张永明
- 作品数：25 被引量：89H指数：7
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学社会学更多>>
- InGaAsP单量子阱激光器热特性研究
- 2005年
- 从InGaAsP单量子阱激光器热效应分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nm InGaAsP单量子阱激光器温度特性进行了研究.实验表明,在23℃～70℃的温度范围内,器件的功率由1.12W降到0.37 W,斜率效率由1.06 W/A降到0.47 W/A.实验测得其特征温度T0为321 K.激射波长随温度的漂移为0.45 nm/℃.其芯片的热阻为2.44℃/W.
- 张永明钟景昌路国光秦莉
- 关键词：单量子阱激光器INGAASP热特性
- 垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析
- 2004年
- 利用X射线双晶衍射方法 ,测定了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)材料的衍射回摆曲线 ,除了主衍射峰 (“0”级衍射峰外 ) ,还观察到一级和二级卫星峰。同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析。“0”级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近 ,表明晶格具有很高的完整性。由这些衍射峰之间的角距离 ,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值。
- 刘文莉李林钟景昌张永明赵英杰郝永琴王勇苏伟晏长岭
- 关键词：X射线双晶衍射
- 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置
- 半导体激光器参数测试用填充液态导热媒质控温装置属于半导体激光器器件可靠性参数测试技术领域。相关的现有技术存在温度梯度大、加热惯性大等弊端，使得所确认的被测器件温度与实际温度相差较大；又由于光电探测器件在保温箱内一同被加热...
- 赵英杰张永明钟景昌李梅赵宇斯郝永芹晏长岭苏伟李林姜晓光
- 文献传递
- VCSEL的研究进展及应用前景被引量：8
- 2005年
- 介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
- 赵英杰李轶华李林张永明郝永琴晏长岭姜晓光钟景昌
- 关键词：垂直腔面发射激光器液相外延技术波分复用
- 垂直腔面发射激光器制作新工艺被引量：10
- 2006年
- 采用一种新工艺制作了垂直腔面发射激光器（VCSEL），即用开环分布孔取代以往的环形沟道作为氧化物限制技术的注入窗口。因开环分布孔间形成多个桥，为电注入提供了天然的桥状通道，解决了电极过沟断线问题。这种新结构器件的输出功率约为以往结构器件的1．34倍。在20℃～80℃范围内，对器件的输出功率、阈值电流及波长漂移性进行了研究。60℃时最大输出光功率可达到6mW。激射波长随温度升高呈线性变化，且向长波方向移动，速率为0．06nm／℃。由实验结果计算出器件的热阻为1．96℃／mw。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器半导体激光器
- 850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性被引量：9
- 2005年
- 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．11nm／mW，实验确定其热阻为2．02℃／mW．
- 张永明钟景昌赵英杰郝永芹李林王玉霞苏伟
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化物限制温度特性
- 低温燃烧法制备YAG透明陶瓷纳米粉体被引量：9
- 2009年
- 透明YAG陶瓷具有较好的化学稳定性、光学性能和高温性能,是单晶激光材料的有力替代品,纳米YAG粉体的合成有利于制备性能优异的YAG透明陶瓷.采用低温燃烧法,以Y2O3、Al(NO3)3.9H2O、柠檬酸、乙二醇为原料,采用TG/DSC,XRD和SEM等测试手段对YAG前驱体进行表征,对YAG前驱体在不同温度下进行煅烧.结果发现,在900℃左右已完全转变成YAG相,最终获得单分散、无团聚、形状规则的YAG纳米粉体.
- 张永明凡涛涛于洪明李旭日
- 关键词：钇铝石榴石纳米粉体低温燃烧法
- 垂直腔面发射激光器中的新结构研究被引量：4
- 2007年
- 通过对垂直腔面发射激光器(VCSEL)台面结构的深入研究,提出了新型环形分布孔结构,并制作了这种新结构器件。测试结果表明这种新结构器件不仅表现了良好的工作特性,而且输出功率也提高到环形沟槽结构的1.34倍。
- 郝永芹刘文莉钟景昌张永明冯源赵英杰
- 关键词：光学半导体激光器氧化物限制垂直腔面发射激光器
- 莫来石-碳硅石泡沫陶瓷过滤器的研制被引量：11
- 2006年
- 以碳化硅、高岭土、氧化铝粉为主要原料,制备具有较好流变性的水基陶瓷料浆,将其浸渍在泡沫塑料上,制成涂层均匀的泡沫体,最终烧制成具有气孔率高、容重小、强度好、抗热震性强的莫来石-碳硅石质泡沫陶瓷过滤器。研究了氟化钙和氧化铝的加入量、烧成温度等对泡沫陶瓷过滤器工艺性能的影响。试验发现,氧化铝含量为15%,CaF2加入量为4%,在1450℃条件下烧制的陶瓷制品外观结构致密均匀,其主晶相为碳硅石相和莫来石相,抗弯强度可达1.11MPa,抗热震性可达5次。
- 曹大力马雷周静一方庆红张永明辛庆辉邱竹贤石忠宁
- 关键词：泡沫陶瓷过滤器抗弯强度
- YVO_4:Eu^(3+)纳米晶的沉淀合成及发光性质被引量：2
- 2010年
- 采用沉淀法合成了Eu3+不同掺杂浓度的YVO4:Eu3+纳米晶。利用X射线衍射和荧光光谱对材料的结构、发光性能进行了研究。XRD研究结果表明:在较低温度下合成的样品为四方相YVO4,纳米粒子的晶粒尺寸为7nm。发射光谱和激发光谱的研究表明:宽的激发带主要来自于Eu-O和V-O的电荷迁移带。发射峰来自于5D0-7FJ的跃迁。纳米YVO4:Eu3+的猝灭浓度为12%,荧光寿命随Eu3+离子的浓度的增加而缩短。
- 李艳红张永明李鹏张杨洪广言
- 关键词：沉淀法发光荧光寿命
