潘必才
- 作品数：27 被引量：54H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用
- 1995年
- 采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。
- 潘必才夏上达
- 关键词：硅多孔硅掺杂
- 外加应力诱导锯齿形ZnO纳米条带从金属到半导体的相变
- 利用第一性原理的方法研究了在沿周期性方向外加应力的作用下，不同宽度的锯齿形ZnO 纳米条带 几何构型和电子结构的变化规律。计算结果表明在外加应力下，这种锯齿形ZnO 纳米条带会转变为新的基态， 其相应的基态构型具有平滑的...
- 司杭潘必才
- 关键词：第一性原理计算外加应力
- 聚变堆中第一壁材料钨的紧束缚理论研究被引量：1
- 2021年
- 为研究辐照时处于电子激发态下第一壁材料钨(W)的结构演化规律和热力学性质,采用紧束缚方法对聚变堆中W的物理性质进行理论研究。结果表明,体系在高能粒子辐照下诱导的电子激发导致了体系中被辐照的区域自发出现微孔、晶格急剧膨胀、熔点下降等现象。具体地,在中等电子温度(~5000 K)以下,W的晶格膨胀主要由晶格温度驱动,但在电子温度较高时电子温度导致被辐照区域的晶格膨胀效应不可被忽略。特别是当电子温度很高(>10000 K)时,即便晶格温度不高,电子温度也会导致很大程度晶格膨胀。这对认识聚变堆中第一壁材料W在服役过程中的物理状态十分重要。
- 叶小彬何志海潘必才
- 关键词：钨熔点
- 锗团簇Ge_(65),Ge_(70),Ge_(75)的稳定结构及其电子结构性质被引量：3
- 2013年
- 将两种全局结构搜索方法(压缩液态法、遗传算法)与锗的紧束缚势模型相互结合,对Ge65,Ge70,Ge75的稳定结构进行了大规模的搜寻,提出能量较低的可能结构,然后进一步利用第一性原理方法对这些低能结构进行精确的优化计算,确定出了这三种尺寸团簇的基态结构.发现这三种团簇各具有两种稳定的并且能量相近的异构体:类球形和类椭球形,这与实验上报道的大尺寸团簇Gen(65≤n≤80)的结构特征相符合.简要地分析了这三种团簇基态结构的电子性质.
- 李鹏飞张艳革雷雪玲潘必才
- 关键词：遗传算法
- H_8Si_8O_(12) 和H_8Si_7TiO_(12)团簇的几何构型和电子结构的从头算研究被引量：1
- 2000年
- 应用HF、 MP2和杂化的B3LYP方法，使用3-21G基组，对H8Si8O12 和H8Si7TiO12团簇的几何构型、总能进行了计算，并在B3LYP/3-21G的水平上对硅原子的核磁共振化学位移进行了研究，得到的几何构型，以及核磁共振化学位移与实验结果进行了比较，发现吻合得很好。计算了H8Si８O12和H8Si7TiO12团簇的Mulliken布居数的大小。并对Si原子被Ti原子取代前后的H8Si８O12体系的几何构型、 Mulliken布居数的变化进行了比较和研究。
- 韩聚广潘必才施蕴渝
- 关键词：团簇电子结构从头算
- 用LMTO方法对清洁Nb(100)面电子结构的研究被引量：2
- 1994年
- 用LMTO-ASA方法计算了铌的体态密度和清洁Nb(100)表面的局域态密度以及有关的表面能。所计算的体态密度与用其它方法计算的态密度符合得很好,表面能则支持了低能电子衍射(LEED)动力学计算的结果,并且通过分析表面局域态密度,提出了清洁Nb(100)表面存在表面态,表面态位于费密能级的上方。
- 李永平张海峰潘必才
- 关键词：铌表面能局域态电子结构LMTO
- 钨基材料中氢的滞留及氢气泡的形成
- 钨(W)被认为是未来聚变堆最有前景的面向等离子材料。然而,氢(H)及其同位素在W体内缺陷处的聚集及氢气泡的形成严重制约着W作为面向等离子材料的使用寿命。基于第一性原理方法,我们研究了H在W的小角度晶界处的滞留行为。通过对...
- 何志海何海燕潘必才
- 关键词：钨小角度晶界铍
- 文献传递
- 几种新的碳的同素异形体
- 素有多种同素异形体,比如金刚石、石墨、非晶碳、富勒烯、碳纳米管、石墨烯等.近年来,以这些材料为基础,对其进行压缩、拉伸、掺杂、裁剪、组装,可以获得大量新的材料,这些新材料极大地拓宽了碳元素材料的性质.
- 杨良何海燕潘必才
- 关键词：结合能碳原子
- 关于多孔硅制备和金钢石薄膜生长中的若干理论研究
- 潘必才
- 人工金刚石薄膜生长过程中有关反应活性的研究被引量：1
- 1995年
- 用原子簇团模拟人工金刚石膜生长过程中的一些生长核,采用从头自治的DV-X_n方法对这些簇团和与生长过程有关的一些气相分子和基团(CH,CH_2,CH_3,·CH_3,CH_4·H,C_2H,C_2H_2,C_2H_4)进行了电子结构计算,从化学反应活性的角度探讨金刚石膜生长过程中这些气相分子和基团与生长核的反应活性,结果表明,CH,CH_2,CH_3,CH_4·H和变形的C_2H_2更易于与金刚石表面发生化学吸附。另外,通过分析簇团的电子态密度和前线分子轨道的组成情况,提出了人工金刚石膜生长中生长核长大的图象。
- 潘必才夏上达方容川
- 关键词：金刚石薄膜生长反应活性
