唐文国
- 作品数：19 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 应变单量子阱InGaAs／GaAs的光谱研究
- 1994年
- 应变单量子阱ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ的光谱研究沈文忠，唐文国，沈学础（中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海２０００８３）近来，人们对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格和量子阱结构产生了浓厚的兴趣是基于高速器件设计的需要。随着...
- 沈文忠唐文国沈学础
- 关键词：INGAAS/GAAS光谱研究
- CdTe：O的光致发光光谱
- 唐文国李忠寿张素英
- 关键词：光致发光光谱分析半导体晶体碲化镉
- 退火对 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光和红外吸收谱的影响
- 1991年
- 本文报道了经300℃到800℃退火后的氢化非晶硅(a-Si∶H)/氢化非晶氮化硅(a-SiN_x∶H)多层膜77K 的光致发光性能。77K 的光致发光峰值能量随 T_a 增加而减少,其减少速度对几种样品是不同的,由厚度为20(?)的 a-Si∶H 子层组成的多层膜(d_(?)=20(?))要来得慢。当退火温度达到800℃时,d_(?)=20(?)的多层膜仍保留有光致发光特性,而对于 d_(?)=300(?)多层膜和单层 a-Si∶H 膜,当退火到600℃后光致发光特性已消失。文中提出了不同 a-Si∶H 子层厚度的多层膜光致发光特性上的差别是与 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 界面氢比体内氢热稳定性来得高有关。后者由多层膜的红外吸收谱与退火温度依赖关系得到证实。
- 王树林程如光祁明维沈学础唐文国
- 关键词：氢化非晶硅光致发光退火
- Fe掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe材料的光谱与电学研究被引量：1
- 1997年
- 利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂在Hg1－xCdxTe中引入一个位于导带底下方约80meV的施主能级，并且发现掺杂HgCdTe中的Fe元素在低于180K温度下基本上不表现出电活性，但它能够起非辐射复合中心的作用，影响材料的非平衡载流子寿命，在积分光致发光强度的温度变化关系中明显地反映出来．
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠汤定元叶润清
- 关键词：红外探测器光谱掺杂半导体材料
- MBE HgCdTe薄膜的红外光致发光
- 常勇王晓光黄根生唐文国何力褚君浩
- 关键词：MBEHGCDTE薄膜红外光致发光
- 退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响
- 1989年
- 研究了退火对α-Si_xC_(1-x):H薄膜红外吸收和光致发光性质的影响.实验结果表明:低温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度增加;而高温退火使与氢有关的红外吸收和积分发光强度减弱;同时,随着退火温度升高,光致发光光谱的峰值能量位置移向低能.文中对退火引起红外吸收和光致发光性质的变化机理进行了讨论。
- 唐文国王富朝李自元沈学础
- 关键词：非晶半导体红外吸收光致发光
- Hg_（1－x）Cd_xTe的扫描光致发光研究
- 1996年
- 用傅里叶变换红外扫描光致发光方法研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ体单晶样品，该方法可直接得到ＨｇＣｄＴｅ晶片组分的二维平面分布，并可得到辐射复合在复合机制中所占比重的平面分布。
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠茅文英汤定元
- 关键词：光致发光汞镉碲晶体
- 窄禁带Hg_(0.79)Cd_(0.21)Te的红外光致发光被引量：2
- 2000年
- 对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,消除了室温背景黑体辐射在 4μm至 5μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10μm红外波段得到了组分 x=0 .2 1窄禁带 Hg Cd Te的光致发光光谱 ,对光谱的主要结构也进行了指认 ,发现存在于这种材料中的 4me V的杂质能级 ,其来源是材料中的浅杂质 .
- 常勇王晓光唐文国褚君浩
- 关键词：红外光致发光HGCDTE
- Sb掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的光致发光
- 1997年
- 对不同Ｓｂ掺杂浓度Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ≈０３８）样品在３９—１１５Ｋ的温度范围内进行了光致发光实验测量，观察到与局域激子、带到带和施主受主对有关的辐射复合过程．
- 常勇褚君浩唐文国沈文忠汤定元
- 关键词：HGCDTE铅光致发光红外材料
- 中远红外傅里叶变换发光测量中双调制技术的实现与优化
- 2001年
- 对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进 ,引入双调制技术 ,在迈克耳孙干涉仪一级调制的基础上 ,引入更高频率调制锁相测量手段。通过这一测量方法的引入 ,并通过对调制频率和带通滤波器等测量参数的优化 ,基本消除了室温背景的黑体辐射在 4μm～ 5 μm以上区域对光致发光测量带来的严重干扰 ,在 10 μm长波红外波段得到了无室温背景黑体辐射影响的光致发光光谱 ,从而将光致发光测量推至 5
- 常勇唐文国程才凤王晓光褚君浩汤定元
- 关键词：黑体辐射无损检测半导体材料
