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张悦英

作品数:3 被引量:10H指数:2
供职机构:郑州大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇电感
  • 1篇电子管
  • 1篇振荡器
  • 1篇软开关
  • 1篇射频振荡器
  • 1篇功率
  • 1篇放大器
  • 1篇高频
  • 1篇变换器
  • 1篇DC/DC变...
  • 1篇DC/DC变...
  • 1篇DC变换器
  • 1篇E类
  • 1篇E类放大器
  • 1篇ICP
  • 1篇MOSFET
  • 1篇大功率
  • 1篇DC/DC

机构

  • 3篇郑州大学

作者

  • 3篇张悦英
  • 2篇王洋
  • 2篇刘平

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ICP源MOSFET射频振荡器被引量:7
2005年
介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果。低温等离子体的应用已经非常广泛。以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一。传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重。在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱。以M O SFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱。振荡器的频率为13.56 MH z,输出功率为200 W。试验结果达到了设计要求。
刘平张悦英王洋
关键词:ICPMOSFET射频振荡器等离子体
单电感E^2类软开关DC/DC变换器被引量:1
2006年
介绍了一种只用一个电感的单端E2类软开关DC/DC变换器。IGBT(MOSFET或BJT)的零电压开关和整流二极管的零电流开关能够降低逆变器和整流器中的损耗。提出了一种分析和设计方案,确定了最佳工作状态下的性能参数,如电流和电压波形,最大集电极电流和最大集-射极电压以及功率输出能力,并对IGBT和整流二极管的功耗进行了估算。实验证明,在频率f=100kHz,输出功率Po=2kW的情况下变换器的整体效率可达到91%。
刘平王洋张悦英
关键词:DC/DC变换器软开关
电子管E类大功率射频放大器的研究
在许多领域必须要求用大功率的射频电能,例如,特种材料熔炼,介质加热,等离子源,大功率发射机等。这就需要把直流电源转换为所需要的高频交流电源,功率放大器是转换过程中的重要装置,它正在朝着高频化,低功耗,高功率容量,高效率的...
张悦英
关键词:E类放大器高频大功率电子管
文献传递
共1页<1>
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