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王玉霞

作品数：7 被引量：6H指数：2
供职机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 3篇量子阱激光器
  • 3篇功率
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇高功率
  • 2篇阈值电流
  • 1篇单量子阱
  • 1篇单量子阱激光...
  • 1篇电阻
  • 1篇折射率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇梯度折射率
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇腔长
  • 1篇阈值电流密度
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇镓铝砷化合物

机构

  • 5篇长春光学精密...
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 6篇王玉霞
  • 3篇王玲
  • 3篇张兴德
  • 3篇任大翠
  • 2篇李梅
  • 2篇李忠辉
  • 2篇高欣
  • 1篇刘国军
  • 1篇张宝顺
  • 1篇王玲
  • 1篇朱宝仁
  • 1篇薄报学
  • 1篇张千勇

传媒

  • 3篇长春光学精密...
  • 2篇半导体光电
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2002
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 7 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响被引量：3
2002年
利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。
李忠辉李梅王玲高欣王玉霞张兴德
关键词：分别限制结构阈值电流密度
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
2002年
应用MOVPE研制出梯度折射率分别限制GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 ,室温单面连续输出光功率超过 5 0 0mW ,激射波长为 82 0 3nm 。
李忠辉王玉霞高欣李梅王玲张兴德
关键词：梯度折射率单量子阱激光器砷化镓GAAS/ALGAAS镓铝砷化合物
量子阱激光器的阈值电流和外量子效率被引量：2
1998年
对于半导体分别限制单量子阱激光器，为了降低阈值电流，提高外量子效率，分析和讨论了影响阈值电流和外量子效率的各种因素，并做了一定的数值计算，给出了最佳结构参数。
任大翠王玉霞王玲丛森
关键词：阈值电流量子效率半导体激光器
分别限制量子阱激光器的载流子限制特性及漏电流
1995年
本文在数值求解分别限制量子阶激光器的光增益及阈值电流密度的基础上，计算和分析了漂移和扩散两种机制引起的漏电流对半导体激光器阅值电流密度的影响讨论了激光器的结构参数与漏电流的关系。计算结果和实验值进行了比较。
任大翠李含轩王玉霞
关键词：漏电流激光器
808nm半导体激光器接触电阻的最佳工艺被引量：1
1997年
欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于0.06欧姆的最低电阻。
王玉霞任大翠
关键词：欧姆接触接触电阻半导体激光器高功率
外延技术在半导体激光器中的应用
1998年
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了各自的特点和局限性。介绍了我们在高功率半导体激光器研究方面所取得的一些进展，并比较了国内外的水平差距。
刘国军张千勇杨晗夏伟张兴德薄报学朱宝仁寻立春李学谦张宝顺王玲王玉霞
关键词：高功率半导体激光器LPECVDMBE
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