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罗帅

作品数：26 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划北京市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇会议论文
  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇医药卫生
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇理学

主题

  • 14篇激光
  • 14篇激光器
  • 12篇量子点
  • 8篇量子点激光器
  • 7篇INAS
  • 6篇磷化铟
  • 6篇MOCVD
  • 5篇砷化铟
  • 5篇发光
  • 5篇INP基
  • 4篇量子
  • 4篇盖层
  • 4篇GAAS
  • 3篇调谐
  • 3篇微米
  • 3篇量子阱激光器
  • 3篇可调
  • 3篇可调谐
  • 3篇缓冲层
  • 3篇光波

机构

  • 26篇中国科学院
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇华北电力大学

作者

  • 26篇罗帅
  • 24篇杨涛
  • 22篇季海铭
  • 10篇高凤
  • 8篇杨晓光
  • 4篇王占国
  • 2篇黄建亮
  • 2篇曹玉莲
  • 2篇张艳华
  • 2篇马文全
  • 2篇黄文军
  • 2篇刘珂
  • 1篇白一鸣
  • 1篇杜文娜
  • 1篇吕尊仁
  • 1篇许峰

传媒

  • 3篇第13届全国...
  • 3篇第十二届全国...
  • 1篇中国激光
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇第十届全国分...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 9篇2015
  • 3篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2012
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生...
罗帅季海铭杨涛
文献传递
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周...
杨涛高凤罗帅季海铭
文献传递
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法
一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延...
罗帅季海铭杨涛
基于MOCVD高性能InP基2~3μm量子阱激光器
我们报道利用金属有机化学气相沉积技术制备高性能的2～3 μm InAs/InGaAs/InP 量子阱激光器。
罗帅季海铭高凤许锋杨晓光王占国杨涛
关键词：金属有机化学气相沉积激光器
实现1.9微米光荧光发射的亚原子层沉积的超薄间隔层GaAs基InAs量子点结构
本文报导了对含有超薄间隔层的亚原子层InAs量子点光学波长的研究.实验结果表明采用这种量子点矩阵的波长可以超过1.9 μm.具体的制备工艺是生长多个周期的InAs亚原子层,这些InAs亚原子层之间都由超薄的材料间隔开来,...
刘珂马文全黄建亮张艳华曹玉莲黄文军罗帅杨涛
MOCVD生长高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点
高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点。通过采用两步盖层生长InGaAsP隔离层，以及对In...
罗帅季海铭杨涛
关键词：INASINP量子点MOCVD
基于弯曲波导结构的宽带可调谐InAs/InP量子点激光器
高凤罗帅季海铭杨涛
磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法
一种磷化铟基窄脊波导半导体激光器的制备方法，包括如下步骤：在磷化铟基外延片P面接触层上进行光刻，将光刻版上条形脊波导的图形转移到光刻胶上；以光刻胶为掩膜，腐蚀掉部分磷化铟基外延片上没有被光刻胶保护的P面接触层部分，形成脊...
杨涛许峰罗帅高凤季海铭
文献传递
实现1.9微米光荧光发射的GaAs基InAs/GaAs量子点结构
刘珂马文全黄建亮张艳华曹玉莲黄文军罗帅杨涛
图形衬底上InAs纳米线阵列的MOCVD无催化生长
本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
王小耶史团伟李天锋杨晓光罗帅季海铭陈清杨涛
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