左玉华
- 作品数：121 被引量：70H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程环境科学与工程更多>>
- 一种基于键合技术制作微波传输线的方法
- 本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法，该方法包括：采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起；去除外延片的衬底，露出外延片的外延材料层；对外延片的外延材料层进行刻蚀，制作外延器件，将微波传输线制作区...
- 张岭梓曹权左玉华王启明
- 表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法
- 本发明提供一种表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿薄膜及其制备方法，涉及光电材料技术领域。该方法包括：步骤S1，制得初始钙钛矿薄膜；步骤S2，使用真空热蒸发法在该初始钙钛矿薄膜表面制备LiF薄膜，得到表面覆盖有LiF薄膜的钙钛矿...
- 陈丹杨亚洲叶正澜刘香全左玉华郑军刘智成步文
- 500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
- 2006年
- 利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用。
- 赵雷左玉华李传波成步文罗丽萍余金中王启明
- 关键词：UHV/CVD光荧光
- GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法
- 一种GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法，该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器包括：衬底；GeSn层，形成于所述底的一表面；钙钛矿层，形成于所述GeSn上；下电极，形成于所述衬底的另一表面；上电极，形成于所述钙...
- 万丰硕薛春来徐国印刘智郑军左玉华成步文
- 文献传递
- 平顶响应的热光可调谐Fabry-Perot滤波器
- 制作了一种平顶响应的热光可调谐滤波器,通过用湿法腐蚀方法将半波长的共振腔分成具有不同光学厚度的两个部分,并且使入射光照射到两个部分的面积基本上相等,来实现平顶响应特性。对该滤波器的输出响应进行检测,所得到的实验结果与理论...
- 蔡晓左玉华王启明
- 关键词：FABRY-PEROT滤波器热光效应起伏度
- 文献传递
- 硅基锗激光器及其制备方法
- 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；...
- 刘智成步文李传波李亚明薛春来左玉华王启明
- 文献传递
- 外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展
- 2010年
- Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。
- 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明
- 关键词：合金
- 一种肖特基势垒二极管器件结构
- 一种肖特基势垒二极管(SBD)器件结构，包括半绝缘衬底，所述半绝缘衬底具有第一导电类型，所述半绝缘衬底包括第一表面、第二表面和侧壁，所述第一表面的高度高于所述第二表面的高度，所述侧壁连接所述第一表面和所述第二表面；位于所...
- 吴亦旸郑军崔金来贺晨刘香全黄秦兴刘智左玉华成步文
- 一种基于键合技术制作微波传输线的方法
- 本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法，该方法包括：采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起；去除外延片的衬底，露出外延片的外延材料层；对外延片的外延材料层进行刻蚀，制作外延器件，将微波传输线制作区...
- 张岭梓曹权左玉华王启明
- 文献传递
- 单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究被引量：8
- 2012年
- 利用载流子漂移-扩散模型,模拟并分析了InGaAs/InP单载流子光电探测器(Uni-traveling-carrier/UTC-PD)在不同条件下的物理特性及其带宽和饱和特性,结合器件实验结果分析了影响器件高速和高饱和性能的物理机理.结论表明在吸收区采用浓度渐变掺杂和增加InP崖层(cliff layer),可以显著提升器件饱和特性,高入射功率下吸收区电场崩塌是器件饱和的直接因素,直径大于20μm的UTC探测器中RC常数仍是影响带宽的主要因素.论文指出了优化器件结构、提升器件性能的有效方法.
- 张岭梓左玉华曹权薛春来成步文张万昌曹学蕾王启明
- 关键词：空间电荷效应高频
