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姚淑华

作品数:49 被引量:19H指数:2
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 12篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 16篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学

主题

  • 27篇晶体
  • 19篇SUB
  • 12篇输运
  • 12篇晶体生长
  • 8篇单晶
  • 8篇铌酸锂
  • 6篇陶瓷
  • 6篇毫米级
  • 5篇近化学计量比
  • 5篇晶系
  • 4篇单晶体
  • 4篇输运性质
  • 4篇铌酸锂晶体
  • 4篇温区
  • 4篇纳米
  • 4篇晶体材料
  • 4篇RHO
  • 3篇英文
  • 3篇真空密封
  • 3篇烧结温度

机构

  • 31篇南京大学
  • 21篇山东大学
  • 4篇华莹电子有限...
  • 2篇中国科学院
  • 2篇衡水学院
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇香港大学
  • 1篇中国石油大学...

作者

  • 49篇姚淑华
  • 27篇陈延彬
  • 26篇陈延峰
  • 18篇周健
  • 17篇王继扬
  • 11篇刘宏
  • 6篇郑斐斐
  • 5篇黄林勇
  • 5篇左致远
  • 4篇吕耀辉
  • 4篇王金凤
  • 4篇陈婷
  • 4篇张善涛
  • 4篇杨顺亮
  • 4篇桑元华
  • 4篇堵国君
  • 4篇刘静
  • 4篇秦淑斌
  • 4篇顾正彬
  • 4篇王彦敏

传媒

  • 5篇硅酸盐学报
  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇稀有金属

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
近化学计量比铌酸锂晶体生长的新方法(英文)被引量:1
2008年
在计算机温场模拟的基础上,探索设计了悬挂式双坩埚和均匀加料装置。在富锂(Li2O摩尔分数为58.5%)熔体中采用提拉法生长了φ50mm×50mm的近化学计量比铌酸锂晶体。测量结果表明:晶体的紫外吸收边发生了明显的蓝移,测得Li摩尔分数达到49.87%。利用干涉仪测量样品的光学均匀性,生长晶体均方根折射率不均匀性?n=7.250×10-5 cm-1。
吴剑波姚淑华夏宗仁秦小勇高磊刘宏王继扬
关键词:铌酸锂近化学计量比提拉法
成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法
本发明涉及一种成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法,属于无机材料制备领域。该法将铌源原料在含羧酸基的有机溶剂均匀混合,形成含铌配合物,通过热重分析的方法计算出铌的准确量,再加入的Li<Sup>+</Sup>,MgO...
王继扬姚淑华刘宏郑斐斐颜涛
文献传递
掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长(英文)被引量:2
2007年
用改进的提拉技术从富锂[摩尔比n(Li2O)/n(Nb2O5)=58.5/41.5]熔体中生长了φ40mm×60mm的掺镁近化学计量比铌酸锂(LiNbO3)晶体。利用X荧光光谱分析了晶体中铌离子(Nb5+)和镁离子(Mg2+)的含量。通过紫外吸收和红外吸收峰研究了晶体中缺陷的结构,初步断定晶体中Mg2+的掺杂浓度已达到抗光伤阈值的浓度。生长晶体的比热容[0.69J/(g.K)]高于同成分LiNbO3晶体的比热容[0.64J/(g.K)]。
姚淑华王继扬刘宏胡小波张怀金吴剑波秦晓勇
关键词:近化学计量比提拉法
近化学计量比铌酸锂晶体的生长及性质研究
铌酸锂晶体是一种集非线性、电光、压电、光弹、光折变、自倍频等功能于一体的功能晶体。由于能用提拉法生长出大尺寸同成分组分铌酸锂晶体,而且易加工,因此,铌酸锂晶体是一种有广泛应用前景的重要功能材料。化学计量比铌酸锂晶体近年来...
姚淑华
关键词:铌酸锂近化学计量比铌酸锂晶体晶体生长
一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其生长方法和应用
本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长,设备简单,成本低廉,晶体生长周期较短,有利于工业化生产,且发明人发现,采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长,极大提...
姚淑华张航飞吕洋洋曹琳陈延彬陈延峰
文献传递
体块氧化锌单晶生长的研究进展被引量:2
2009年
氧化锌(ZnO)是一种极其重要的半导体材料,具有宽带隙(3.37eV)和高激子结合能(60meV),适合制作短波长发光二极管和激光二极管。综述了体块ZnO单晶的主要生长方法:化学气相输运法、水热法、助溶剂法的原理和优缺点;着重探讨了水热法和助溶剂法的生长参数及所生长ZnO单晶的特征;结合KOH+H2O体系,论述了助熔剂法的反应机理。介绍了体块ZnO单晶中存在的缺陷及其对ZnO性质的影响。
张素芳姚淑华王继扬宋伟
关键词:水热法助熔剂法
一种磁性过渡金属硫族化合物材料Fe<Sub>x</Sub>Mn<Sub>y</Sub>TaS<Sub>2</Sub>晶体及其制备方法
本发明公开了一种新型层状磁性过渡金属硫族化合物材料Fe<Sub>x</Sub>Mn<Sub>y</Sub>TaS<Sub>2</Sub>晶体及其制备方法,其中0&lt;x&lt;0.25,0&lt;y&lt;0.25。本...
吕洋洋骆叶成曹琳陈延彬姚淑华周健陈延峰
成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法
本发明涉及一种成分均匀的球状掺杂铌酸锂多晶原料的合成方法,属于无机材料制备领域。该法将铌源原料在含羧酸基的有机溶剂均匀混合,形成含铌配合物,通过热重分析的方法计算出铌的准确量,再加入的Li<Sup>+</Sup>,MgO...
王继扬姚淑华刘宏郑斐斐颜涛
文献传递
一种定量控制Sr<Sub>2</Sub>FeMoO<Sub>6</Sub>陶瓷B位反位缺陷浓度的方法
本发明公开了一种定量控制Sr<Sub>2</Sub>FeMoO<Sub>6</Sub>陶瓷B位反位缺陷浓度的方法,本发明的方法使用SrCO<Sub>3</Sub>、Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和...
王金凤张善涛周健顾正彬陈延彬姚淑华陈延峰
文献传递
一种具有巨大磁电阻的HfTe<Sub>5‑δ </Sub>晶体及其生长方法
本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe<Sub>5‑δ</Sub>晶体及其生长方法。本发明的HfTe<Sub>5‑δ</Sub>晶体呈带状,长度尺寸范围为0.5‑2cm,δ的值为0.02~0.12。当δ的值为0.06时...
姚淑华吕洋洋李啸陈延彬周健陈延峰
共5页<12345>
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