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戴自忠

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：同济大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 2篇一氧化碳
  • 2篇三氯氢硅
  • 2篇四氯化硅
  • 2篇喷口
  • 2篇气口
  • 2篇氢还原
  • 2篇氢气
  • 2篇尾气
  • 2篇炉底
  • 2篇炉底温度
  • 2篇氯化
  • 2篇氯化硅
  • 2篇截面
  • 2篇截面积
  • 2篇进气
  • 2篇进气口
  • 2篇还原炉
  • 2篇还原温度

机构

  • 7篇同济大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇信息产业部

作者

  • 8篇梁骏吾
  • 8篇戴自忠
  • 6篇郭钟光
  • 6篇闻瑞梅
  • 4篇吴坚
  • 1篇渠波
  • 1篇王玉田
  • 1篇袁桐
  • 1篇郑敏政
  • 1篇郑新和
  • 1篇杨辉

传媒

  • 1篇中国科学（A...
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种去除水中气相杂质的方法
一种去除水中气相杂质的方法，涉及去除水中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳和甲烷的工艺。将水以每小时1-4立方米的流量自上而下泵入淋洗塔中喷出。同时用压力为0.02-0.05兆帕(MPa)、流量为每小时0.5-2立方米、纯度为9...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾吴坚郭钟光
文献传递
中国硅材料工业的前景与挑战
2002年
我国半导体硅材料事业始于20世纪50年代末,现已经历了四十四个春秋。在这期间,我国建立了多晶硅、直拉单晶硅、区熔单晶硅、硅外延片和非晶硅的生产体系。此外,SiGe材料、SOI。
梁骏吾郑敏政袁桐戴自忠
关键词：半导体硅材料硅外延片集成电路芯片直拉单晶硅集成电路制造区熔单晶硅
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置，涉及半导体多晶硅氢还原炉的喷口结构。其特点是：与炉底壁(4)固为一体的固定喷口(1)外面套有一个可旋转的转动喷口(9)，转动喷口(9)的顶端开有与固定喷口(1)数量、形状、尺寸、位置...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光吴坚
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多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置
多晶硅氢还原炉的可变截面积进气口装置，涉及半导体多晶硅氢还原炉的喷口结构。其特点是：与炉底壁(4)固为一体的固定喷口(1)外面套有一个可旋转的转动喷口(9)，转动喷口(9)的顶端开有与固定喷口(1)数量、形状、尺寸、位置...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光吴坚
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一种去除水中气相杂质的方法
一种去除水中气相杂质的方法，涉及去除水中氧、氮、一氧化碳、二氧化碳和甲烷的工艺。将水以每小时1－4立方米的流量自上而下泵入喷淋塔中喷出。同时用压力为0.02－0.05兆帕(MPa)、流量为每小时0.5－2立方米、纯度为9...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾吴坚郭钟光
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Si(001)衬底上APCVD生长3C-SiC薄膜的微孪晶及含量被引量：1
2001年
利用X射线双晶多功能四圆衍射仪 ,对在Si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (APCVD)生长的 3C SiC进行了微孪晶的分析 .Φ扫描证明了 3C SiC外延生长于Si衬底上 ,生长的取向关系为 :( 0 0 1 ) 3C SiC//( 0 0 1 ) Si,[1 1 1 ]3C SiC//[1 1 1 ]Si. 3C SiC的{1 1 1 }极图在χ =1 5 .8°出现了新的衍射 ,采用六角相 {1 0 1 0 }晶面的极图以及孪晶SiC( 0 0 2 )的倒易空间Mapping分析了χ=1 5 .8°处产生的衍射为 3C SiC的孪晶所致 ,并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为 1 % .
郑新和渠波王玉田戴自忠杨辉梁骏吾
关键词：3C-SIC半导体材料APCVD碳化硅薄膜
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5-0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl<Sub>3</Sub>)、四氯化硅(SiCl<Sub>4</Sub...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光
文献传递
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法
用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5－0.8大气压的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅(SiHCl<Sub>3</Sub>)、四氯化硅(SiCl<Sub>4</Sub...
闻瑞梅戴自忠梁骏吾郭钟光
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