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金冬月

作品数:174 被引量:95H指数:5
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金北京市教委科技发展计划更多>>
相关领域:电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 89篇专利
  • 71篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 103篇电子电信
  • 8篇文化科学
  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 66篇晶体管
  • 55篇异质结
  • 49篇有源
  • 49篇有源电感
  • 46篇异质结双极晶...
  • 46篇双极晶体管
  • 40篇放大器
  • 39篇电感
  • 32篇SIGE_H...
  • 29篇低噪
  • 29篇低噪声
  • 29篇低噪声放大器
  • 24篇跨导
  • 22篇SIGE异质...
  • 22篇HBT
  • 20篇增益
  • 20篇高Q值
  • 20篇SIGE异质...
  • 18篇热稳定
  • 17篇热稳定性

机构

  • 173篇北京工业大学
  • 5篇辽宁大学
  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇泰山学院
  • 1篇西南技术物理...

作者

  • 174篇金冬月
  • 120篇谢红云
  • 25篇陈亮
  • 25篇赵彦晓
  • 23篇丁春宝
  • 21篇付强
  • 17篇沈珮
  • 16篇王扬
  • 15篇鲁东
  • 15篇黄鑫
  • 14篇肖盈
  • 13篇陈吉添
  • 12篇张昭
  • 11篇高栋
  • 11篇王任卿
  • 11篇郭燕玲
  • 10篇霍文娟
  • 10篇张蔚
  • 10篇邱建军
  • 10篇王忠俊

传媒

  • 23篇微电子学
  • 13篇电子器件
  • 10篇北京工业大学...
  • 7篇半导体技术
  • 6篇物理学报
  • 3篇Journa...
  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇电子世界
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇中国电子学会...
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电脑知识与技...
  • 1篇2007'信...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇中国电工技术...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 16篇2022
  • 11篇2021
  • 10篇2020
  • 7篇2019
  • 5篇2018
  • 17篇2017
  • 9篇2016
  • 12篇2015
  • 8篇2014
  • 7篇2013
  • 8篇2012
  • 13篇2011
  • 8篇2010
  • 5篇2009
  • 4篇2008
  • 9篇2007
  • 11篇2006
  • 3篇2005
174 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种可工作在Ku波段的有源电感
一种可工作在Ku波段的有源电感,包括第一Q‑增强型跨导器单元(1),第二Q‑增强型跨导器单元(2),第一可调输入单元(3),第二可调输入单元(4)。其中,第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一...
张万荣徐曙谢红云金冬月张崟杨鑫
文献传递
一种基于遗传算法的VCSEL阵列排布优化方法
本发明公开了一种基于遗传算法的VCSEL阵列排布优化方法,以达到改善VCSEL阵列热问题从而提高器件整体性能的目的。本发明直接选取VCSEL阵列单元排布的位置坐标来进行染色体的编码,可实现任意单元个数的VCSEL阵列优化...
金冬月王毅华张万荣那伟聪张洪源王焕哲关宝璐
基于有限元法对发射极指分段结构的多指SiGe HBT的研究
2010年
针对传统多指SiGeHBT发射极指中心区域和器件中心区域温度较高导致热不稳定问题,提出了新型发射极指分段结构来抑制功率SiGeHBT中心区域的自热效应,提高器件温度分布均匀性。利用有限元软件ANSYS对器件进行建模和三维热模拟,研究器件温度分布的改善情况。结果表明,与传统不分段结构的器件相比,新型分段结构的多指SiGeHBT的指上的温度分布更加均匀、不同指上的温差和集电结结温明显降低,自热效应得到有效抑制,器件的热稳定性得到增强。
王任卿张万荣金冬月陈亮丁春宝肖盈孙博韬赵昕
关键词:SIGEHBT热模拟自热效应
具有高特征频率-击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管
本发明公开了一种具有高特征频率‑击穿电压优值的SOI SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用薄的N<Sup>+</Sup>埋层结构来显著提高N<Sup>‑</Sup>集电区内靠近埋氧层一侧的电子浓度,从而通过减小器件的...
金冬月王利凡张万荣陈蕊郭燕玲郭斌陈虎
文献传递
一款适用于WCDMA标准的大动态范围SiGe HBT可变增益放大器设计被引量:1
2009年
第三代移动通信标准WCDMA要求放大器增益可调,并且增益动态范围较大。根据这一要求给出了一种基于SiGeHBT具有高动态范围的可变增益放大器(VGA)设计。放大器为三级级联结构,第一级为输入缓冲级,第二级为增益控制级,最后为放大级。VGA的增益控制通过调整第二级的偏置实现。VGA在1.95 GHz频率下,在0~2.7 V增益控制电压变化下,具有44 dB增益变化范围,最大增益49 dB。在最大增益处最小噪声系数为2.584 dB,输入输出电压驻波比低于2,性能良好。
甘军宁张万荣谢红云金冬月沈珮李佳
关键词:射频放大器可变增益SIGEHBT
一种射频电感电路
一种射频电感电路,由带有反馈模块的第一跨导单元(1),带有反馈模块的第二跨导单元(2),第一可调跨导单元(3),第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)组成。其中,带有反馈模块的第一跨导单元(1)与第一可调跨导单元...
张万荣张崟谢红云金冬月徐曙杨鑫张昭
文献传递
宽带噪声抵消结构的噪声分析及优化
2011年
噪声抵消结构是一种应用于宽带低噪声放大器的有源匹配电路。噪声抵消的目的是将输入匹配器件引入的噪声在输出端消除。本文针对噪声抵消结构在高频的应用,依据噪声抵消的原理,提出了一种全频带噪声抵消条件。并给出了该条件下,噪声抵消结构的噪声系数随频率变化的解析表达式。通过与仿真结果对比,验证了该解析表达式的准确性。在此基础上,分析了匹配器件的高频噪声不能完全抵消时该结构的噪声系数。最后,提出了一种噪声抵消结构的优化设计方法。
孙博韬张万荣金冬月谢红云丁春宝尤云霞王任卿
关键词:噪声系数优化设计
一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感
一种高Q值、电感值与工作频率范围可调谐的有源电感,该有源电感包括可变电容、有源反馈电阻、正跨导放大器、负跨导放大器、第一可调电流源、第二可调电流源、隔直电容。其中负跨导放大器为在共源极-共栅极结构上加入多重电压调制电路;...
张万荣刘亚泽谢红云金冬月陈吉添黄鑫邓蔷薇王忠俊赵彦晓刘硕赵馨仪
文献传递
一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列
一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列,应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成,且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间...
孙晟金冬月张万荣吴玲曹路明贾晓雪
文献传递
《微波电路设计的智能学习技术》课程内容设计与教学方法被引量:2
2021年
随着市场对微波产品的大量需求,微波电路设计的计算机辅助(Computer-Aided Design,CAD)技术越来越引起人们的重视,其中以人工神经网络和深度学习技术为代表的人工智能方法以其模型精度高、计算速度快、适用性强等优势,迅速成为一种新型的微波CAD技术。本文针对面向电子科学与技术专业学生开设的《微波电路设计的智能学习技术》的课程内容与教学方法展开讨论,指导实际教学过程。
那伟聪张万荣谢红云金冬月
关键词:人工神经网络人工智能方法课程内容设计电子科学与技术专业教学方法CAD
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