传递
MBE生长的室温晶片键合InGaAsP/InGaAs/GaInP/GaAs四结电池
由于理论限制，三结电池的聚光效率已经达到极限。开发更多结的电池，使用更多能量逐渐增加的带隙组合吸收更宽的太阳光谱是实现更高的效率的重要途径。然而，由于带隙较高的材料的晶格常数往往比低带隙材料的晶格常数小，很多最优带隙组合...
代盼陆书龙季莲吴渊渊谭明杨辉
关键词：分子束外延晶片键合
GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法
本申请公开了一种GaAs/GaInP双结太阳能电池，包括分子束外延生长的GaAs子电池、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述...
代盼陆书龙何巍季莲杨辉
文献传递
分子束外延生长InGaAsP太阳电池载流子动力学研究
本文分别采用InP和InAlAs作为背场生长InGaAsP太阳电池.InP作为背场的InGaAsP电池开路电压0.545V,短路电流44.51 mA/cm2,转换效率达到18.8％,性能优于InAlAs作为背场的电池.比...
季莲吴渊渊代盼谭明边历峰陆书龙杨辉
关键词：分子束外延太阳电池INGAASP
基于InP衬底的晶格失配In_(0.68)Ga_(0.32)As的MOCVD生长及其特性研究被引量：1
2013年
采用MOCVD生长技术在InP衬底上成功实现了晶格失配的3μm In0.68Ga0.32As薄膜生长.通过As组分的改变,利用张应变和压应变交替补偿的InAsxP1-x应变缓冲层结构来释放由于晶格失配所产生的应力,在InP衬底上得到了与In0.68Ga0.32As晶格匹配的InAsxP1-x'虚拟'衬底,通过对缓冲层厚度的优化,使应力能够在'虚拟'衬底上完全豫弛.通过原子力显微镜(AFM)、高分辨XRD、透射电镜(TEM)和光致发光(PL)等测试分析表明,这种释放应力的方法能够有效提高In0.68Ga0.32As外延层的晶体质量.
朱亚旗陈治明陆书龙季莲赵勇明谭明
关键词：IN0应力释放
三结太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种三结太阳能电池，包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法，包括：制备Si子电池；在...
代盼陆书龙吴渊渊谭明季莲杨辉
文献传递
分子束外延生长固态Te掺杂AlInP及在电池中的应用
代盼陆书龙谭明吴渊渊季莲
一种基于热光伏电池的单片连接组件的制备方法
一种基于热光伏电池的单片连接组件制备方法，包括：I、在半绝缘衬底上生长外延层；II、在相邻设定电池单元之间的选定区域内均加工形成底端达到和/或深入横向传输层的槽状结构，并在槽状结构底部形成隔离槽；III、在槽状结构内壁上...
谭明陆书龙季莲何巍代盼
文献传递
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