杜关祥
- 作品数：19 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学一般工业技术电子电信更多>>
- 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
- 本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管包括：衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道势垒层；其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间，第二隧道势垒层在基极与集电极之间；并且发射极与基极间和基极与集电极间形成的隧...
- 曾中明韩秀峰杜关祥魏红祥李飞飞詹文山
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- 具有几何形状的磁性多层膜及其制备方法和用途
- 本发明涉及一种具有几何形状的磁性多层膜，包括沉积在衬底上的磁性多层膜单元的各层；所述的磁性多层膜单元的横截面呈多边形闭合环状，该磁性多层膜单元中的具有铁磁性的薄膜层的磁矩或磁通量形成顺时针或逆时针的闭合状态。还包括在上述...
- 韩宇男温振超杜关祥赵静刘东屏韩秀峰
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- 一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所...
- 杜关祥韩秀峰姜丽仙赵静詹文山
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- 一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜及其用途
- 本发明涉及一种具有线性磁电阻效应的磁性多层膜，其为基于磁矩垂直于水平面的磁性材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底，其上依次沉积了缓冲层、第一磁性层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二磁性层、反铁磁钉扎层及覆盖层，所述的第一磁...
- 魏红祥韩秀峰赵静杜关祥王磊王荫君
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- 一种用于超导器件的超导多层膜及其制备方法
- 本发明涉及一种用于超导器件的超导多层膜，其包括沉积在衬底上的多层膜，该多层膜的横截面为闭合的正N边形环，其中，N为大于或等于3的正整数。所述的正N边形环的内环边长为10～100000nm，外环边长为20～200000nm...
- 温振超刘东屏杜关祥赵静韩秀峰
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- 一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件及其制备方法
- 本发明涉及一种基于硬磁材料的自旋阀磁电阻器件，包括：一衬底及其上的缓冲层，在所述的缓冲层上依次沉积了硬磁层、第一软磁层、非磁金属导电层或者绝缘层、第二软磁层及覆盖层。所述的硬磁层为剩磁比较高，矫顽力较大的铁磁材料组成，所...
- 杜关祥韩秀峰姜丽仙赵静詹文山
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- 用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜及其用途
- 本发明涉及一种用于磁性/非磁性/磁性多层薄膜的核心复合膜，包括自由磁性层、隔离层和被钉扎磁性层。该核心复合膜可以仅是隔离层；该隔离层为具有绝缘的、导电的、或有半导体性质的材料组成的有机LB膜。该核心复合膜也可以是所述的自...
- 王天兴曾中明杜关祥韩秀峰洪桢敏石高全
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- 高磁电阻磁性隧道结的几种微制备方法研究
- 2005年
- 利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100μm.采用4nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和1·0或0·8nm厚的铝氧化物为势垒膜,直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5nm)/Cu(25nm)/Ni79Fe21(5nm)/Ir22Mn78(10nm)/Co75Fe25(4nm)/Al(0·8nm)-O/Co75Fe25(4nm)/Ni79Fe21(20nm)/Ta(5nm).同时,利用刻槽打孔法和去胶掀离法两种光刻技术并结合Ar离子束刻蚀及化学反应刻蚀,制备出面积在4μm×8μm—20μm×40μm、具有室温高TMR和低电阻的高质量磁性隧道结.300℃退火前后其室温TMR可分别达到22%和50%.研究结果表明,采用光刻中的刻槽打孔或去胶掀离工艺方法制备的小尺寸磁性隧道结,可用于研制磁动态随机存储器和磁读出头及其他传感器件的磁敏单元.
- 李飞飞张谢群杜关祥王天兴曾中明魏红祥韩秀峰
- 关键词：磁性隧道结动态随机存储器隧穿磁电阻离子束刻蚀铁磁电极M-20
- 双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用被引量：1
- 2005年
- 利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al_O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2K分别达到27%和42.3%,结电阻分别为13.6kΩ·μm2和17.5kΩ·μm2,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电流的增加而发生振荡现象.由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.
- 曾中明韩秀峰杜关祥詹文山王勇张泽
- 关键词：自旋晶体管双势垒磁电阻效应电子输运特性隧穿磁电阻隧穿效应
- 单晶磁性隧道结和铁磁金属/磁性半导体复合隧道结的磁电输运性质的研究
- 全单晶外延磁性隧道结中的自旋相关输运性质，比基于非晶势垒(如Al2O3)的磁性隧道结具有更丰富的物理内涵，并且适合于利用第一原理计算进行理论研究，加深人们对磁性隧道结中的自旋相关输运的认识;同时，在铁磁金属/磁性半导体复...
- 杜关祥
- 关键词：磁性金属磁性半导体磁电阻
