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胡长虹

作品数：3 被引量：15H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇列阵
  • 3篇激光
  • 2篇准连续
  • 2篇量子阱激光器
  • 2篇激光二极管
  • 2篇激光器
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇ALGAAS...
  • 1篇砷化镓
  • 1篇激光器列阵
  • 1篇功率
  • 1篇大功率

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇肖建伟
  • 3篇李秀芳
  • 3篇鲁琳
  • 3篇方高瞻
  • 3篇胡长虹
  • 3篇刘宗顺
  • 3篇刘素平
  • 2篇马骁宇
  • 1篇谭满清
  • 1篇王梅

传媒

  • 2篇高技术通讯
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1998
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
157W准连续AlGaAs/GaAs激光二极管线列阵被引量：7
2000年
通过优化设计量子阱结构和列阵结构，减小腔面光功率密度，避免器件腔面灾变损伤，得到１ｃｍ ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ 激光二极管线列阵，在热沉温度２１℃，脉冲宽度２００μｓ，重复频率１００Ｈｚ时，输出峰值功率达１５７Ｗ．
方高瞻肖建伟马骁宇谭满清刘宗顺刘素平胡长虹鲁琳李秀芳王梅
关键词：激光二极管列阵砷化镓
准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵被引量：11
1998年
研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术，研制出６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ（２０Ｈｚ，２００μｓ），电－光转换效率高达４３．３％。
肖建伟刘宗顺刘素平方高瞻胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
关键词：量子阱激光器列阵大功率半导体激光器
连续输出 20W AlGaAs/GaAs 量子阱激光二极管线列阵被引量：1
1998年
采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。
肖建伟马骁宇方高瞻刘素平刘宗顺胡长虹李秀芳鲁琳徐素娟
关键词：量子阱激光器列阵激光二极管半导体激光器
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