桑文斌
- 作品数：96 被引量：358H指数：11
- 供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术核科学技术更多>>
- TeO_2晶体位错腐蚀形貌与晶体对称性被引量：6
- 2004年
- 用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌,结合晶面极图,并运用对称群理论进行分析论证,理论分析与实验结果相一致.实验结果同时显示,TeO2晶体位错腐蚀坑面由{110}面族构成,即{110}面族是晶体的习性面.
- 方雅珂桑文斌闵嘉华
- 关键词：位错对称性
- Nd和Sb掺杂SnO_2导电粉体的红外光谱研究被引量：7
- 2005年
- 本文以 Sn Cl4· 5 H2 O、Sb Cl3 和 Nd2 O3 为原料制备了 Nd和 Sb掺杂 Sn O2 导电粉体 ,用红外光谱法测定了该粉体的光谱。在 730— 6 2 0 cm-1范围 ,有个宽的吸收峰 ,在 4 0 0 0— 2 80 0 cm-1范围有强吸收。
- 刘小珍桑文斌陈捷王均其
- 关键词：导电粉体SNO2光谱研究SNCL4红外光谱法ND2O3
- 在硅片上复合ZnO纳米线的半导体基板材料及其制备方法
- 本发明涉及一种在硅衬底上垂直定向生长ZnO纳米线的复合半导体基板材料及其制备方法。该半导体基板材料，包括衬底及其表面涂层，衬底采用硅(111)片，表面涂层是以高分子配位体形成的碳骨架为缠绕网络，并在其上生长有ZnO晶体。...
- 桑文斌贺英王均安吴若峰钱永彪
- 文献传递
- 声光晶体TeO_2的生长及缺陷研究被引量：6
- 2001年
- 本文研究了直拉TeO2 晶体中的主要晶体缺陷形成机理 ,讨论分析了TeO2 单晶生长的工艺参数对晶体缺陷的影响。结果表明 :晶体裂缝主要与温度梯度有关 ,温度梯度大于 2 0～ 2 5℃ /cm及出现界面翻转时 ,易造成晶体的开裂 ,位错密度增加 ;晶体中的包裹体主要为气态包裹体 ,它的形成主要与籽晶的转速和晶体的提拉速度有关 ,转速 15～ 18r/min ,拉速 0 .55mm/h ,固液界面微凹 ,可以减少晶体中的气态包裹体 ;晶体台阶由晶体生长过程中温度和生长速度的起伏引起 ,当台阶间距较宽时 ,易形成包裹体。
- 季小红桑文斌刘冬华李冬梅钱永彪史伟民闵嘉华
- 关键词：声光晶体晶体缺陷工艺参数单晶生长直拉法
- ZnTe MOCVD过程中金属有机源双甲基锌和双异丁基碲热裂解研究
- 1996年
- 利用与ＭＯＣＶＤ系统相连接的四极质谱仪实时研究了金属有机源Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ在反应器中热裂解行为。报告了纯态Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ及其混合物在Ｈ２和Ｈｅ气氛中的热裂解实验结果，并进行了分析讨论，导出了可能发生的气相反应及热裂解机理。此外还探讨了Ｍｅ２Ｚｎ和Ｐｒｉ２Ｔｅ共裂解行为对ＺｎＴｅ外延生长的影响。
- 桑文斌K.DuroseA.W.BrinkmanJ.Woods
- 关键词：MOCVD裂解机理碲化锌
- Nd和Sb掺杂SnO_2纳米导电粉体的性能研究被引量：2
- 2005年
- 本文分别用 XRD、TG/ DSC/ DTG和 TEM等对 Nd和 Sb掺杂 Sn O2 纳米导电粉体的性能进行了研究。XRD测量结果表明 ,Sb掺杂 Sn O2 为替代型掺杂 ,Nd3 +与 Sn4+和 O2 -结合形成 Nd2 Sn2 O7。TG/ DSC/ DTA结果表明 ,75 0℃以前前驱体已失去全部水分 ,并完全转化为氧化物。 TEM测定结果表明 ,该粉体的粒径大约为 2 0— 30 nm。用四探针法测定该粉体的电阻率为 0 .35Ω· cm。
- 刘小珍桑文斌陈捷毛蕾
- 关键词：二氧化锡铌锑X射线衍射
- 聚合物在纳米微粒制备中的应用被引量：34
- 1998年
- 概述了近年来聚合物在纳米微粒制备中的应用，分析了应用极性高分子作为纳米微粒分散介质的可行性，讨论了用络合转换方法制备纳米微粒的普适性。
- 刘引烽桑文斌钱永彪钱永彪袁伟军史伟民闵嘉华史伟民陈培峰闵嘉华华家栋
- 关键词：纳米微粒纳米材料
- 芯片尺度封装中焊线的应力分析研究被引量：12
- 2003年
- 芯片尺度封装(CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。通过对WB-CSP器件中金线(GoldWire)所受应力的有限元模拟,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关。结果表明:由于热失配引起的金线应力最大处位于金线根部位置,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最大,最有可能发生断裂,引起器件的失效。模拟结果与实际失效情况相一致。此外,发现:当环氧树脂塑封料热膨胀系数为1.0×10-5/oC时,金线最大等效应力出现最小值,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的1/6;随着金线半径减小、焊点增大,金线所受应力也将减小。模拟结果对于WB-CSP封装设计具有一定的指导意义。
- 滕建勇金玮张奇桑文斌
- 关键词：芯片尺寸封装有限元模拟环氧树脂应力分析微电子封装
- Au-CZT与Au/Cr-CZT接触性能比较
- 2010年
- 本文通过附着力测试,应力模拟和IV特性及多道能谱分析对Au-CZT与Au/Cr-CZT接触进行研究。结果表明采用Au/Cr复合电极可提高电极附着强度和热稳定性。在老化实验中,Au-CZT界面附着力下降了61.98%,而Au/Cr-CZT仅降低28%。Au/Cr电极器件的漏电流较低,241Am射线下能谱响应更佳。分析其原因可能是Au与CZT间的Cr层降低了接触层内的热应力,合金化过程促进了金-半界面的互扩散,使Au和CZT更易形成欧姆接触,综合考虑Au/Cr复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能。
- 梁小燕闵嘉华赵岳王长君桑文斌秦凯丰胡冬妮周晨莹
- 关键词：复合电极CZT探测器
- 高灵敏度核辐射仪及其无线监测系统的研制
- 桑文斌田小林钱永彪徐宇辉谢广利江滨清陆国华史伟民闵嘉华秦凯丰王昆黍刘洪涛
- 简要技术说明该项目成功解决了CsI闪烁晶体的材料质量控制、表面加工处理、与半导体光电管的耦合及封装、低噪声高增益电荷灵敏放大器等关键技术，完成了新型高灵敏度闪烁晶体放射性传感器的设计与试制工作，研究成功并能批量生产传感器...
- 关键词：
- 关键词：传感器
