李曼
- 作品数：31 被引量：20H指数：3
- 供职机构：南京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>
- 云计算平台上的增量分类研究被引量：1
- 2011年
- 针对已有增量分类算法只是作用于小规模数据集或者在集中式环境下进行的缺点,提出一种基于Hadoop云计算平台的增量分类模型,以解决大规模数据集的增量分类。为了使云计算平台可以自动地对增量的训练样本进行处理,基于模块化集成学习思想,设计相应Map函数对不同时刻的增量样本块进行训练,Reduce函数对不同时刻训练得到的分类器进行集成,以实现云计算平台上的增量学习。仿真实验证明了该方法的正确性和可行性。
- 李曼
- 关键词：HADOOP云计算
- 任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学被引量：2
- 2022年
- 为了突破传统理论、数值模拟和实验教学的局限性,进一步提升教学质量,培养专业领域创新人才,建设了任意横向掺杂半导体功率器件的虚拟仿真实验教学资源。基于自主研发的任意横向掺杂设计工具miniVLD,对半导体工艺仿真软件、器件模拟软件和版图设计软件进行二次开发,包含掩模板设计、虚拟制造、虚拟测试、版图设计4部分。该虚拟仿真实验具备自主开发、理念先进、综合性、创新性和工程性强等优点,为复杂理论实践教学提供了典型案例。
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- 关键词：半导体功率器件虚拟制造虚拟测试版图设计
- 提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法
- 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器...
- 李曼刘安琪郭宇锋姚佳飞张珺杨可萌陈静张茂林
- 院级公共科研平台建设探析被引量：2
- 2020年
- 从公共科研平台的使用现状出发,分析了电子与光学工程学院、微电子学院平台当前亟待解决的问题,结合实际情况,进行了大型仪器设备专门管理、仪器设备网络化管理和收费制度建立,开放共享力度加大等管理制度的探索。
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- SOI横向功率器件横向耐压技术的研究进展
- 2015年
- SOI横向功率器件是SOI功率集成电路的核心元件。文中对近年来SOI横向功率器件的横向耐压技术进行了归类和综述,讨论了RESURF技术、场板技术、U形漂移区技术、横向超级结技术和漂移区电荷密度线性化技术等5种常见技术及其衍生技术的工作机理、性能指标和制造方法,从耐压能力、BFOM优值和工艺复杂度等3个方面对不同耐压技术的优点和缺点进行了比较。结果表明各种新技术的采用可以有效缓和击穿电压和导通电阻的矛盾关系,但同时也带来了工艺复杂度的增加。因此,如何在性能和成本之间取得折中仍然是SOI横向功率器件设计需要关注的焦点。
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- 关键词：绝缘体上硅横向功率器件击穿电压导通电阻
- 提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法
- 本发明提出了一种提升体硅LDMOS性能的动态背栅控制系统及体硅LDMOS的制造方法，该系统包括体硅LDMOS，包括栅极金属及背栅金属；动态背栅控制电路，其包括依次电连接的波形产生器、三电平逆变器、负电压转换器及电平转换器...
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- 基于LabVIEW与TCAD的MOS场效应晶体管虚拟仿真实验平台设计与实现被引量：1
- 2023年
- 为了解决微电子科学与工程或集成电路设计与集成系统专业实验教学面临的难题,设计了基于LabVIEW与TCAD的MOS场效应晶体管虚拟仿真实验平台。该平台可以实现MOS场效应晶体管的电学性能测试和参数提取,包括数据输入与存储、控制命令输出、数据采集与显示、报错与停止以及图形分析与提取。该虚拟仿真实验平台为学生提供了良好的工程实践平台,具有操作简单和效率高的明显优势,能够充分调动学生的主观性并且帮助学生理解复杂问题。
- 李曼张淳棠刘安琪郭宇锋杨可萌姚佳飞张珺
- 关键词：MOS场效应晶体管LABVIEWTCAD
- 一种双栅隧穿晶体管结构
- 一种双栅隧穿晶体管结构，包括呈阶梯式厚度递增分布的沟道区5，沟道区5的厚度小的一侧设有源区9，其厚度大的一侧设有源区4，源区9远离沟道区的侧边设有源极8，漏区远离沟道区的侧边设有漏极3，沟道区5的上、下表面分别覆盖第一栅...
- 郭宇峰张茂林张珺陈静李曼
- 文献传递
- 绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
- 本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压V<Sub>sub</...
- 郭宇锋陈静李曼蔡志匡王子轩
- 绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数提取方法
- 本发明提供了一种绝缘衬底上的硅和体硅横向功率二极管结构参数的提取方法。首先，在某一适当区间内测得不同衬底电压下的击穿电压，根据测试结果绘制击穿电压随衬底电压变化曲线图，提取曲线峰值对应的最优衬底电压V<Sub>sub</...
- 郭宇锋陈静李曼蔡志匡王子轩
- 文献传递
