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徐小华
作品数:
14
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供职机构:
华中科技大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电气工程
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合作作者
孙华军
华中科技大学
缪向水
华中科技大学
王青
华中科技大学
张金箭
华中科技大学
李祎
华中科技大学
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机构
14篇
华中科技大学
作者
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徐小华
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缪向水
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孙华军
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王青
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张金箭
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沙鹏
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李祎
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梅健
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许磊
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年份
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2015
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2014
7篇
2013
1篇
2012
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一种具备多阻态特性的二阶忆阻器及其调制方法
本发明公开了一种具备多阻态特性的二阶忆阻器,该忆阻器的器件单元包括上电极、下电极以及位于上下电极之间的功能材料层,其中所述功能材料层由分子式结构为Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5<...
孙华军
徐小华
缪向水
王青
张金箭
钟应鹏
李祎
文献传递
一种忆阻器器件单元的电学特性测试方法
本发明公开了一种忆阻器器件单元的电学特性测试系统,包括探针台、脉冲发生器、脉冲发生模块、源测量单元、示波器以及中央控制单元,其中:探针台的探针用于电接触测试样品的电极以便执行相关测试;脉冲发生器用于产生电压脉冲信号,并通...
孙华军
徐小华
缪向水
张金箭
王青
沙鹏
李人杰
文献传递
一种忆阻器器件单元的电学特性测试系统及其测试方法
本发明公开了一种忆阻器器件单元的电学特性测试系统,包括探针台、脉冲发生器、脉冲发生模块、源测量单元、示波器以及中央控制单元,其中:探针台的探针用于电接触测试样品的电极以便执行相关测试;脉冲发生器用于产生电压脉冲信号,并通...
孙华军
徐小华
缪向水
张金箭
王青
沙鹏
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一种具备多阻态特性的二阶忆阻器及其调制方法
本发明公开了一种具备多阻态特性的二阶忆阻器,该忆阻器的器件单元包括上电极、下电极以及位于上下电极之间的功能材料层,其中所述功能材料层由分子式结构为Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5<...
孙华军
徐小华
缪向水
王青
张金箭
钟应鹏
李祎
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一种基于Ge<Sub>2</Sub>Se<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>的忆阻器
本实用新型提供了一种基于Ge<Sub>2</Sub>Se<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>的忆阻器,从上往下依次包括上导电电极、中间功能层和下导电电极,中间功能层采用Ge<Sub>2</Sub>Se<S...
缪向水
王青
孙华军
徐小华
张金箭
文献传递
一种基于忆阻器的非挥发D触发器
本发明公开了一种基于忆阻器的非挥发D触发器,该D触发器采用主从锁存器结构,其中各个锁存器的电路中包括由两个忆阻器反相串联而成的忆阻器模块,并通过该忆阻器模块来执行非挥发锁存和触发功能。本发明还公开了锁存器的具体电路结构。...
孙华军
徐小华
邵海滨
缪向水
梅健
盛安宇
蔡湧达
钟应鹏
文献传递
一种短时与长时存储器件及存储方法
本发明属于信息存储器件领域,提供了一种短时与长时存储器件及存储方法;该存储器件包括第一电极层、功能材料层和第二电极层;第一电极层的材料为惰性导电金属,第二电极层的材料为活泼导电金属,功能材料层的材料为硫系化合物;在单个第...
缪向水
李祎
钟应鹏
许磊
孙华军
徐小华
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一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器,该忆阻器包括上电极层、下电极层以及位于上下电极层之间的功能材料层,其中所述功能材料层由譬如Ag<Sub>5</Sub>In<Sub>5</Sub>Sb<Sub>60...
缪向水
张金箭
孙华军
王青
徐小华
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一种基于忆阻器的范德波尔振荡器电路
本发明属于脉冲技术领域,为一种基于忆阻器的范德波尔振荡器电路,其结构为:电阻和电感串联后与电容并联构成谐振电路,激励电源和忆阻器串联构成负阻电路;谐振电路与负阻电路串联。本发明利用忆阻器的负阻特性和电阻、电容和电感并联谐...
孙华军
沙鹏
缪向水
徐小华
王青
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一种基于忆阻器的非挥发D触发器
本发明公开了一种基于忆阻器的非挥发D触发器,该D触发器采用主从锁存器结构,其中各个锁存器的电路中包括由两个忆阻器反相串联而成的忆阻器模块,并通过该忆阻器模块来执行非挥发锁存和触发功能。本发明还公开了锁存器的具体电路结构。...
孙华军
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