张锐
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 一种具有信息保密与传递功能的高分子双网络水凝胶及其制备方法
- 本发明公开了一种具有信息保密与传递功能的高分子双网络水凝胶及其制备方法。该高分子双网络水凝胶通过在聚乙烯醇水溶液中加入聚丙烯酸钠和聚烯丙胺盐酸盐聚电解质溶液混合形成。聚丙烯酸钠和聚烯丙胺盐酸盐聚电解质溶液混合缠结会变成不...
- 杨文静张锐汪联辉郭显
- 离子导电水凝胶的设计及其在柔性传感器件中的应用研究
- 离子导电水凝胶具备优异的透明性、良好的生物相容性和较好的灵敏度等优点,在人机交互界面、传感器和生物医疗器件等领域展现了广阔的应用前景。目前,构建性能稳定的多功能离子导电水凝胶仍然是研究者们面临的关键挑战之一,针对这一问题...
- 张锐
- 关键词：聚电解质聚乙烯醇
- 倾斜表面SOI横向高压器件的工艺与特性研究
- VLT技术是一种可以同时大幅度改善击穿电压和降低导通电阻的新技术，但其难点在于从工艺上如何制造从源到漏逐渐变化的漂移区厚度。本文针对该问题开展深入研究。
首先，研究了基于多窗口反应离子刻蚀技术的倾斜表面制备方法。分...
- 张锐
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀湿法刻蚀导通电阻
- 一种复合纳米载药体系及其制备方法
- 本发明公开了一种复合纳米颗粒载药体系及其制备方法，载药体系包括水凝胶，以及分散于水凝胶中的聚合物纳米颗粒和生物活性酶；所述生物活性酶具有降解肿瘤微环境细胞外基质的特性，所述聚合物纳米颗粒的表面负载有抗癌药物，并以聚苯胺颗...
- 杨文静胡亚琴汪联辉王雨馨张锐
- 文献传递
- 基于RIE技术的倾斜表面SOI功率器件制备技术被引量：1
- 2011年
- 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出了多窗口反应离子刻蚀法来形成倾斜表面漂移区的新技术,建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,TCAD工具的2D工艺仿真证实了该技术的可行性,最终优化设计出了倾斜表面漂移区长度为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,其最优结构的击穿电压可达350 V,导通电阻可达1.95Ω·mm^2,同时表现出良好的源漏输出特性。
- 张锐郭宇锋程玮花婷婷
- 关键词：绝缘体上硅反应离子刻蚀
- 一种具有信息保密与传递功能的高分子双网络水凝胶及其制备方法
- 本发明公开了一种具有信息保密与传递功能的高分子双网络水凝胶及其制备方法。该高分子双网络水凝胶通过在聚乙烯醇水溶液中加入聚丙烯酸钠和聚烯丙胺盐酸盐聚电解质溶液混合形成。聚丙烯酸钠和聚烯丙胺盐酸盐聚电解质溶液混合缠结会变成不...
- 杨文静张锐汪联辉郭显
- 文献传递
- 一种复合纳米载药体系及其制备方法
- 本发明公开了一种复合纳米颗粒载药体系及其制备方法，载药体系包括水凝胶，以及分散于水凝胶中的聚合物纳米颗粒和生物活性酶；所述生物活性酶具有降解肿瘤微环境细胞外基质的特性，所述聚合物纳米颗粒的表面负载有抗癌药物，并以聚苯胺颗...
- 杨文静胡亚琴汪联辉王雨馨张锐
- 一个MOS器件小尺寸效应的三维表面势和阈值电压模型
- 本文基于三维泊松方程的求解，建立了一个小尺寸MOS器件的表面势的三维解析模型和新的阈值电压模型。和以往的一维或二维模型相比，本模型不但能够表述小尺寸MOS器件的短沟道效应和反向窄沟道效应，而且能够准确地反映二者相互耦合的...
- 左磊召郭宇锋王厚大程玮张锐花婷婷
- 关键词：表面势阈值电压短沟道效应
- SOI和体硅MOSFET大信号非准静态效应比较研究
- 2011年
- 研究了全耗尽SOI、部分耗尽SOI和体硅NMOS器件中源、漏、栅和衬底电流的非准静态现象。研究表明,在相同的结构参数下,体硅器件的非准静态效应最强,PDSOI次之,FDSOI最弱。指出了沟道源、漏端反型时间和反型程度的不同是造成非准静态效应的内在原因。最后提出临界升压时间的概念,以此对非准静态效应进行定量表征,深入研究器件结构参数对非准静态效应的影响规律。结果显示,通过缩短沟道长度、降低沟道掺杂浓度、减小硅膜厚度和栅氧厚度、提高埋氧层厚度等手段,可以弱化SOI射频MOS器件中的非准静态效应。
- 程玮郭宇锋张锐左磊召花婷婷
- 关键词：全耗尽SOI部分耗尽SOI射频MOSFET
