肖志斌
- 作品数：61 被引量：44H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 一种基于GaInNAs材料的四结太阳能电池的制备方法
- 本发明公开了一种基于GaInNAs材料的四结太阳能电池的制备方法，包括衬底处理、MOCVD生长、加入超晶格缓冲等步骤。与现有的四结太阳电池制备方法相比，本发明所涉及的制备方法采用超晶格缓冲层，可以在MOCVD中制备高质量...
- 石璘刘如彬高鹏薛超刘丽蕊姜明序张无迪肖志斌孙强
- 空间三结砷化镓太阳电池用紫外反射盖片研究被引量：2
- 2019年
- 空间用太阳电池的在轨效率会随着电池温度的升高而降低,降低太阳电池的吸收系数是降低其在轨温度的有效手段。使用电子束热蒸发、离子源辅助沉积的方式,在空间用抗辐照玻璃盖片表面沉积紫外反射膜,制备出紫外反射玻璃盖片。此种盖片在400~1800nm范围内的平均透射率为94.09%,在245~320nm范围内的反射率均大于80%。在三结砷化镓太阳电池表面粘贴紫外反射玻璃盖片,短路电流增益为1.32%,吸收系数为0.845。对比贴有氟化镁(MgF2)盖片的太阳电池,吸收系数下降约0.025。预计可使太阳电池在轨温度降低约2.5℃,在轨输出效率提高0.625%。
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- 关键词：太阳电池
- 一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法
- 一种局部减薄砷化镓太阳电池制备方法，步骤包括S3、在所述太阳电池的上电极的表面制备可去除的正面保护层；制备所述正面保护层的具体步骤包括：在所述上电极的表面涂光刻胶并进行烘烤和在所述光刻胶胶面上粘贴热敏胶带。使用上述方法制...
- 铁剑锐李晓东孙希鹏杜永超许军肖志斌
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- 薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
- 本发明公开了一种薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺，上述衬底保护结构包括：GaAs电池、牺牲层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保...
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- 大面积高效率空间用三结砷化镓太阳电池的研究被引量：11
- 2016年
- 通过在电池中引入布拉格反射器,提高电池抗带电子辐照能力,经辐照后使电池最大功率平均衰减小于18%。优化上电极栅线结构,当金属栅线面积占电池面积的3.0%时,电池平均短路电流为456.2mA。优化TiO_x/AlO_x双层减反射膜结构,短波300~500nm范围内电池表面反射率小于30%。采用以上结构最终制备出面积为26.8cm^2的空间用三结砷化镓太阳电池,批产平均转换效率为29.61%,最大转换效率30.15%。
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- 一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
- 本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法，其特点是：多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为：在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层，18...
- 王帅刘如彬孙强肖志斌高鹏张启明王立功李慧
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- 钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池
- 本发明公开了一种钙钛矿和砷化镓异质集成的太阳能电池制造方法及电池；其特征在于：包括如下步骤：步骤1、分别制备多结砷化镓电池和钙钛矿电池；步骤2、在多结砷化镓电池和钙钛矿电池表面通过光刻和镀膜工艺制备金属栅线；步骤3、通过...
- 薛超高鹏张无迪刘如斌孙强肖志斌王宇
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- 一种太阳电池玻璃盖片
- 本实用新型涉及一种太阳电池玻璃盖片，包括蒸镀在玻璃衬底一面的氟化镁薄膜，其特点是：氟化镁薄膜上蒸镀烧结有纳米级ITO薄膜，ITO薄膜两角处蒸镀有多层结构电极。本实用新型通过全自动电子束加热真空蒸镀机，在氟化镁薄膜上蒸镀出...
- 赵宇肖志斌铁剑锐许军
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- 一种量子点五结太阳能电池的制备方法
- 本发明涉及太阳能电池领域，主要公开了一种量子点五结太阳能电池的制备方法。该电池采用MOCVD技术外延正向生长制备InP两结太阳能电池以及外延反向生长制备GaAs三结太阳能电池，通过半导体直接键合工艺将InP两结太阳能电池...
- 高鹏薛超张无迪刘如彬肖志斌孙强
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- 一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
- 本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法，在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂；有机柔性衬底为有机薄膜，外延衬底为砷化镓衬底，砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片，被两块石墨片夹紧的...
- 姜明序石璘姚立勇张无迪刘丽蕊薛超高鹏张恒张启明唐悦刘如彬李慧王立功王宇宋健吴艳梅肖志斌孙强
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