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郭庆磊

作品数：43 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金创新研究群体科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 15篇绝缘
  • 15篇绝缘体
  • 11篇图形化
  • 11篇锗
  • 10篇键合
  • 9篇半导体
  • 9篇衬底
  • 8篇离子注入
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 7篇埋氧层
  • 6篇单晶
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇晶格
  • 6篇掺杂
  • 5篇应力
  • 5篇光电
  • 5篇光刻
  • 5篇半导体材料
  • 4篇叠层

机构

  • 40篇中国科学院
  • 7篇复旦大学

作者

  • 43篇郭庆磊
  • 40篇狄增峰
  • 37篇张苗
  • 29篇陈达
  • 22篇王刚
  • 19篇薛忠营
  • 18篇母志强
  • 16篇叶林
  • 6篇丁古巧
  • 6篇谢晓明
  • 4篇郑晓虎
  • 4篇董林玺
  • 4篇王曦
  • 4篇梅永丰
  • 4篇戴家赟
  • 4篇李金华
  • 4篇刘宣勇
  • 3篇马骏
  • 2篇高晓强
  • 2篇黄高山

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇中国科学：信...

年份

  • 7篇2018
  • 2篇2017
  • 13篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2012
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法
本发明提供一种基于混合加热制备绝缘体上材料的方法，包括以下步骤：S1：提供一Si衬底，在所述Si衬底表面外延生长掺杂单晶薄膜；S2：接着再外延生长一待转移层；S3：从所述待转移层正面进行离子注入，使离子注入到所述掺杂单晶...
张苗陈达薛忠营郭庆磊王刚母志强狄增峰
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一种基于可热降解柔性印章的薄膜转印装置与方法
本发明属于柔性电子制备技术领域，具体为一种基于可热降解柔性印章的薄膜转印装置与方法。本发明的薄膜转印装置，包括：伺服电机平台系统、衬底微调系统、印章装载系统、旋涂系统和加热板；利用上述装置，将加载在加热板上的聚α‑甲基苯...
梅永丰刘闵杰马飞郭庆磊
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一种对医用钛材料表面进行改性的方法
本发明提供一种医用钛材料表面改性的方法以及具有表面改性的医用钛材料，所述方法为于医用钛材料的表面制备石墨烯薄膜。本发明在医用钛材料的表面制备一层石墨烯薄膜，相比于未改性医用钛材料，表面生长石墨烯薄膜能够明显提高医用钛材料...
狄增峰王刚李金华刘宣勇陈达郭庆磊马骏薛忠营张苗
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锗基石墨烯的抗菌用途
本发明提供一种锗基石墨烯的抗菌用途。抗菌实验表明，锗基石墨烯对多种革兰氏阳性菌及革兰氏阴性菌具有良好的杀菌和抗菌能力，通过接触细菌，使细菌的细胞质流出来达到杀菌效果，有效抑制细菌的增殖和分裂；同时，锗基石墨烯中的锗对人体...
狄增峰王刚李金华刘宣勇陈达郑晓虎郭庆磊张苗丁古巧谢晓明
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一种超薄绝缘体上材料的制备方法
本发明提供一种超薄绝缘体上材料的制备方法，包括步骤：1)在所述第一衬底表面外延第一掺杂单晶层、缓冲层、第二掺杂单晶层以及待转移层；2)低剂量离子注入至所述第一掺杂单晶层与第一衬底的界面以下预设深度；3)键合所述第二衬底的...
张苗陈达薛忠营王刚刘林杰郭庆磊母志强狄增峰
应变结构及其制作方法
本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基...
狄增峰母志强郭庆磊叶林陈达张苗王曦
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掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法
本发明提供一种掺杂石墨烯及石墨烯PN结器件的制备方法，其中，所述掺杂石墨烯的制备方法至少包括：提供一铜衬底，在所述铜衬底上形成镍薄膜层；在所述镍薄膜层上选择一特定区域，在所述特定区域分别注入N型掺杂元素和P型掺杂元素，以...
狄增峰王刚陈达郭庆磊马骏郑晓虎戴家赟薛忠营张苗丁古巧谢晓明
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一种绝缘体上半导体及其制备方法
本发明提供一种绝缘体上半导体及其制备方法，先在第一Si衬底上的第一SiO<Sub>2</Sub>层刻出多个孔道，然后选择性外延Ge、Si<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Sub>Sn<...
姜海涛薛忠营狄增峰张苗郭庆磊戴家赟
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一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法
本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所...
张苗陈达狄增峰叶林王刚郭庆磊母志强
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一种制备直接带隙Ge薄膜的方法
本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；...
狄增峰郭庆磊张苗卞剑涛叶林陈达
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