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李勇滔

作品数：197 被引量：22H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金中国科学院科研装备研制项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 183篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 2篇科技成果

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇化学工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电气工程
  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 34篇等离子
  • 31篇离子注入
  • 29篇等离子体
  • 26篇衬底
  • 23篇刻蚀
  • 23篇硅衬底
  • 23篇半导体
  • 22篇电路
  • 21篇喷涂
  • 19篇等离子喷涂
  • 19篇信号
  • 19篇离子喷涂
  • 19篇SUB
  • 18篇射频电源
  • 18篇涂层
  • 17篇射频
  • 17篇注入机
  • 16篇陶瓷
  • 16篇陶瓷涂层
  • 15篇电源

机构

  • 197篇中国科学院微...
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇昆明理工大学
  • 3篇北京泰龙电子...
  • 2篇北京自动测试...

作者

  • 197篇李勇滔
  • 178篇夏洋
  • 71篇李超波
  • 59篇赵章琰
  • 43篇石莎莉
  • 40篇王文东
  • 37篇李英杰
  • 35篇刘邦武
  • 30篇李楠
  • 27篇秦威
  • 27篇刘杰
  • 26篇张庆钊
  • 25篇汪明刚
  • 24篇万军
  • 24篇席峰
  • 24篇陈波
  • 23篇饶志鹏
  • 21篇刘键
  • 19篇王燕
  • 15篇黄成强

传媒

  • 3篇电子工业专用...
  • 2篇仪表技术与传...
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光电工程
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 6篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2017
  • 23篇2016
  • 22篇2015
  • 10篇2014
  • 68篇2013
  • 31篇2012
  • 20篇2011
  • 3篇2010
共 197 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
刻蚀系统机柜
1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统机柜。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4.最能...
席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
一种用于进气结构的匀气盘
本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构中的匀气盘。所述用于进气结构的匀气盘上分布若干小孔，所述小孔从所述匀气盘的中心到边缘按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布...
李楠席峰李勇滔张庆钊夏洋
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一种等离子体浸没注入装置
本发明涉及半导体处理技术和设备领域，具体涉及一种等离子体浸没注入装置，包括气源、功率源、工作腔室、基片台和真空系统，所述基片台上方设有栅电极。本发明通过在现有装置中增加栅电极，使基片台上方特别是基片上方的电场分布变成了两...
汪明刚夏洋李超波刘杰李勇滔陈瑶赵丽莉
基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种基于可伸缩腔室的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和沉积室；沉积室包括第一容积和第二容积；当沉积室在通气状态时，沉...
王燕李勇滔夏洋赵章琰石莎莉
文献传递
一种微透镜阵列的制备方法
本发明涉及一种微透镜阵列的制备方法，具体涉及一种利用喷射点胶技术的微透镜阵列的制备方法。所述制备方法具体包括如下步骤：将衬底材料放置于喷射点胶设备工作台上；向所述喷射点胶设备中注入UV胶水，所述喷射点胶设备在衬底材料表面...
刘键夏洋吴茹菲李勇滔
文献传递
一种氮化铝薄膜的制备方法
本发明涉及一种用原子层沉积设备制备氮化铝薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，含碳物质与硅衬底表面发生化学反应，使得含铝物质中的铝原子吸附在硅...
饶志鹏万军夏洋李超波刘键陈波黄成强石莎莉李勇滔
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等离子体浸没离子注入设备
本发明公开了一种等离子体浸没离子注入设备，包括离子注入腔室、电源部分、注入电极部分和真空部分，所述离子注入腔室内四壁设有内衬，所述内衬由包含硅成分的整块材料制成。通过本发明提出的设备可减小等离子体浸没离子注入时腔室内壁的...
刘杰汪明刚夏洋李超波罗威罗小晨李勇滔
文献传递
一种纳米线条的修复方法
本发明涉及半导体微纳结构制造技术领域，具体涉及一种纳米线条的修复方法，所述方法包括如下步骤：将具有光刻胶纳米线条的硅片放在电子显微镜下观察是否有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条；将有坍塌或粘连的光刻胶纳米线条的硅片放在兆声波发...
黄洛俊景玉鹏康恒李勇滔
文献传递
一种发光多孔硅的制备方法
本发明涉及光电子领域，具体的说是一种发光多孔硅的制备方法。制备：将预处理的单晶硅片于I号清洗液中煮至沸腾，取出单晶硅片用热、室温去离子水冲洗；冲洗后在氢氟酸溶液浸泡；浸泡后的单晶硅片于II号清洗液中煮沸2～3分钟，取出单...
刘邦武夏洋刘杰李超波李勇滔王文东汪明刚
一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备
本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件、控制部件和容积可调节的沉积室；控制部件分别与真空部件、加热部件、气路部...
王燕李勇滔夏洋赵章琰石莎莉
文献传递
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