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李永亮

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇结终端
  • 2篇结终端技术
  • 2篇场板
  • 1篇高压器件
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道长度
  • 1篇反型层
  • 1篇保护环
  • 1篇VDMOSF...
  • 1篇场限环

机构

  • 3篇辽宁大学

作者

  • 3篇李永亮
  • 2篇石广源
  • 2篇高嵩
  • 2篇李严

传媒

  • 2篇辽宁大学学报...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
VDMOSFET沟道区的研究被引量：1
2007年
讨论了影响沟道长度及沟道的夹断区长度的因素,通过沟道区的优化促进了VDMOSFET性能的提高.
石广源李严李永亮高嵩
关键词：沟道长度VDMOSFET
新型结终端技术被引量：2
2006年
提出了一种新型的场板和保护环相结合的结终端技术,并讨论了此终端结构的工作原理和优越性.
石广源李永亮李严高嵩
关键词：场板保护环结终端技术
高压器件结终端技术的设计研究
为了尽量减小甚至消除器件表面及结终端弯曲部分对器件击穿电压的不利影响，提高器件的抗压特性，就必须采用各种结终端技术。对于终端结构的优化设计，提出了很多解析方法和数值方法，这些方法不是准确性差就是过于复杂，很难在实际中应用...
李永亮
关键词：结终端技术场限环高压器件场板
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