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吕杭炳

作品数:254 被引量:32H指数:3
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 239篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 58篇自动化与计算...
  • 20篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 178篇存储器
  • 65篇电极
  • 36篇电路
  • 35篇电阻
  • 32篇微电子
  • 29篇金属
  • 25篇电流
  • 22篇氧化物
  • 21篇衬底
  • 20篇选通
  • 19篇电压
  • 17篇纳米
  • 16篇阵列
  • 16篇阻挡层
  • 16篇SUB
  • 13篇细丝
  • 13篇功耗
  • 12篇脉冲
  • 10篇低功耗
  • 10篇铁电

机构

  • 223篇中国科学院微...
  • 31篇复旦大学
  • 5篇硅存储技术公...
  • 2篇兰州大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京信息科技...
  • 1篇清华大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇华为技术有限...
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇上海华力微电...

作者

  • 254篇吕杭炳
  • 213篇刘明
  • 158篇刘琦
  • 131篇龙世兵
  • 39篇许晓欣
  • 36篇罗庆
  • 26篇李颖弢
  • 25篇刘璟
  • 25篇林殷茵
  • 23篇谢常青
  • 22篇张康玮
  • 22篇孙海涛
  • 20篇王艳
  • 17篇王明
  • 16篇路程
  • 15篇张美芸
  • 14篇连文泰
  • 14篇李泠
  • 13篇陈邦明
  • 12篇张森

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇中国材料进展
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇微纳电子与智...

年份

  • 3篇2024
  • 14篇2023
  • 12篇2022
  • 19篇2021
  • 25篇2020
  • 21篇2019
  • 12篇2018
  • 25篇2017
  • 17篇2016
  • 13篇2015
  • 22篇2014
  • 18篇2013
  • 24篇2012
  • 4篇2011
  • 8篇2010
  • 12篇2008
  • 1篇2007
  • 4篇2006
254 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种存储器
本申请公开了一种存储器,包括:主阵列,用于存储待存储的数据;ECC区域,用于对所述主阵列进行错误编码纠正;冗余资源,用于对所述主阵列和所述ECC区域进行冗余修复;其中,所述冗余资源、所述主阵列和所述ECC区域顺序排列在一...
张君宇刘璟吕杭炳张锋刘明
文献传递
阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器,其特征在于,所述阻变存储器自下而上依次包括下电极层、铁电材料层和上电极层,其中,所述铁电材料层包括经掺杂的HfO<Sub>2</Sub>铁电薄膜。
罗庆吕杭炳刘明许晓欣路程赵盛杰
文献传递
集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域,具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括:在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后,沉积金属层间介质层;之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开,形成第一...
吕杭炳刘明龙世兵刘琦王艳花牛洁斌
存储器件的读取方法
本发明公开了一种存储器件的读取方法,所述存储器件包括阻变存储器和与阻变存储器串联的选通管,该方法包括:选择读取电压,使得当阻变存储器处于低阻态时选通管开启,以及当阻变存储器处于高阻态时选通管不开启;以及根据读取得到的电阻...
罗庆吕杭炳刘明
文献传递
存内计算电路
本公开提供了一种存内计算电路。所述电路包括信号输入单元(1)、第一1T1R单元(2)、第二1T1R单元(3)以及输出单元(4),其中:信号输入单元(1)用于输入第一电压信号、第二电压信号和第三电压信号,第一电压信号用于驱...
钱其昌窦春萌刘琦张君宇刘璟吕杭炳刘明
文献传递
一次编程存储器及其制备方法
本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括:下电极;上电极;以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜;上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒,阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功...
刘明张康玮龙世兵谢常青吕杭炳刘琦
文献传递
一种自选通阻变存储器单元及其制备方法
本发明公开了一种自选通阻变存储器单元及其制备方法,属于存储器技术领域。该自选通阻变存储器单元包括:包含有多层导电下电极的堆叠结构;刻蚀该堆叠结构而形成的垂直沟槽;在该垂直沟槽内壁及底部形成的M<Sub>8</Sub>XY...
吕杭炳刘明刘琦龙世兵
文献传递
非挥发性阻变存储器件及其制备方法
一种非挥发性阻变存储器,包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极,其特征在于:在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层,能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后,形成的金属离子只能通过多...
刘琦刘明孙海涛吕杭炳龙世兵瑞塔姆·白纳吉张康玮
文献传递
基于树模型的虚拟测量算法在半导体制造中的应用
2020年
半导体制造是一个大批量多阶段生产的系统,工艺技术复杂、工序步骤繁多,稍有不慎就可能使晶圆的表面和内部产生缺陷,从而影响生产的质量和效率。将半导体制造业和互联网技术相结合,可以提高生产制造的效率和质量,降低成本和损耗。本文将进行数据采集和预处理,从数据中选择并提取出重要特征,并使用树模型中随机森林和梯度提升树两种算法来实现W plug中对电阻率的虚拟测量。实验结果表明,本文提出的方法与传统算法相比,测量误差减少近50%,能够准确预测出生产过程中电阻率变化的趋势,捕获到异常点;在实际的生产环境之中可以及时的给生产线上报警。
周江兵吕杭炳
关键词:特征提取
一种神经元电路以及神经网络电路
本发明公开了一种神经元电路,包括忆阻元件、触发元件、反馈元件以及与门电路,其中忆阻元件用于接收激励信号,触发元件与忆阻元件连接,并接收电路的时钟控制信号与忆阻元件输出的信号,反馈元件用于连接触发元件的输出端以及忆阻元件的...
刘琦张续猛刘明吕杭炳龙世兵
文献传递
共26页<12345678910>
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