万积庆
- 作品数：11 被引量：16H指数：2
- 供职机构：湖南大学物理与微电子科学学院应用物理系更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理更多>>
- 解剖进口集成电路时去黑胶的方法
- 1981年
- 我们在解剖莫托洛拉公司产品——微处理机的时钟电路时,撬开外壳只见一层黑胶,不见集成电路蕊片,如图所示。为了得到集成电路芯片,开初我们分别使用过丙酮,甲苯、丁酮、汽油,四氢呋喃和二甲基甲酰胺等进行试验都没有把黑胶去掉。
- 万积庆
- 关键词：引线
- 大功率晶体管刻槽与钝化工艺研究被引量：2
- 1989年
- 本文介绍一种光刻刻蚀造型和聚酰亚胺钝化方法.这一新方法称耗尽层刻蚀,它可以使平面型晶体管达到理想击穿电压,而只需用负角斜面所占面积的一部份,且其实际击穿电压取决于对刻蚀深度的细心控制. 实验证明:采用这一新方法可以改善功率晶体管的击穿特性;减少低压击穿;抑制小电流H_(FE)退化;减小表面漏电和改善高温反向特性.
- 万积庆廖晓华
- 关键词：晶体管大功率刻蚀钝化
- 加密电路HU－001研制被引量：3
- 1994年
- 加密电路ＨＵ－００１研制万积庆，周志仁，陈迪平，曾云（湖南大学物理系，长沙４１００１２）计算机系统的安全保密是计算机数据处理时在硬件和软件方面采取的保密措施实施安全保密的目的是保护软件版权不受侵犯，目前常采用固化软件，而ＲＯＭ是软件载体，近年磁卡的伪...
- 万积庆周志仁陈迪平曾云
- 关键词：计算机加密电路
- 非单调线性变化且可变位的双DAC电路设计被引量：1
- 1996年
- 本文设计了一个数字输入和模拟输出呈斜锯齿波变化且位数可在７、１１、１５、１９位４种结果中选择的双ＤＡＣ电路。它设计在一单片机内，作掌型电脑的声音控制。
- 周志仁章颖芳万积庆
- 关键词：DAC单片机电路设计数-模转换器
- 场限环与场板复合结构浅平面结高压器件设计被引量：8
- 1996年
- 采用场限环和场板复合结构的浅平面结高压器件，比单一采用场限环或场板结构，具有更好的击穿电压重复性及一致性。本文根据简化的二维泊松方程，对环间距、环数以及场板宽度进行计算，可作为这种结构的设计参考。
- 万积庆陈迪平
- 关键词：半导体器件场限环高压器件
- 读写存储器分页加密原理
- 1996年
- 采用ＨＵ－００２电路对读写存储器进行分页加密，使用户运行在指定的存储区内，实现了防止对加密存区的非法访问和非法修改。
- 万积庆陈迪平周志仁
- 关键词：电路加密
- 离子注入展宽p-n结终端被引量：1
- 1992年
- 研究了离子注入展宽p-n结终端工艺,介绍了离子注入剂量或者注入净电荷选择理论.实验证明采用本工艺获得产品的击穿电压高于耗尽层刻蚀工艺所得产品的击穿电压.
- 万积庆陈迪平廖晓华
- 关键词：离子注入击穿电压刻蚀
- HU－001电路的加密原理
- 1996年
- 提出一种用于ＲＯＭ加密的方法，成功地研制出ＨＵ－００１加密电路．通过加密电路加密的ＰＲＯＭ具有很高的可靠性，能较有效地防止存入ＰＲＯＭ程序和数据被破译和复制．
- 万积庆周志仁陈迪平曾云
- 关键词：计算机存贮器加密
- 巨型功率晶体管场限环研究被引量：2
- 1993年
- 通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.
- 万积庆
- 关键词：PN结击穿电压场限环功率晶体管
- 场板结构浅平面结高压器件
- 1995年
- 本文采用浅平面结制作场板结构高压器件。根据二维模拟器件击穿电压分析结果选择器件参数：结深，场氧化层厚度，场板宽度和内部电极间距。实测结果，半绝缘钝化结构击穿电压的计算值与实验值相差较大，而绝缘层钝化结构的两者较接近。
- 万积庆
- 关键词：场板结构高压器件集成电路
