吴文彬
- 作品数：47 被引量：24H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_y单晶相结构的热不稳定性与超导电性之间的关系
- 1997年
- 在空气中450℃时Bi2212相开始发生相分解,在450～550℃温区出现的相分解情况与热处理气氛关系不大;而在更高的温度,其相分解在氧气中比在氮气中剧烈得多。另一方面,经450℃以下温度退火后,Tc和△Tc都基本不变;在450～550℃退火后Tc都升高到85～86K,而几乎与气氛和时间无关;经550℃以上温度退火后,单晶的Tc都有升高,但经氮气退火后的Tc要比经氧气退火后的Tc高;热处理后单晶的超导转变宽度△Tc也反映基本相同的规律,即在450～650℃温区退火后△Tc很窄,仅0.5～1K,而在此范围之外的温度下退火后△Tc与处理前的一样,都较宽。以上结果表明热处理对Bi2212单晶超导电性的影响仅用氧含量的变化是不能给予很好的解释的,而相分解对Bi2212超导电性的变化起着重要的作用。
- 李晓光孙学峰吴文彬汪良斌石磊朱警生周贵恩张裕恒
- 关键词：相分解超导电性单晶
- YBaCuO超导薄膜90°晶畴的X射线衍射研究
- 1993年
- 高温超导体在电子学方面的实际应用主要归因于高质量超导薄膜的制备。与Bi系,TF系的薄膜相比,YBaCuO体系薄膜的性能最好。目前制膜的方法有DC磁控溅射、激光沉积、金属化学气相沉积、分子束外延和电子束蒸发等。采用前两种方法得到的Y系薄膜的临界温度和临界电流密度一般分别为90K和10~6 A/cm^2(77K)。然而,当加入一定的磁场之后,临界电流密度迅速下降,因此,高温超导材料在强电下的应用仍有一定的困难。
- 李晓光石磊贾云波吴文彬周贵恩戚震中石旺舟石建中姚伟国张裕恒
- 关键词：YBACUOX射线衍射超导体
- 锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是按照包括如下步骤的方法制备得到的：利用脉冲激光沉积的方法，在NdGaO<Sub>3</Sub>(110)单晶基片上外延生长(La<Sub>1-X</Sub>P...
- 张福恒谌平凡黄振吴文彬
- 文献传递
- 一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法
- 本发明提供了一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法，本发明提供的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜通过将CaRu<Sub>0.5</Sub>Ti<Sub>0.5</Sub>O<Sub>3</Sub>作为势垒材料，将钙...
- 吴文彬陈斌斌徐浩然
- 文献传递
- 衬底及掺杂对(La1-xPrx)0.67Ca0.33MnO3单晶外延薄膜物性的调制
- 掺杂锰氧化物而言,基于Jahn-Tellar 晶体结构畸变的强声子-电子耦合作用,会影响材料的金属－绝缘转变,巨磁阻,各向异性磁阻,相共存等性质.块材La5/8-yPryCa3/8MnO3 体系中,随着Pr 掺杂量的增加...
- 谌平凡黄振吴文彬
- 不同X射线衍射几何分析多层薄膜的外延与匹配关系
- 复杂氧化物,如SrTiO、Pb(ZrTi)0、YBaCu O和(LaSr)Mn0,是一类重要的功能材料。它们同属于钙钛矿或类钙钛矿型结构,但有不同的物理性质,如介电性、铁电性、高温超导电性和巨大磁致电阻效应等。随着薄膜科...
- 吴文彬黄健洪周贵恩
- 文献传递
- 具有各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种具有大各向异性磁阻效应的锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是由NdGaO<Sub>3</Sub>单晶基片和在所述NdGaO<Sub>3</Sub>单晶基片上外延生长的La<Sub>0.67</S...
- 王凌飞黄振吴文彬
- 高温超导材料及其相关微结构与电磁行为研究
- 李晓光孙学峰范晓娟吴文彬周贵恩
- 在高温超导材料及相关体系的微结构与电磁特性的研究中取得了重要成果，微结构与超导电性之间关系研究取得新进展，磁通动力学研究出新现象，超导机理研究获得新证据，团蔟玻璃动态力学行为有新发现，为解决材料的实用化和导电机理论题提供...
- 关键词：
- 关键词：高温超导材料磁通动力学微结构超导电性
- 高温超导材料及相关体系的微结构与电磁特性研究
- 李晓光孙学峰范晓娟吴文彬周贵恩
- 该项目用自助熔剂法在国际上首次生长出高品质的PrBi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy（Bi2212）系列单晶。明确给出结构畸变与超导电性之关系。在探讨超导机理的过程中发现Bi2212体系存在分加紧对应于CuO_2层内和...
- 关键词：
- 关键词：超导材料电磁特性微结构
- 透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种透明外延p-n异质结薄膜及其制备方法。该薄膜，包括作为单晶衬底基片的SrTiO<Sub>3</Sub>和位于单晶衬底基片之上的La<Sub>x</Sub>Sr<Sub>1-x</Sub>SnO<Sub>3...
- 焦兴利王海峰刘亲壮吴文彬
