于光龙
- 作品数：34 被引量：73H指数：5
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究被引量：22
- 2004年
- 以Li2CO3、Nb2O5、K2CO3为初始原料,采用Pechini法制备了铌酸锂(LiNbO3)陶瓷。用XRD、SEM等分析了LiNbO3陶瓷的结晶特性。分析结果表明Li2O对于铌酸锂陶瓷的烧结及致密度有着重要的影响,经980℃烧结得到的LiNbO3陶瓷晶粒发育良好,当烧结温度>1100℃时,Li2O有较大的损失,所得到的LiNbO3陶瓷组分与化学计量比有一定偏差。因此应采用多种技术方法来减少Li2O的损失以得到致密、结晶性良好的铌酸锂陶瓷。
- 陈强肖定全吴家刚方瑜王媛玉袁小武于光龙熊学斌朱建国
- 关键词：铌酸锂陶瓷
- 基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法
- 2005年
- 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关.
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长氧化物
- 白钨矿结构Ba_(1-x-y)Sr_xCa_yMoO_4晶态薄膜电化学制备机制分析被引量：3
- 2005年
- 基于本项目组采用恒电流技术直接在金属钼片上以电化学方法制备具有白钨矿结构的钡、锶、钙(包括其复合体系)钼酸盐(Ba1-x-ySrxCayMoO4)薄膜的实验研究结果,分析了利用电化学方法制备功能薄膜中的成膜机制,讨论了晶态薄膜电化学制备过程中的电流密度、电解液酸度、沉积温度和溶液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响。该研究结果对利用电化学方法制备相关薄膜也具有重要参考意义。
- 杨祖念高道江毕剑余萍陈连平于光龙肖定全
- 关键词：白钨矿结构电化学制备恒电流技术沉积温度项目组
- 沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响被引量：1
- 2005年
- 报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.
- 谭浚哲朱基亮张青磊吴家刚于光龙朱建国肖定全
- 关键词：MONTE扩散晶胞
- Pechini方法制备纳米级Pb_(1-x)Ca_xZrO_3陶瓷被引量：3
- 2004年
- 采用Pechini方法制备了PCZ(x)纳米粉体,并用PCZ(x)纳米粉体制备了PCZ(x)陶瓷。用激光粒度分析仪分析了PCZ(x)纳米粉体的平均粒径。利用XRD、LCR测试仪、SEM等分析手段表征了PCZ(x)陶瓷的结构及介电性能。结果表明用PCZ(x)纳米粉体在1 250℃下烧结的配方为Pb0.65Ca0.35ZrO3的陶瓷具有最高的钙钛矿相含量以及最大的介电常数。PCZ(x)陶瓷晶粒细小,晶界完整。
- 熊学斌肖定全陈强袁小武于光龙方喻朱建国
- 关键词：纳米陶瓷反铁电体
- 钼酸钡薄膜的室温电化学制备工艺技术研究被引量：6
- 2005年
- 采用恒电流型电化学技术在室温环境下制备出了结晶良好的致密的钼酸钡薄膜;深入研究了沉积时间、pH值对薄膜生长的影响,找到了比较适宜的制备工艺;分析讨论了沉积时间对晶格常数的影响.在本实验条件下,溶液的碱度调控在13～14之间时,可以通过阳极氧化法得到结晶良好的BaMoO4薄膜;当电流密度为1mA/cm2及电极间距为2cm时,如果要得到致密的薄膜,沉积时间必须在100min以上.
- 陈连平肖定全毕剑余萍杨祖念于光龙朱建国
- 关键词：恒电流技术电化学
- Cr/Cu/Ag/Cu/Cr新型银基复合薄膜电极的防氧化性能研究被引量：3
- 2011年
- 采用直流磁控溅射技术和光刻工艺制备了Cr/Cu/Ag/Cu/Cr复合薄膜及其电极,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响。Ag层与最外层的Cr层之间的Cu层不仅增强了Cr和Ag之间的粘附力,而且起到了牺牲层和氧气阻挡层的作用;Cr和Cu对Ag的双重保护使得薄膜电极在温度小于500℃时电阻率保持较为稳定,约为3.0×10-84.2×10-8Ω·m之间。然而由于电极表面氧化和边沿氧化的共同作用,薄膜电极的电阻率在热处理温度超过575℃出现了显著的上升。尽管如此,Cr/Cu/Ag/Cu/Cr薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极,满足场发射平板显示器封接过程中的热处理要求。
- 翁卫祥贾贞于光龙李昱郭太良
- 关键词：薄膜电极表面形貌
- 用于三极式场发射阴极的无机绝缘膜和聚酰亚胺复合膜
- 本发明提供一种有机无机叠层复合的绝缘膜的结构及其制备方法，用于场发射平板显示器。该方法所述复合绝缘膜由无机绝缘膜和聚酰亚胺膜叠加而成，沿着从场发射阴极基板到阳极的方向复合绝缘膜中无机绝缘膜和聚酰亚胺膜的排列方式为无机绝缘...
- 袁军林翁卫祥于光龙郭太良
- 基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论
- 2005年
- 根据本文作者提出的以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度,并根据一般研究中采用的实验条件,分别取沉积速率为0.00125ML/s和0.004ML/s(单层/秒,Mono-layer/second,以下同),基底温度为500K～800K.模拟结果表明,随着基底温度的升高,薄膜中SrO分子和Ti O2分子的数目逐渐减少,当超过某一临界温度,薄膜为完全的SrTi O3薄膜;而且随着沉积速率的升高,同质外延生长SrTi O3的最低温度也随之升高.
- 张青磊朱基亮谭浚哲于光龙吴家刚朱建国肖定全
- 关键词：MONTECARLO模拟薄膜生长氧化物
- 用于三极式场发射阴极的无机绝缘膜和聚酰亚胺复合膜
- 本发明提供一种有机无机叠层复合的绝缘膜的结构及其制备方法，用于场发射平板显示器。该方法所述复合绝缘膜由无机绝缘膜和聚酰亚胺膜叠加而成，沿着从场发射阴极基板到阳极的方向复合绝缘膜中无机绝缘膜和聚酰亚胺膜的排列方式为无机绝缘...
- 袁军林翁卫祥于光龙郭太良
- 文献传递
