宗志园
- 作品数：83 被引量：91H指数：7
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- 基于单面加载PIN二极管的宽带可重构频率选择表面
- 本发明公开了一种基于单面加载PIN二极管的宽带可重构频率选择表面，包括介质板以及介质板上下表面的金属单元；其中介质板上表面的第一金属单元是双方形缝隙环结构，最外层的方形环金属贴片的每条边由中间断开并通过PIN二极管连接，...
- 宗志园曹海若鄢亚美吴文钱嵩松司马博羽王翔
- 文献传递
- 超宽带双极化全金属Vivaldi天线单元及其阵列天线
- 本发明公开了一种超宽带双极化全金属Vivaldi天线单元及其阵列天线，双极化单元由两个辐射结构完全相同的线极化全金属Vivaldi天线偏心正交放置构成；每个线极化Vivaldi天线又包括两片相对放置的金属叶片，一片叶片带...
- 钱嵩松张汐司马博羽吴文宗志园王翔朱佳乐朱浩伟
- 用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺被引量：1
- 2002年
- 用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的厚度 ,而对 (Cs,O)激活层厚度影响较小。在激活过程中 ,严格控制和减少每次导入的O量是减少界面氧化层厚度 ,提高灵敏度的重要途径。在第一步激活后的阴极样品 ,通过较低温度的加热和再激活 ,能获得比第一步高出 30
- 汪贵华杨伟毅宗志园
- 关键词：GAAS砷化镓光电阴极
- 三代微光管均匀性测试与分析被引量：8
- 2003年
- 利用自行研制的“光电阴极多信息量测试系统”首次对国产三代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试 ,结果表明该国产三代微光管存在明显的非均匀性。利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数 ,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因 ,GaAs材料的少子扩散长度 (1 1 2～ 1 82 ) μm ,与阴极厚度相当 ,后界面复合速率在 (1× 1 0 5～ 1× 1 0 6 )cm/s之间 。
- 杜晓晴杜玉杰常本康宗志园
- 关键词：微光管均匀性GAAS光谱响应
- S_(25)光电阴极与景物反射光谱的光谱匹配系数Ⅰ. 暗绿色涂层和绿色草木被引量：5
- 2000年
- 从光电器件对光源的响应率出发,引伸出光电阴极与景物之间的光谱匹配系数表达式,计算了S25光电阴极与暗绿色涂层和绿色草木的光谱匹配系数。S251光电阴极在满月光下,对暗绿色涂层的光谱匹配系数为0.5512,对绿色草木为0.2783;在晴朗星光下,则分别为0.2662和0.1255;对S252光电阴极,前者分别为0.7174和0.6820,后者分别为0.5741和0.4840。计算结果对夜视系统视距估算的修正有较高的参考价值。
- 李蔚宗志园常本康
- 关键词：光电阴极景物反射光谱光电测距
- GaAs光电阴极p型掺杂浓度的理论优化被引量：9
- 2004年
- 为了获得高量子效率的GaAs光电阴极 ,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长 ,且电子表面逸出几率大 ,这对p型掺杂浓度提出了两个矛盾的要求 ,需要进行优化。本文建立了电子扩散长度与p型掺杂浓度的关系曲线 ,并计算了不同p型掺杂浓度下的电子表面逸出几率 ,在此基础上计算了不同阴极厚度的GaAs光电阴极的理论量子效率随掺杂浓度的变化曲线。计算结果表明 ,p型掺杂浓度在～ 6× 1 0 1 8cm-3 时可获得最大量子效率 ,掺杂浓度对量子效率的限制随阴极厚度的增大而增大。
- 杜晓晴常本康宗志园
- 关键词：GAAS光电阴极掺杂量子效率P型
- NEA光电阴极的表面模型被引量：10
- 2003年
- 回顾了NEA光电阴极不同的表面模型 ,对异质结模型、偶极子模型和铯的弱核力效应进行了重点介绍。异质结模型可以成功解释P型GaAs和 (Cs,O)激活层之间界面势垒的存在 ,但这种具有体效应的异质结无法与 (Cs,O)层的厚度相统一 ;偶极子模型认为在阴极表面形成的偶极层导致了逸出功的下降 ,其双偶极层模型能较好地预测和解释最佳的 (Cs ,O)激活层厚度 ,但不同的双偶极层模型对于氧在表面层存在的化学形态存在争议 ;铯的弱核力场效应认为铯表面层的弱核力场及氧的离化作用是界面势垒和负电子亲和势的形成原因 ,但它所认为的逸出功降低与基底材料无关还需进一步验证。
- 杜晓晴常本康宗志园杜玉杰
- 关键词：异质结负电子亲和势偶极子
- 多碱光电阴极层状模型的一个证据——铯处理多碱光电阴极的附加厚度
- 1998年
- 根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在０．４～０．５μｍ之间光电流减少这一事实，分析了Ｃｓ处理多碱光电阴极的厚度。结果表明：第一次Ｃｓ处理，０．４μｍ处的光电流由６ｍＡ／Ｗ下降到３．８ｍＡ／Ｗ，第二次处理进一步降至１．６ｍＡ／Ｗｑ其主要原因是Ｃｓ处理形成的Ｋ２ＣｓＳｂ具有一定厚度，光电子在输运过程中由于厚度增加导致散射几率增加，逸出几率下降，从而导致光电发射下降。在Ｓｂ、Ｃｓ交替后，计算结果表明，曲线８与曲线５相比，厚度增加了３ｎｍ。
- 宗志园钱芸生富容国常本康
- 关键词：多碱光电阴极光谱响应
- 一种平面多层PCB结构的宽频宽角度吸波器
- 本发明公开了一种平面多层PCB结构的宽频宽角度吸波器，包括：双极化紧耦合振子和设置于振子地板背面的加载集总电阻的匹配电路。所述双极化紧耦合振子用于接收入射到吸波器表面的电磁波并将其传送到地板背面的匹配电路；所述匹配电路用...
- 吴文王兵宗志园方大纲
- 加载集总元件频率选择表面
- 本发明公开了一种加载集总元件频率选择表面，包括介质基板和紧贴于介质基板上表面的内环金属贴片、外环金属贴片；内环金属贴片包括四片第一L型金属贴片，相邻两个第一L型金属贴片留有间隙，每个间隙设置有一个第一集总电感；外环金属贴...
- 宗志园阙凯峰
- 文献传递
