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蔡林希
作品数:
17
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电子科技大学
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张波
电子科技大学
乔明
电子科技大学
李燕妃
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许琬
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吴文杰
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2016
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一种部分SOI超结高压功率半导体器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件,其特征在于,还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层,所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中,所述P型电...
乔明
蔡林希
章文通
胡利志
张波
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一种快速放电的光电继电器
一种快速放电的光电继电器,属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路;输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED(11)构成,光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管...
乔明
许琬
蔡林希
李燕妃
吴浩然
张昕
吴文杰
张有润
张波
文献传递
一种快速放电的光电继电器
一种快速放电的光电继电器,属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路;输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED(11)构成,光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管...
乔明
许琬
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一种横向高压功率半导体器件
一种横向高压功率半导体器件,属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构;终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻,相比传统横向超结器件,纵向超结元胞结构减小了...
乔明
章文通
李燕妃
许琬
蔡林希
吴文杰
陈涛
胡利志
黄健文
张波
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一种PSOI横向高压功率半导体器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET,其特征在于,在源端下方引入第二导电类型半导体埋层,避免载流子在源端过度集中,减小器件在源端的功耗,从而改善器件的自...
乔明
李燕妃
许琬
胡利志
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一种横向超结高压功率半导体器件
一种横向超结高压功率半导体器件,属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构、终端结构和漏极引出结构;终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围,漏极引出结构位于终端结构的外侧或外围;纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降...
乔明
李燕妃
章文通
吴文杰
许琬
蔡林希
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胡利志
黄健文
张波
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一种高速光电继电器
一种高速光电继电器,属于电子技术领域,涉及光电继电器。本发明针对现有内置光电控制电路的光电继电器由于放电速度慢导致继电器关断速度较慢的技术问题进行改进。采用双级或多级三极管级联构成达林顿管作为控制电路中的放电通道,级联后...
乔明
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一种横向集成SOI半导体功率器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种具有n<Sup>+</Sup>埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。本发明的其元胞结构包括依次层叠设置的衬底、埋氧层和SOI层,还包括高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压...
乔明
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一种高压器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上,包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺...
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一种横向高压功率半导体器件
一种横向高压功率半导体器件,属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构;终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻,相比传统横向超结器件,纵向超结元胞结构减小了...
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