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文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氮化镓
  • 5篇分子束
  • 5篇分子束外延
  • 5篇半导体
  • 4篇气相外延
  • 4篇外延法
  • 4篇密封法
  • 4篇金属有机物
  • 4篇金属有机物气...
  • 4篇溅射
  • 4篇分子束外延法
  • 4篇超高真空
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇氮化镓薄膜
  • 3篇导体
  • 2篇灯丝
  • 2篇真空系统
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射

机构

  • 13篇中国科学院合...

作者

  • 13篇钟飞
  • 12篇李新化
  • 12篇邱凯
  • 12篇尹志军
  • 10篇王玉琦
  • 6篇解新建
  • 4篇姬长建
  • 4篇陈家荣
  • 2篇刘敏
  • 2篇高理升
  • 2篇林新华
  • 2篇陈池来

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它包括分子束外延法或金属有机物气相外延法和氢或氯化物气相外延法,步骤为(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层,再使用氢或氯化物气...
邱凯尹志军李新化钟飞解新建王玉琦
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氮化镓薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种氮化镓薄膜材料的制备方法。它包括分子束外延法和氢化物气相外延法,特别是完成步骤为:1)使用分子束外延法在蓝宝石衬底上依次分别生长出氮化铝膜和具有混合极性的氮化镓膜;2)先将其上覆有氮化铝膜和氮化镓膜的蓝宝...
解新建王玉琦钟飞姬长建尹志军邱凯李新化
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用于10<Sup>-8</Sup>Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置
本发明公开了一种用于10<Sup>-8</Sup>Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置。它的水冷腔(3)内置有软铁(5)和磁钢(4)、下端面与水冷腔密封法兰(17)上端面间置有O形金属密封圈(7),并经螺丝(22)相...
邱凯李新化钟飞尹志军解新建王玉琦
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巨磁阻磁传感器及其制备方法
本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有导电层(5)的铁磁层(4),特别是夹裹有导电层(5)的铁磁层(4)外套装有线圈(3),线圈(3)和铁磁层(4)均由绝缘层(2)裹...
李新化邱凯尹志军钟飞姬长建陈家荣王玉琦林新华陈池来高理升
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氮化镓薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种氮化镓薄膜材料的制备方法。它包括分子束外延法和氢化物气相外延法,特别是完成步骤为:1)使用分子束外延法在蓝宝石衬底上依次分别生长出氮化铝膜和具有混合极性的氮化镓膜;2)先将其上覆有氮化铝膜和氮化镓膜的蓝宝...
解新建王玉琦钟飞姬长建尹志军邱凯李新化
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GaN薄膜的分子束外延制备和极性研究
宽禁带III-V族氮化物半导体材料在短波段发光器件、光探测器件以及抗辐射、高频和大功率电子器件方面有着广阔应用前景。本论文在系统总结了国内外GaN材料制备的研究历史和现状的基础上,研究了GaN和AlGaN/GaN材料的射...
钟飞
关键词:氮化物半导体材料氮化镓薄膜分子束外延
自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
本发明公开了一种自剥离氮化镓衬底材料的制备方法。它的制备步骤为:(a)使用分子束外延法或金属有机物气相外延法于蓝宝石衬底上生长氮化铝或氮化镓成核层,再使用氢化物或氯化物气相外延法于其上生长首层氮化镓外延层;(b)将覆有氮...
邱凯尹志军李新化钟飞解新建王玉琦
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用于10<Sup>-8</Sup>Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置
本发明公开了一种用于10<Sup>-8</Sup>Pa超高真空圆形平面磁控溅射靶的密封装置。它的水冷腔(3)内置有软铁(5)和磁钢(4)、下端面与水冷腔密封法兰(17)上端面间置有O形金属密封圈(7),并经螺丝(22)相...
邱凯李新化钟飞尹志军解新建王玉琦
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霍尔型离子源
本发明公开了一种霍尔型离子源。它的阴极灯丝(1)经灯丝支架(2)和灯丝绝缘座(3)与屏蔽罩上盖(4)固定连接,柱状体阳极(14)上部的内腔为带有一只以上阳极进气口(13)的阳极放电室(12)、下部为内置软铁(16)和磁铁...
邱凯李新化钟飞尹志军刘敏王玉琦
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用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶
本发明公开了一种用于超高真空系统的磁控溅射阴极靶。它的上、下法兰(15,16)内置有相通的冷却水槽(13,9),进、出水管(1,2)隔断冷却水槽(9)且与其相焊接,上法兰(15)上端部与靶材安装罩(12)旋接、腔体中置有...
李新化邱凯尹志军钟飞陈家荣
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共2页<12>
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