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武光明
作品数:
4
被引量:2
H指数:1
供职机构:
新疆石油学院
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刘昶时
新疆石油学院
刘芬
新疆石油学院
陈萦
新疆石油学院
靳涛
中国科学院新疆物理研究所
杨祖慎
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1999
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经软X射线辐照的InP的表面损伤态
1999年
采用X光激发光电子能谱(XPS)对经同步辐射软X光辐照的InP表面进行了分析。实验结果表明:InP表面辐照损伤与辐照X光的能量及剂量有关,尤其是具有近P原子K壳层共振吸收能量的软X光辐照与其它X射线辐照相比,其结果有所不同。文中就实验结果的机制进行了初步探讨。
刘昶时
靳涛
武光明
杨祖慎
关键词:
软X射线
辐照损伤
金属表面结构的变角XPS特征
被引量:1
1997年
采用仅改变阳极高压以获得不同激发光子流强的变角X光激发电子能谱(XPS),研究Al、Fe、Cu、Ta及W中光电子峰的表面结构效应。实验结果表明,在面心立方的Al及体心立方的Ta和W中均显示表面结构产生的衍射效应,而在Fe和Cu中未出现表面结构效应;所出现表面结构效应的差异与阳极高压及光子流的能量有紧密的关系。同时,在实验高压范围内存在一个产生表面结构效应的阳极电压阈值。文中就观察到的表面结构效应之差异的可能机制进行了初步探讨。
刘昶时
武光明
刘芬
陈萦
赵汝权
关键词:
单晶
XPS
金属
Si-SiO_2及其在电离辐照下的等离激元
被引量:1
1997年
用XPS分析技术对抗辐射加固与非加固的Si-SiO2进行了电离辐照前后Si的一级等离激元(定位于B.E.116.95eV)及SiO2一级等离激元(定位于B.E.122.0eV)的研究。实验结果表明:存在一个由这两种等离激元组成的界面,在电离辐射的作用下,此界面区向SiO2表面方向展宽,界面中心向SiO2表面方向移动;两种Si-SiO2界面区中的SiO2一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加,而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品;在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。
刘昶时
武光明
陈萦
陈萦
赵汝权
关键词:
等离激元
辐照剂量
集成电路
运动介质的极化和磁化
1991年
介质在静电场中会被极化,在静磁场中会被磁化。然而,运动介质在静电场中不仅会被极化,也可能被磁化,运动介质在静磁场中不仅会被磁化,也可能被极化。根据狭义相对论给出的电场和磁场的变换关系,得到极化和磁化之间的变换关系,指出介质的极化和磁化是相关联的。
崔立名
武光明
关键词:
电场
磁场
磁化
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