明保全
- 作品数：12 被引量：73H指数：4
- 供职机构：山东大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- Na补偿的(Na,Bi)TiO_3-Ba(Zr,Ti)O_3无铅压电陶瓷被引量：3
- 2006年
- 研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。
- 杜鹃王矜奉赵明磊明保全盖志刚郑立梅徐庆
- 关键词：无铅压电陶瓷介电常数介电损耗
- (1-y)[(Nao.96-xKxLi0.04)0.5Bi0.5]TiO3-yBa(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
- 对(1-y)[(Nao.80K0.16Li0.04)0.5Bi0.5]TiO3-yBa(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷进行了系统研究,获得压电应变常数d33高达185(pC/N)的0.94[(Na0.80...
- 盖志刚王矜奉苏文斌亓鹏杜鹃明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷
- 文献传递
- TiO_2掺杂导致的SnO_2压敏陶瓷晶粒尺寸效应被引量：6
- 2004年
- 研究了TiO2掺杂对SnO2-Co2O3-Nb2O5系压敏陶瓷材料电学性能的影响。掺入x(TiO2)为1.00%的陶瓷样品具有最高的密度(r = 6.82 g/cm3),最高的视在势垒电场(EB= 476 V/mm),最高的非线性系数(a = 11.0),最小的相对介电常数。未掺杂的样品阻抗最大。随TiO2掺杂量的增加晶粒逐渐变小,晶粒尺寸的减小归因于未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的TiO2阻碍相邻SnO2晶粒融合。为了解释SnO2-Co2O3-Nb2O5-TiO2系电学非线性性质的根源,对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。
- 明保全王矜奉陈洪存苏文斌臧国忠高建鲁
- 关键词：压敏材料二氧化锡晶粒尺寸SNO2
- 0.94[(Na_(0.96-x)K_xLi_(0.04))_(0.5)Bi_(0.5)]TiO_3-0.06Ba(Zr_(0.055)Ti_(0.945))O_3无铅压电陶瓷的压电介电特性被引量：2
- 2006年
- 对无铅压电陶瓷0.94[(Na0.96-xKxLi0.04)0.5B i0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3的性质随K含量的变化进行了系统研究,获得压电应变常数d33高达185pC/N的0.94[(Na0.80K0.16Li0.04)0.5-B i0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。随着K掺杂量的增加,该陶瓷材料的介电温谱峰值向右明显移动,其介电峰温度明显升高。
- 盖志刚王矜奉明保全杜鹃郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷介电损耗压电性能
- 铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的X射线衍射与相变分析被引量：36
- 2008年
- 分析了斜方相、四方相铌酸钾钠基无铅压电陶瓷材料的结构和X射线衍射图谱的特点.对于铌酸钾钠基压电材料斜方相结构,从构成晶胞的一个单斜原胞进行分析,计算出X射线衍射谱上每个衍射角附近的衍射峰数目和相对强度.提出了2θ在20°—60°范围内根据(1 0 2)衍射峰(52°附近)和(1 2 1)衍射峰(57°附近)劈裂的数目区分斜方和四方相的新方法.对于多晶陶瓷粉末,可以更简便的由22°(或45°)附近前后峰的相对高低来判断斜方、四方相.
- 明保全王矜奉臧国忠王春明盖志刚杜鹃郑立梅
- 关键词：铌酸钾钠无铅压电陶瓷X射线衍射相变
- CuO掺杂对SnO_2压敏材料性能的影响被引量：4
- 2005年
- 研究了掺杂CuO对SnO2·Ni2O3·Ta2O5压敏材料电学性能的影响。实验发现,随着CuO的掺杂量从0.50mol%增加到1.50mol%,材料的压敏电场强度从132V/mm升高到234V/mm,相对介电常数从4663减小到2701。电场强度变化的原因是CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量增加晶粒尺寸从18.8μm减小到13.3μm。未固溶于SnO2晶格而偏析在晶界上的CuO阻碍了相邻SnO2晶粒的融合,这导致了晶粒尺寸的减小。为了解释SnO2·Ni2O3·Ta2O5·CuO电学非线性性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正。对该压敏材料进行了等效电路分析,实验测量与等效电路分析结果相符。
- 明保全王矜奉陈洪存苏文斌臧国忠高建鲁
- 关键词：压敏材料SNO2电学性能晶粒尺寸
- 无铅无铋压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.44)Li_(0.06))Nb_(0.95)Sb_(0.05)O_(3^(-))Na_(5.6)Cu_(1.2)Sb_(10)O_(29)研究被引量：15
- 2006年
- 提出重点研制无铅无铋压电陶瓷的建议,并采用传统的固相反应法,制备了新的助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29及(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3无铅无铋压电陶瓷,研究了助烧剂对该压电陶瓷性能的影响.添加适量助烧剂,可以提高压电陶瓷的致密度,降低介电损耗,明显提高压电活性.添加摩尔百分比为0.4%Na5.6Cu1.2Sb10O29的样品,压电常数可达到261pC/N,机电耦合系数k33高达60%以上.这些结果表明,添加了助烧剂Na5.6Cu1.2Sb10O29的(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3是具有很好应用前景的无铅无铋压电陶瓷.
- 郑立梅王矜奉臧国忠赵明磊亓鹏杜鹃苏文斌明保全
- 关键词：铌酸盐钽酸盐机电耦合系数
- 高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制被引量：9
- 2005年
- 用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。
- 臧国忠王矜奉明保全亓鹏杜鹃郑立梅盖志刚
- 关键词：无机非金属材料无铅压电陶瓷铌酸盐机电耦合系数居里温度
- 低锂NKN基无铅压电陶瓷性能研究
- 本文用传统烧结工艺,制备了无铅压电陶瓷材料(NaK)LiNbSbTaO (x=0.17,0.18,0.19,0.20),研究了该材料的压电、介电性能随x的变化关系,实验发现,当x=0.18在111 0℃条件下烧结的陶瓷,...
- 杜鹃王矜奉苏文斌亓鹏明保全郑立梅
- 关键词：无铅压电陶瓷压电常数介电损耗机电耦合系数
- 文献传递
- 高次泛音比法测定厚度振动机电耦合系数
- 2006年
- 压电振子低频振动模式的高次泛音易与厚度振动模式的基频相耦合,导致厚度振动的基音串联谐振频率不能精确测量(或无法测量),造成传统泛音比法测定压电振子的机电耦合系数的精度和一致性变差或无法进行测定。为了克服传统泛音比法的这一弊端,提出了测定压电振子厚度振动机电耦合系数的高次泛音比法。此法通过测定3次和3次以上的高次串联谐振频率,用高次泛音比来测定压电振子厚度振动机电耦合系数。实验表明,与传统泛音比法相比,高次泛音比法具有精确度高和一致性好的明显优势。为了便于高次泛音比法的应用,提供了高次泛音比和机电耦合系数的对应表。
- 盖志刚王矜奉杜鹃任晓峰臧国忠明保全
- 关键词：机电耦合系数
