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王向武

作品数：26 被引量：35H指数：4
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 25篇电子电信

主题

  • 8篇异质结
  • 8篇硅
  • 7篇硅外延
  • 7篇掺杂
  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 5篇自掺杂
  • 5篇半导体
  • 4篇晶体管
  • 4篇二极管
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 3篇漂移
  • 3篇崩越二极管
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇淀积
  • 2篇异质结双极晶...
  • 2篇英文
  • 2篇砷化镓
  • 2篇双极晶体管

机构

  • 24篇南京电子器件...
  • 3篇长春光学精密...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇信息产业部

作者

  • 26篇王向武
  • 11篇陆春一
  • 5篇谢自力
  • 5篇方小华
  • 5篇邱凯
  • 4篇陈建炉
  • 4篇张岚
  • 4篇尹志军
  • 3篇李忠辉
  • 3篇黄子乾
  • 3篇李肖
  • 3篇潘彬
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇张兴德
  • 2篇任大翠
  • 2篇程祺祥
  • 2篇马利行
  • 2篇将朝晖
  • 1篇徐红钢
  • 1篇高建峰

传媒

  • 11篇固体电子学研...
  • 2篇激光技术
  • 2篇半导体杂志
  • 2篇电子器件
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇稀有金属
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微电子学
  • 1篇河北工学院学...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第六届全国分...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 5篇1994
  • 1篇1993
  • 2篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料
1994年
采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。
王向武陆春一赵仲镛
关键词：崩越二极管硅
N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
1997年
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
王向武马利行徐红钢陆春一
关键词：硅外延高阻厚层自掺杂
减小硅外延自掺杂的一种新方法
1990年
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法，采用该方法，在均匀的重掺As衬底上，用SiCl4源外延，以10614-10^18/cm3浓度计算，获得了≤0．54um的过渡区宽度。
王向武陆春一等
关键词：硅半导体
减小硅外延自掺杂的一种新方法被引量：1
1992年
本文提出了一种新的减小硅外延自掺杂影响的二步外延方法。利用该方法在均匀的重掺As衬底上外延,以10^(14)～10^(18)/cm^3浓度区域计算,获得了≤0.70μm的过渡区宽度,平坦区浓度≤1.5×10^(13)/cm^3,明显小于利用通常的二步外延工艺所得结果。
王向武陆春一赵仲镛
关键词：硅外延层掺杂衬底
用于HBT的AlGaAs/GaAs MOVPE材料
2005年
通过LP-MOVPE研制了实用化的AlGaAs/GaAsHBT材料。采用CCl4作为P型掺杂剂进行基区重掺杂。所作HBT增益为20～35,截止频率fT>50GHz,最大振荡频率fmax>60GHz,X波段功率HBT输出功率大于5W。
王向武黄子乾潘彬李肖张岚
关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用(英文)
2000年
用分子束外延技术生长了 In Ga As/Ga As异质结材料 ,并用 HALL效应法和电化学 C- V分布研究其特性。讨论了 In Ga As/Ga As宜质结杨效应晶体管 ( HFET)的优越性。和 Ga As MESFETS或 HEMT相比 ,由于 HFET没有 Al组份 ,具有低温特性好 ,低噪声和高增益等特点。本文研究了具有 In Ga As/Ga As双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益 HFET。
谢自力邱凯尹志军方小华王向武陈堂胜
关键词：场效应晶体管分子束外延生长INGAAS/GAAS异质结
MOCVD AlGaAs/GaAs HBT材料生长中基区、发射区结偏位的分析与控制被引量：1
2004年
分析了MOCVDAlGaAs/GaAsHBT外延材料生长中基区、发射区异质结界面与P N结界面产生偏离的原因 ,计算了外延生长参数对结偏离的影响 ,得到了对于C、Mg及Zn作为P型掺杂剂时 ,使得结偏位为 0时所需生长的GaAsspace层厚度 ,它们分别为 1～ 1.5nm、3～ 4nm及 12～ 15nm。计算与器件研制结果基本相符。
王向武李肖张岚黄子乾潘彬
关键词：异质结双极晶体管金属有机化合物气相淀积
分别限制异质结可见光半导体激光器
1994年
研制成功高峰值功率分别限制异质结可见光半导体激光器，从理论及实验上研究了结构参数对器件性能的影响，得到了最佳的设计参数。
王向武张兴德任大翠
关键词：异质结可见光半导体激光器
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
2000年
设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构，采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下，测试10支条宽100μm，腔长1mm的激光器样品，连续输出功率超过1W，阈值电流密度为330～490A/cm2，外微分量子效率为55％～78％，中心发射波长为(808±3)nm。
李忠辉张宝顺杨进华张兴德王向武
关键词：LP-MOCVDINGAASP/GAAS量子阱激光器
分别限制异质结激光器的特性研究被引量：1
1989年
通过理论及实验研究了结构参数对分别限制异质结激光器的输出功率、阈值及束发散的影响,得到了最佳的设计参数。
王向武张兴德任大翠杨海泉
关键词：激光器结构参数
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