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薛云龙

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学真空物理研究室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇阻挡层
  • 1篇化物
  • 1篇防扩散

机构

  • 1篇复旦大学

作者

  • 1篇罗维昂
  • 1篇薛云龙
  • 1篇章壮健
  • 1篇沈孝良
  • 1篇孙云龙

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究
1993年
用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。
薛云龙罗维昂章壮健沈孝良曾有义孙云龙秦关鸿
关键词：阻挡层氮化物
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共1页<1>
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