裴瑜
- 作品数：5 被引量：24H指数：2
- 供职机构：福建师范大学更多>>
- 发文基金：福建省科技计划重点项目福建省教育厅资助项目福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 基片温度和氧气流量对磁控溅射制备ITO薄膜光电学性质的影响被引量：7
- 2009年
- 利用直流磁控溅射技术在BK-7基片上沉积掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜.研究不同基片温度和氧气流量对薄膜的结构、电学和光学性质的影响,分析光电学性质改变的机理.结果表明,随着氧气流量的增加,载流子浓度(N)不断下降,电阻率(ρ)不断增大,但迁移率(μ)先增大后减小,在氧气流量为0.5cm3/min(1Pa)时有最大值.随着基片温度的上升,N逐渐增加,ρ不断降低,而μ则先增加后减小,在基片温度为200℃时为极大值.所有样品在可见光区的平均光学透过率都大于80%,薄膜的折射率和消光系数从拟合透射光谱数据获得;在1 500 nm光学波长处,折射率随载流子浓度的增加而减小,较好符合线性关系;消光系数随载流子浓度的增大而增加,不符合线性关系.
- 裴瑜林丽梅范丽琴瞿燕赖发春
- 关键词：ITO磁控溅射
- In_2O_3和ZnO混合薄膜的化学腐蚀特性研究被引量：2
- 2010年
- 利用直流磁控溅射在未加热的BK-7玻璃基片上沉积In2O3与ZnO混合(IZO)薄膜,通过原子力显微镜(AFM)、分光光度计和四探针法研究IZO薄膜在HCl溶液中不同腐蚀时间前后的表面形貌以及光电性质的变化。结果表明:随着腐蚀时间的增加,薄膜的表面均方根粗糙度(RMS)和方块电阻(Rs)都呈现先增后减再增的现象;而薄膜的光学透射率则是先减后增再减。由于ZnO比In2O3更容易在HCl溶液中进行腐蚀,使得样品经腐蚀后出现孔洞结构,孔宽与孔深都随着腐蚀时间的增加而增大,这种具有纳米孔洞结构的透明导电薄膜在未来的光电子器件有潜在应用。
- 吕佩伟胡海龙裴瑜林丽梅赖发春
- 关键词：化学腐蚀表面形貌
- 溅射功率对掺铝氧化锌薄膜光电学性质的影响被引量：16
- 2008年
- 利用射频磁控溅射在BK-7玻璃基片上沉积掺铝氧化锌薄膜,研究溅射功率对薄膜光电性能的影响.当溅射功率从250 W增加到400 W时,X射线衍射的结果发现,250 W制备的薄膜只有(002)衍射峰,而300 W以上的样品则出现了新的(101)衍射峰;而且随着溅射功率的增加,(002)峰的强度减弱,(101)峰的强度增强.薄膜的厚度随溅射功率的增加而变厚,电阻率随溅射功率的增加而减小,从200 W功率时的24.6×1-0 4Ωcm减小到400W时的7.2×1-0 4Ωcm.样品在可见光区域的平均光学透射率都大于85%,其光学带隙随载流子浓度的减小而减小.
- 范丽琴裴瑜林丽梅詹仁辉赖发春
- 关键词：溅射功率电学性质光学性质
- 一种金属银/金属氧化物的透明导电薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种由金属银和金属氧化物组成的透明导电薄膜及其薄膜的制备方法。所述的透明导电薄膜，由基片、薄膜缓冲层、薄膜导电层、透明导电薄膜保护层至下而上逐层排列。导电层是金属银薄膜，厚度3到10纳米；薄膜缓冲层厚度为10到...
- 赖发春程正勤裴瑜黄志高林丽梅
- 文献传递
- ITO薄膜的制备及通电电流对薄膜特性的影响
- 掺锡氧化铟/(ITO/)薄膜是一种高度简并的n型半导体材料,电阻率大约为2-4×10~/(-4/)Ω·cm,它是一种宽带隙/(3.3-4.3 ev/)的半导体材料,在可见光和近红外光区具有高的透过率,所以它在诸多领域内获...
- 裴瑜
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射
- 文献传递
