王颖
- 作品数：28 被引量：29H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学核科学技术更多>>
- 三维阵列电极粒子像素辐射探测器的终端结构仿真研究
- 2015年
- 在新型绝缘衬底上硅互补金属氧化物半导体（SOI CMOS）粒子像素（ASCP）探测器结构基础上,提出背部沟槽终端结构.采用二维和三维器件仿真对比研究有源边界终端结构,结果表明：背部沟槽终端结构会在沟槽拐角处形成电场峰,同像素内N＋沟槽底端电场等效对称,改善衬底电场分布,提高像素探测器终端耐压.在等效中子辐射流通量0-10^16cm^-2内,背部沟槽终端和有源边界终端的边缘像素有相近的电荷收集特性.此外,还分析了ASCP探测器的粒子角度入射特性.
- 胡海帆王颖陈杰
- 关键词：终端结构沟槽电荷收集
- 非对称型门极换流晶闸管的优化设计被引量：1
- 2007年
- 根据半导体器件的设计特点和设计原则,对600 A/3 000 V非对称型门极换流晶闸管进行了结构参数的优化设计,得到了材料参数与结构参数的关系.阴极采用条状同心环单元发射极排列结构,不仅可以提高单元承受应力的能力,而且可使单元均匀性得到改善.应用数值分析,使器件的透明阳极和缓冲层等关键结构的掺杂分布、区域宽度以及少子寿命得到优化,计算结果满足设计的要求.
- 王颖赵春晖曹菲邵雷
- 关键词：功率半导体器件优化设计门极换流晶闸管缓冲层透明阳极
- 缓冲层与透明阳极结构对GCT通态特性的影响被引量：2
- 2006年
- 在建立GCT器件模型的基础上,研究了缓冲层与透明阳极结构对GCT性能影响。模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的总杂质量是决定GCT的通态压降的关键因素。通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的总杂质量,降低GCT的通态压降。此外,缓冲层和透明阳极相结合结构加速了器件关断过程中载流子的泄放,改善了GCT关断性能。这些结果对于进一步优化GCT器件设计与制造有着重要的参考价值。
- 吴春瑜朱长纯王颖朱传森
- 关键词：GCT缓冲层透明阳极通态压降
- 500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
- 2012年
- 介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.
- 邵雷李婷陈宇贤王颖
- 关键词：横向绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降阈值电压特征导通电阻
- 抗辐射加固的Σ-Δ调制器设计被引量：1
- 2014年
- 针对辐射环境下的传感器应用，设计了一种抗辐射加固的∑－△调制器。通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数。通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量（TID）辐射引起的阈值偏移下仍然工作在饱和区。该调制器用3阶MASH结构实现，为了获得更好的线性度，采用单位量化技术。在TSMC2P4M工艺下，信号带宽为22kHz，电源电压3．3V，采样时钟频率为11．264MHz。仿真结果表明，功耗为39mw，可达到17bit以上的有效转换位数。在温度-40～85℃及辐射剂量100Mrad以下范围内，该设计均保持17bit以上的有效转换位数，能够在极端环境下有效工作。
- 杜斌王颖陈杰刘云涛
- 关键词：∑-△调制器抗辐射加固全差分运算放大器
- Sigma-Delta微加速度计非理想因素建模与系统级设计被引量：2
- 2011年
- 为了简化Sigma-Delta(ΣΔ)微加速度计接口电路晶体管级的仿真和优化,建立了系统中的非理想因素模型,并在此基础上完成了一种单环结构的ΣΔ微加速度计的系统级设计。分析了敏感结构中固定极板运动、时钟抖动、开关热噪声、运算放大器噪声等非理想因素对系统的影响,并分别建立了Simulink模型。基于所建模型,设计了一种ΣΔ微加速度计的精确的Simulink模型。系统级仿真结果表明:二阶系统的信号-噪声-谐波失真比(SNDR)为70.1dB,有效位(ENOB)为11.36位,四阶系统的SNDR为92.7dB,ENOB为15.7位。对比于晶体管级仿真结果,基于本文所建立的非理想因素模型的系统仿真可以准确地表述出系统性能,同时大大缩短了仿真时间,简化了传感器设计中的参数优化过程。
- 刘云涛刘云涛
- 关键词：微加速度计SIGMA-DELTA系统级建模非理想因素
- 等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响被引量：3
- 2007年
- 进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型。计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响。利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响。同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用。
- 王颖曹菲吴春瑜
- 关键词：钝化
- 应变Si/SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析
- 2010年
- 提出一种应变Si/SiGe UMOSFET结构,并与Si-UMOSFET器件的电流-电压特性进行比较;对SiGe区域在UMOSFET器件中的不同厚度值进行静态电学仿真。应变Si/SiGe异质结能够有效地提高沟道区载流子的迁移率,增大IDS,降低Vth及器件的Ron;且应变异质结与载流子有效传输沟道距离的大小,对器件的Vth、Isat、V(BR)DSS及电流-电压特性都有较大的影响。因此在满足击穿电压要求的基础上,应变Si/SiGe沟道异质结的UMOSFET相对Si-UMOSFET在I-V特性和Ron方面有较大的改进。
- 胡海帆王颖程超
- 关键词：功率器件电流-电压特性
- 功率半导体器件终端SIPOS/PI复合钝化结构研究
- 2010年
- 本文采用直流辉光放电法在台面功率半导体器件上生长SIPOS钝化膜.研究结果表明,SIPOS钝化的功率器件性能要好于聚酰亚胺钝化的功率器件,可以有效地提高功率器件的可靠性.基于此提出了SIPOS/PI复合钝化结构来改善台面功率半导体器件的表面特性.
- 郑英兰王颖钟玲吴春瑜
- 关键词：半绝缘多晶硅漏电流钝化
- 铜(钛)和铜(铬)自形成阻挡层性能表征被引量：1
- 2017年
- 采用直流磁控溅射法分别将Cu(Ti)和Cu(Cr)合金层沉积在SiO_2/Si衬底上,随后将制得的样品在真空(2×10^(-3)Pa)中退火1 h,退火温度为300~700℃。对Cu(Ti)及Cu(Cr)自形成阻挡层进行对比研究,通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)观察并表征样品的微观结构。通过半导体分析仪测试样品的电学性能,并分析了其热稳定性。结果表明,在Cu膜中分别加入少量的Ti或Cr可使Cu沿<111>晶向择优取向生长。两种样品交界面处的Cu及Si元素含量迅速下降,表明在交界面处自形成阻挡层,抑制了Cu与Si元素之间的扩散。Cu(Ti)/SiO_2/Si和Cu(Cr)/SiO_2/Si样品漏电流测试结果表明,Cr自形成的阻挡层具有更好的热稳定性。
- 李富银王颖唐彬浛
- 关键词：阻挡层
