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封松林

作品数：657 被引量：471H指数：11
供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 500篇专利
  • 119篇期刊文章
  • 20篇科技成果
  • 16篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 132篇电子电信
  • 62篇自动化与计算...
  • 27篇理学
  • 9篇一般工业技术
  • 6篇金属学及工艺
  • 5篇机械工程
  • 5篇文化科学
  • 2篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇语言文字
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 233篇存储器
  • 162篇相变存储
  • 158篇相变存储器
  • 75篇电阻
  • 75篇相变材料
  • 67篇相变
  • 54篇半导体
  • 48篇化学机械抛光
  • 48篇机械抛光
  • 40篇广播
  • 39篇无线
  • 39篇纳米
  • 38篇电极
  • 37篇电路
  • 30篇二极管
  • 28篇图像
  • 27篇晶体管
  • 26篇量子
  • 24篇信号
  • 24篇无线广播

机构

  • 438篇中国科学院
  • 214篇中国科学院上...
  • 17篇中国科学院大...
  • 12篇曲阜师范大学
  • 6篇中国科学院研...
  • 4篇北京师范大学
  • 4篇上海科技大学
  • 3篇国防科学技术...
  • 3篇北京工业大学
  • 2篇公安部第三研...
  • 1篇国家电网公司
  • 1篇湖北工业大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇深圳大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇天津大学
  • 1篇同济大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇益阳师范高等...
  • 1篇国家广播电影...

作者

  • 656篇封松林
  • 337篇宋志棠
  • 220篇刘波
  • 95篇张挺
  • 89篇陈邦明
  • 87篇汪辉
  • 78篇李明齐
  • 74篇田犁
  • 63篇汪宁
  • 60篇章琦
  • 49篇方娜
  • 49篇田金凤
  • 48篇刘卫丽
  • 46篇寇亚军
  • 43篇吴良才
  • 41篇王芳
  • 40篇缪军
  • 29篇张楷亮
  • 21篇饶峰
  • 19篇陈小刚

传媒

  • 19篇Journa...
  • 15篇红外与毫米波...
  • 8篇物理学报
  • 6篇中国科学院院...
  • 5篇半导体技术
  • 5篇微纳电子技术
  • 4篇发光学报
  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇第十四届全国...
  • 3篇微电子学与计...
  • 3篇传感技术学报
  • 3篇固体电子学研...
  • 3篇第五届全国分...
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇量子电子学报
  • 2篇物理
  • 2篇计算机工程
  • 2篇光子学报
  • 2篇科技开发动态
  • 2篇人工晶体学报

年份

  • 5篇2024
  • 12篇2023
  • 11篇2022
  • 12篇2021
  • 11篇2020
  • 23篇2019
  • 34篇2018
  • 37篇2017
  • 31篇2016
  • 42篇2015
  • 24篇2014
  • 26篇2013
  • 19篇2012
  • 42篇2011
  • 36篇2010
  • 69篇2009
  • 54篇2008
  • 39篇2007
  • 33篇2006
  • 29篇2005
共 657 条 记 录，以下是 1-10
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无人飞行器入侵拦截方法及装置
本发明提供一种无人飞行器入侵拦截方法及装置，方法包括当通过空域扫描方式在一预设区域监测到无人飞行器入侵时，立刻向频域扫描方式传递入侵信号，频域扫描方式获取预设区域内的无线频谱的变化；根据无线频谱的变化，分析得到无人飞行器...
徐浩煜韩振奇周晗封松林李明齐
文献传递
CBC模式下的AES加解密装置及方法
本发明公开了一种CBC模式下的AES加解密装置及其方法，该加解密装置包括：输入输出模块，接收上层的输入数据和控制信号并向上层发送处理好的数据和控制信号；反馈及累加模块，根据控制信号完成对输入和输出数据的反馈和累加；AES...
王凡琦庄健敏张钊锋封松林
文献传递
三维互补金属氧化物半导体晶体管结构及其制备方法
本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管(CMOS)的结构及其制备方法，其特征在于pMOS制备在大面积高质量单晶硅(110)面上，nMOS制备在大面积高质量单晶硅(100)面上，且pMOS和nMOS分开在不同层上...
刘卫丽宋志棠陈邦明封松林
文献传递
Ge‑Se‑Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法
本发明提供一种Ge‑Se‑Al OTS材料、OTS选通器单元及其制备方法，其中，该Ge‑Se‑Al OTS材料的化学通式为Ge<Sub>x</Sub>Se<Sub>y</Sub>Al<Sub>100‑x‑y</Sub>，...
刘广宇宋志棠吴良才封松林
相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl<Sub>3...
夏洋洋刘波王青张中华宋三年宋志棠封松林
文献传递
制备纳米晶电阻转换材料的方法
本发明揭示了一种制备纳米晶电阻转换材料和单元的方法，包括如下步骤：首先沉积超薄的电阻转换存储材料薄膜，随后通过退火在基底上形成均匀的纳米晶，再者通过功能材料的沉积形成对纳米晶的包覆；重复上述三步，形成具有功能材料包覆的均...
张挺宋志棠刘波吴关平张超封松林陈邦明
一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；...
顾怡峰宋志棠张挺刘波封松林
文献传递
提升相变存储器编程速度的方法及实现方法
本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的SET编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所...
张挺宋志棠丁晟刘波封松林陈邦明
文献传递
GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
1997年
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致．
肖剑飞封松林彭长四
关键词：GESI/SI应变超晶格退火离子注入
GeSi/Si应变结构内应力纵向分布
1997年
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究分子束外延ｎ－Ｇｅ０．２Ｓｉ０．８／Ｓｉ应变超晶格，观察到两个与位错有关的深中心，其中一个能级位置在ＥＣ＝０．４２ｅＶ，另一个随着偏压变化而发生明显的移动，深能级位置从ＥＣ＝０．２１ｅＶ变化到ＥＣ＝０．２７６ｅＶ，我们认为是内应力引起的．取该深能级的流体静压力系数γ＝６．５９ｍｅＶ／Ｋｂａ，求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好．在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法．
肖剑飞封松林彭长四
关键词：GESI/SI应变超晶格内应力深能级瞬态谱
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