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曾富强

作品数:7 被引量:13H指数:2
供职机构:暨南大学理工学院物理学系更多>>
发文基金:广东省科技计划工业攻关项目广州市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 5篇氧化钒薄膜
  • 5篇二氧化钒
  • 5篇二氧化钒薄膜
  • 3篇热氧化
  • 3篇热氧化法
  • 3篇相变
  • 3篇相变温度
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇室温制备
  • 2篇热致变色
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇AZO薄膜
  • 1篇导电薄膜

机构

  • 7篇暨南大学

作者

  • 7篇曾富强
  • 6篇叶勤
  • 4篇王权康
  • 4篇张俊双
  • 1篇李仕萍

传媒

  • 2篇广东省真空学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇真空

年份

  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
薄膜厚度和工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响被引量:6
2011年
采用射频磁控溅射法在室温下、普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计和四探针测量了不同薄膜厚度和不同工作压强下所得样品的结构、电学和光学性能,结果表明,所制备的AZO薄膜均具有六角纤锌矿结构,沿c轴择优取向生长;在可见光范围内,薄膜平均透过率约为80%;随着薄膜厚度的增加和工作压强的降低,薄膜的电阻率呈下降趋势;得到的薄膜最低方块电阻为7.5Ω/□。
张俊双叶勤曾富强王权康
关键词:磁控溅射薄膜厚度光电性能
热氧化法制备二氧化钒薄膜及其相变性能研究
本文以VO2薄膜为研究对象,采用磁控溅射法在普通玻璃、石英玻璃和Si02/Si(100)基片上沉积金属V膜,然后分别在空气及氧气气氛中用热氧化法探索制备具有相变性能的VO2薄膜的条件。用x-射线衍射仪(XRD)、原子力显...
曾富强
关键词:VO2薄膜热氧化相变温度热致变色氧化钒薄膜
文献传递
二氧化钒薄膜光学性能的研究进展
二氧化钒(VO)在68℃附近存在半导体相和金属相间的可逆相变,伴随着相变,VO的电阻率和近红外波段透射率产生突变,具有巨大的应用潜力,引起研究人员的广泛关注。根据近红外波段透射率产生突变可以制成室温自动调节的智能玻璃,具...
曾富强叶勤
关键词:二氧化钒薄膜热致变色智能玻璃
文献传递
热氧化法制备二氧化钒薄膜及其相变温度研究被引量:7
2011年
采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜,然后在空气中热氧化制备VO2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)和X射线衍射光电子能谱仪(XPS)分析氧化温度对薄膜的微观结构、光学透过率、相变温度及其组分的影响。结果表明:金属V膜在空气中400℃热氧化1 h得到相变温度约为50℃和热滞宽度约10℃的二氧化钒薄膜。
曾富强叶勤张俊双王权康李仕萍
关键词:二氧化钒薄膜热氧化磁控溅射相变温度
热氧化法制备二氧化钒薄膜的电学特性
化钒在68℃发生半导体-金属相变,其晶体结构从低温单斜晶结构转变到高温四方金红石结构,光学和电学特性同时也发生可逆突变。采用直流磁控溅射在普通玻璃衬底上沉积金属V膜,然后在空气中热氧化制备VO2薄膜.金属V膜在空气中40...
曾富强叶勤张俊双王权康
关键词:半导体薄膜二氧化钒热氧化法微观结构电学特性
工作压强对室温制备AZO薄膜性能的影响
条件下,采用射频磁控溅射法在普通玻璃基片上制备了AZO透明导电薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和四探针对不同工作压强下所得的样品进行了结构、电学和光学性能的测量...
张俊双叶勤曾富强王权康
关键词:导电薄膜铝掺杂磁控溅射光电性能
二氧化钒薄膜光学性能的研究进展
化钒(VO2)在68℃附近存在半导体相和金属相间的可逆相变,伴随着相变,VO2的电阻率和近红外波段透射率产生突变,具有巨大的应用潜力,引起研究人员的广泛关注.根据V02薄膜具有半导体-金属相变性能,伴随着相变的发生,近红...
曾富强叶勤
关键词:二氧化钒薄膜光学性能相变温度
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